加热构件、静电卡盘及陶瓷加热器的制作方法

本发明涉及能够对例如半导体晶圆等被加工物进行加热的加热构件、具有该加热构件的静电卡盘及陶瓷加热器。

背景技术：

一直以来，在半导体制造装置中，对半导体晶圆(例如硅片)进行了干蚀刻(例如等离子体蚀刻)等处理。为了提高该干蚀刻的精度，需要预先将半导体晶圆可靠地固定，作为固定半导体晶圆的固定部件，提出了利用静电引力固定半导体晶圆的静电卡盘。

具体地说，在静电卡盘中，例如，在层叠了陶瓷层的陶瓷基板的内部具有吸附用电极，使用在对吸附用电极施加电压时产生的静电引力，使半导体晶圆吸附在陶瓷基板的一个面(吸附面)上。另外，静电卡盘通常在陶瓷基板的另一个面(接合面)上接合有金属基座。

另外，也公知有具有对吸附于吸附面的半导体晶圆的温度进行调节(加热或冷却)的功能的静电卡盘。例如，也公知有通过在陶瓷基板内配置发热体(例如线状的发热图案)、并利用该发热体对陶瓷基板进行加热，来对吸附面上的半导体晶圆进行加热的技术。另外，也公知有在金属基座上设置供冷却用流体流动的冷却路径、并利用该冷却用流体对陶瓷基板进行冷却的技术。

而且近年来，为了使吸附面的平面方向上的温度(即面内温度)均匀化，作为向发热体供给电力的供电路径，公开了在陶瓷基板的内部配置了多层(例如两层)作为接合区图案的导电层的技术(参照专利文献1)。

在该技术中，作为例如配置在厚度方向的不同位置的两层导电层，使用了沿着陶瓷层平面形状(即厚度方向上的投影形状)和外形尺寸相同的导电层。另外，以电连接两导电层之间的方式沿着厚度方向形成有通路构件。

另外，在如上所述在陶瓷基板中设置两层导电层的情况下，例如，将形成了成为导电层的图案的陶瓷坯片层叠，之后通过烧制制作出陶瓷基板。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014－75525号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

但是，如上所述，在例如以厚度方向上的投影形状和外形尺寸相同的方式配置两层导电层的技术中，在重叠配置两层导电层的部位和其周围的部位，产生了与两层导电层的厚度相应的较大的高度差，因此在存在高度差的部位附近有可能在陶瓷层之间产生剥离。

即，导电层被陶瓷层夹着，但是在上述高度差的影响下，有可能在陶瓷层之间产生剥离。

本发明是鉴于上述问题而做成的，其目的在于提供能够减小因陶瓷基板中的多个导电层而产生的高度差、且能够抑制陶瓷基板上的剥离的加热构件、静电卡盘及陶瓷加热器。

用于解决问题的方案

(1)本发明的第1技术方案的加热构件包括：陶瓷基板，其具有多个陶瓷层层叠而成的结构；电阻发热体，其埋设于所述陶瓷基板；供电部，其配置于所述陶瓷基板的表面；以及供电路径，其埋设于所述陶瓷基板并且电连接所述电阻发热体与所述供电部；其中，所述供电路径包括多个导电层和多个通路构件，所述多个导电层在所述陶瓷基板的厚度方向的不同位置沿着所述陶瓷层的平面方向配置，所述多个通路构件沿着所述陶瓷基板的厚度方向配置，在从所述厚度方向观察所述多个导电层时，至少一对导电层的外缘的位置错开。

在本第1技术方案中，由于在从厚度方向观察多个导电层时，至少一对导电层的外缘的位置错开，因此在厚度方向上不易产生较大的高度差。因此，在陶瓷层之间等不易发生剥离。

即，在一对导电层中，由于其外缘的位置错开，因此在错开的部分处导电层没有重叠。因此，能够减小因导电层而产生的高度差。由此，能够抑制因高度差而易于产生的陶瓷层彼此之间、陶瓷层与导电层之间的剥离的产生。

(2)在本发明的第2技术方案的加热构件中，在从所述厚度方向观察所述外缘的位置错开的一对导电层时，在利用一个导电层的外缘划定的范围内包含有另一个导电层。

在本第2技术方案中，由于在利用一个导电层的外缘划定的范围内包含有另一个导电层，因此在另一个导电层的平面方向上的较大的范围内，能够容易地设置与一个导电层电连接的通路构件。即，由于对通路构件的位置的制约较少，因此具有提高设计的自由度这样的优点。

(3)在本发明的第3技术方案的加热构件中，在从所述厚度方向观察所述外缘的位置错开的一对导电层时，所述电阻发热体侧的导电层的面积大于所述供电部侧的导电层的面积。

在本第3技术方案中，由于电阻发热体侧的导电层的面积大于供电部侧的导电层的面积，因此具有在陶瓷基板的电阻发热体侧的表面上，能够使平面方向上的温度分布均匀化这样的效果。

(4)在本发明的第4技术方案的加热构件中，在所述多个导电层中的至少一层上具有沿厚度方向贯穿所述导电层的一个或多个通孔。

在本第4技术方案中，由于在导电层上具有通孔，因此具有夹着导电层的陶瓷层彼此的接合性较高这样的效果。

(5)在本发明的第5技术方案的加热构件中，在所述多个导电层中的至少两层上具有沿厚度方向贯穿所述导电层的一个或多个通孔，并且在从所述厚度方向观察具有所述通孔的至少两层导电层时，各个导电层的通孔的位置错开。

在本第5技术方案中，由于设于两层导电层的各个通孔的位置错开，因此与不错开的情况相比，具有陶瓷层彼此的接合性较高这样的效果。

(6)本发明的第6技术方案的静电卡盘具有上述加热构件，并且具有埋设于陶瓷基板的吸附用电极。

在本第6技术方案的静电卡盘中，能够利用加热构件对被加工物进行加热。而且，能够利用吸附用电极的静电引力来吸附被加工物。另外，吸附用电极能够设置在加热构件内。

(7)本发明的第7技术方案的陶瓷加热器具有上述加热构件，并且具有埋设于陶瓷基板的高频电极。

在本第7技术方案的陶瓷加热器中，能够利用加热构件对被加工物进行加热。而且，能够利用高频电极(rf电极：等离子体产生用电极)和相对的电极来进行对被加工部的等离子体加工。另外，高频电极能够设置在加热构件内。

＜以下，说明本发明的各部分结构＞

·作为陶瓷基板，能够采用以陶瓷为主要成分的基板。

该陶瓷基板由于是多个陶瓷层层叠而成的结构，因此能够容易地在内部形成导电层等各种结构。另外，在加热构件、静电卡盘、陶瓷加热器中使用的陶瓷基板是具有电绝缘性的陶瓷绝缘板。

作为构成陶瓷基板(陶瓷层)的材料，可列举以氧化铝、三氧化二钇(氧化钇)、氮化铝、氮化硼、碳化硅、氮化硅等这样的高温烧制陶瓷为主要成分的烧结体等。另外，根据用途，也可以选择以在硼硅酸类玻璃、硼硅酸铅类玻璃中添加了氧化铝等无机陶瓷填料而成的玻璃陶瓷那样的低温烧制陶瓷为主要成分的烧结体，亦可以选择以钛酸钡、钛酸铅、钛酸锶等的电介质陶瓷为主要成分的烧结体。

·供电部是接受来自外部的供电的导体部分，例如能够采用设于陶瓷基板的一个面(例如与对被加工物进行加热的一侧相反的表面)上的金属化层等。

·供电路径是在陶瓷基板内电连接电阻发热体与供电部的导体部分，能够由导电层、通路构件等构成。

·通路构件在陶瓷基板内沿陶瓷基板的厚度方向延伸，是与厚度方向的一个或两个导电层等导体部分电连接的导体部分。

·电阻发热体是通过通入电流而与其电阻相应地发热的公知的发热体。作为该电阻发热体的材料，例如能够使用ni－cr类、fe－cr－al类、钼(mo)、钨(w)、铂(pt)、二硅化钼等公知的材料。

·作为构成吸附用电极、高频电极、导电层、供电部、通路构件的导体的材料，能够利用公知的材料，例如能够使用下述材料。

例如，在陶瓷基板包括所谓的高温烧制陶瓷(例如氧化铝等)的情况下，作为导体中的金属粉末，能够选择镍(ni)、钨(w)、钼(mo)、锰(mn)等以及这些金属的合金。在陶瓷基板包括所谓的低温烧制陶瓷(例如玻璃陶瓷等)的情况下，作为导体中的金属粉末，能够选择铜(cu)或银(ag)等以及这些金属的合金。另外，在陶瓷基板包括高介电常数陶瓷(例如钛酸钡等)的情况下，能够选择镍(ni)、铜(cu)、银(ag)、钯(pd)、铂(pt)等以及这些金属的合金。

另外，电阻发热体、吸附用电极、高频电极、导电层能够通过使用含有金属粉末的导体糊剂、在利用以往公知的方法例如印刷法等涂布之后进行烧制来形成。

附图说明

图1是局部剖切第1实施方式的静电卡盘进行表示的立体图。

图2是沿厚度方向剖切第1实施方式的静电卡盘并表示其剖面的剖视图。

图3是表示第1实施方式的静电卡盘的加热构件的结构的俯视图。

图4的(a)是表示第1实施方式的第1导电层的平面图，图4的(b)是表示第1实施方式的第2导电层的平面图。

图5是放大表示图2中的第1导电层、第2导电层的一部分的外缘附近的剖视图。

图6是表示静电卡盘的加热构件中的一部分的结构的俯视图。

图7是沿厚度方向剖切第2实施方式的陶瓷加热器并表示其剖面的剖视图。

图8是沿厚度方向剖切第3实施方式的加热构件并表示其剖面的剖视图。

附图标记说明

1…静电卡盘；5、33、61…加热构件；11…电阻发热体；13、39…陶瓷基板；17…陶瓷层；23…供电部；25、27…通孔；31…陶瓷加热器；41…高频电极；k、k0、k1、k2、k3、k4…供电路径；t、t0、t1、t2、t3、t4…端子；v、v0、v1、v2、v3、v4、v5、v6、v7、v8、v9、v10、v11、v12…通路构件；x、x1、x2、x3、x4…第1导电层；y、y1、y2、y3、y4…第2导电层；xa、ya…外缘。

具体实施方式

基于附图说明本发明的实施方式。

[1.第1实施方式]

在第1实施方式中，以具有加热构件的静电卡盘为例来进行说明。

[1－1.静电卡盘的整体结构]

首先，说明静电卡盘的整体结构。

如图1所示，第1实施方式的静电卡盘1是在图1的上侧吸附作为被加工物的半导体晶圆3的装置，是加热构件5与金属基座(冷却板)7层叠并接合而成的装置。

另外，加热构件5的图1的上方的面是第1主面(吸附面)s1，下表面是第2主面s2。

其中，加热构件5是对半导体晶圆3进行加热的圆盘形状的构件。该加热构件5主要由在内部具有后述的吸附用电极9、电阻发热体11、第1导电层x、第2导电层y等的陶瓷基板13构成。

金属基座7是比加热构件5大径的圆盘形状，并与加热构件5同轴接合。为了对加热构件5(进而对半导体晶圆3)进行冷却而在该金属基座7上设有供冷却用流体流动的冷却路径15。

[1－2.静电卡盘的各部分结构]

接着，详细说明静电卡盘1的各部分结构。

如图2所示，加热构件5的陶瓷基板13例如是包括氧化铝的烧结体，是具有多个陶瓷层17沿厚度方向(图2中的上下方向)层叠而成的结构的构件。另外，在以下说明中，将图2中的上侧作为上侧，将图2中的下侧作为下侧。

在该陶瓷基板13的内部，自图2中的上方开始，吸附用电极9、包括内加热器19和外加热器21的电阻发热体11、第1导电层x(x1、x2、x3、x4)以及第2导电层y(y1、y2、y3、y4)在厚度方向上配置在不同的位置。该吸附用电极9、电阻发热体11、第1导电层x、第2导电层y沿着陶瓷层17的平面方向(相对于图2的上下方向的垂直方向)进行延展。

另外，在陶瓷基板13的下表面的局部，与各个端子t(t0、t1、t2、t3、t4)相对应地，形成有供各个端子t安装的作为金属化层的各个供电部23。

另外，在陶瓷基板13的内部，为了利用预定的各个供电路径k(k0、k1、k2、k3、k4)将吸附用电极9、电阻发热体11、第1导电层x、第2导电层y、供电部23等能够导通的层之间电连接，沿着厚度方向形成有多个通路构件v。

＜吸附用电极＞

吸附用电极9是包括w、mo的例如圆盘形状的金属化层。该吸附用电极9以与吸附面s1平行的方式设置在靠近加热构件5的吸附面s1的位置。吸附用电极9利用作为供电路径k0的通路构件(贯通通路构件)v0电连接于对应的端子t0。

＜电阻发热体＞

构成电阻发热体11的内加热器19是包括w、mo的金属化层，是位于比吸附用电极9靠下侧的位置的漩涡型的加热器。即，如图3所示，在从上方观察时(即从静电卡盘1的厚度方向观察时：俯视)，内加热器19的中心与加热构件5的中心一致，内加热器19从加热构件5的中心扩展至中心与外周端(外缘)之间的中央部分(即中间部)。

另外，内加热器19的内周侧的端部19a位于第1导电层x1上方，外周侧的端部19b位于第1导电层x2上方。

外加热器21是包括w、mo的金属化层，是位于与内加热器19同一平面上、且位于比内加热器19靠外侧的位置的漩涡状的加热器。如图3所示，在从上方观察时，外加热器21的中心与加热构件5的中心一致，外加热器21在内加热器19的最外周与加热构件5的外周端之间延展。

另外，外加热器21的内周侧的端部21a位于第1导电层x3上方，外周侧的端部21b位于第1导电层x4上方。

＜第1导电层＞

如图2所示，第1导电层x1、x2、x3、x4是分别在比内加热器19和外加热器21靠下侧的位置与这些加热器相邻的、包括w、mo的金属化层。

另外，如图4的(a)所示，第1导电层x1、x2、x3、x4是分别利用通过圆的中心的线段以成为相同的中心角度的方式4等分而成的形状(1/4圆：扇形)(参照图4的(a)的灰色部分)。

另外，第1导电层x1、x2、x3、x4以相邻的导电层彼此不接触的方式彼此之间隔着预定宽度地形成。因而，分隔的区域在俯视时成为十字形状。

而且，在第1导电层x1、x2、x3、x4上，以分别沿厚度方向(图2的上下方向)贯穿第1导电层x1、x2、x3、x4的方式分别在多个部位(例如各自的7个部位)形成有通孔25。该通孔25在各个第1导电层x1、x2、x3、x4的整个面上大致均等地分散配置。

另外，如图2、图3所示，第1导电层x1与内加热器19的端部19a利用通路构件v1相连接。第1导电层x2与内加热器19的端部19b利用通路构件v2相连接。第1导电层x3与外加热器21的端部21a利用通路构件v3相连接。第1导电层x4与外加热器21的端部21b利用通路构件v4相连接。

另外，通路构件v是分别向形成在构成加热构件5的陶瓷层17上的贯通孔内填充以w、mo为主要成分的金属化材料而成的构件。

＜第2导电层＞

第2导电层y1、y2、y3、y4是分别在比第1导电层x1、x2、x3、x4靠下侧的位置与第1导电层x1、x2、x3、x4相邻的、包括w、mo的金属化层。

另外，如图4的(b)所示，第2导电层y1、y2、y3、y4分别具有比第1导电层x1、x2、x3、x4小的相似形状(1/4圆：扇形)。

另外，第2导电层y1、y2、y3、y4以相邻的导电层彼此不接触的方式彼此之间隔开预定宽度地形成。因而，分隔的区域在俯视时成为十字形状。

在此，第2导电层y1位于第1导电层x1的下侧，第2导电层y2位于第1导电层x2的下侧，第2导电层y3位于第1导电层x3的下侧，第2导电层y4位于第1导电层x4的下侧。

而且，如图4的(a)所示，在俯视时，以下侧的第2导电层y1、y2、y3、y4分别包含在利用上侧的第1导电层x1、x2、x3、x4的外缘xa(参照图5)分别划定的范围内的方式配置下侧的第2导电层y1、y2、y3、y4。

因而，上侧的第1导电层x1、x2、x3、x4的外缘xa的位置与下侧的第2导电层y1、y2、y3、y4的外缘ya(参照图5)的位置彼此完全错开。即，所有的第1导电层x的外缘xa的位置与所有的第2导电层y的外缘ya的位置错开。另外，上侧的第1导电层x1、x2、x3、x4的面积分别大于下侧的第2导电层y1、y2、y3、y4的面积。

而且，如图4的(b)所示，在第2导电层y1、y2、y3、y4上，以分别沿厚度方向(图2的上下方向)贯穿各个第2导电层y1、y2、y3、y4的方式分别在多个部位(例如各自的6个部位)形成有通孔27。该通孔27在各个第2导电层y1、y2、y3、y4的整个面上大致均等地分散配置。

而且，如图4的(a)所示，第1导电层x上的所有的通孔25的位置与第2导电层y上的所有的通孔27的位置以在俯视时不重叠的方式配置为完全错开。

另外，如图2、图4、图6所示，第1导电层x1与第2导电层y1利用多个通路构件v5相连接。

同样地，第1导电层x2与第2导电层y2利用多个通路构件v6相连接。

同样地，第1导电层x3与第2导电层y3利用多个通路构件v7相连接。

同样地，第1导电层x4与第2导电层y4利用多个通路构件v8相连接。

＜端子＞

如图2所示，端子t是设于加热构件5的下方端部的、包括导电性的材料的棒状的端子，各个端子t分别接合于对应的各个供电部23。

其中，端子t0在俯视时配置于其他端子t1、t2、t3、t4的中央(即加热构件5的中心)，如上所述，利用供电路径k0连接于吸附用电极9。

其他端子t1、t2、t3、t4在俯视时分别配置于第2导电层y1、y2、y3、y4的下方(参照图2、图3)。具体地说，端子t1利用包括通路构件v9的供电路径k1与第2导电层y1相连接，端子t2利用包括通路构件v10的供电路径k2与第2导电层y2相连接，端子t3利用包括通路构件v11的供电路径k3与第2导电层y3相连接，端子t4利用包括通路构件v12的供电路径k4与第2导电层y4相连接。

另外，供电路径k(k0～k4)是包括通路构件v(v0～v12)、各个导电层x、y的公知的电路径。

在具有上述结构的静电卡盘1中，关于内加热器19，形成有端子t1→通路构件v9→第2导电层y1→通路构件v5→第1导电层x1→通路构件v1→内加热器19→通路构件v2→第1导电层x2→通路构件v6→第2导电层y2→通路构件v10→端子t2这样的电流的路径。另外，关于外加热器21，形成有端子t3→通路构件v11→第2导电层y3→通路构件v7→第1导电层x3→通路构件v3→外加热器21→通路构件v4→第1导电层x4→通路构件v8→第2导电层y4→通路构件v12→端子t4这样的电流的路径。即，电阻发热体11包括能够独立控制的多个发热部。

[1－3.静电卡盘的制造方法]

接着，说明静电卡盘1的制造方法。

静电卡盘1能够利用以下(i)～(ix)的顺序来进行制造。

(i)制成以陶瓷、烧结助剂、有机粘合剂等为原料的公知的组成的坯片(陶瓷层17用的坯片)。

(ii)将坯片切断为期望的尺寸。

(iii)在坯片中，在后来要形成通路构件v的部分穿设贯通孔。

(iv)向贯通孔内填充以w、mo为主要成分的金属化材料。

(v)在坯片上，使用丝网印刷的方法涂布以w、mo为主要成分的金属化材料，形成成为吸附用电极9、内加热器19、外加热器21、第1导电层x、第2导电层y的层。

(vi)在坯片中，利用钻孔加工，形成用于安装各个端子t的孔等。另外，根据加热构件5的形状对坯片的外径进行修整。

(vii)对坯片彼此进行层叠压接，制作出层叠体。另外，在层叠体表面的局部(端子t的安装位置)涂布成为供电部23的糊剂。

(viii)对所获得的层叠体进行烧制，并安装各个端子t，制作出加热构件5。

(ix)之后，在加热构件5上接合金属基座7而完成静电卡盘1。

[1－4.静电卡盘的作用效果]

接着，说明静电卡盘1的作用效果。

在第1实施方式的静电卡盘1中，在俯视时，由于第1导电层x的外缘xa与第2导电层y的外缘ya的位置错开，因此产生较大的高度差，陶瓷层17等不易发生剥离。即，在外缘xa、ya错开的部分，第1导电层x与第2导电层y没有重叠，因此能够减小因两导电层x、y而产生的高度差。由此，能够抑制因高度差而易于产生的陶瓷层17彼此之间、陶瓷层17与各个导电层x、y之间的剥离的产生。

在第1实施方式中，在俯视时，由于在利用第1导电层x的外缘xa划定的范围内包含有第2导电层y，因此在第2导电层y的平面方向的较大的范围内，能够容易地设置通路构件v。即，由于对通路构件v的位置的制约较少，因此具有提高设计的自由度这样的优点。

在第1实施方式中，由于第1主面s1侧(电阻发热体11侧)的第1导电层x的面积大于第2主面s2侧的第2导电层y的面积，因此具有在陶瓷基板13的第1主面s1侧的表面上，能够使平面方向上的温度分布均匀化这样的效果。

在第1实施方式中，由于在各个导电层x、y上具有通孔25、27，因此具有夹着各个导电层x、y的陶瓷层17彼此的接合性较高这样的效果。而且，在俯视时，由于第1导电层x的通孔25的位置与第2导电层y的通孔27的位置错开，因此具有陶瓷层17彼此的接合性更高这样的效果。

[1－5.变形例]

例如，在第1实施方式的静电卡盘1中，金属基座7是比加热构件5大径的圆盘形状，但是金属基座7的形状、尺寸并不特别限定，例如，金属基座7的直径也可以与加热构件5相同。

另外，在静电卡盘1中，能够省略金属基座7。

第1导电层x的外缘xa的位置与第2导电层y的外缘ya的位置也可以不是全部错开，而是一部分错开。

在此，第1导电层x与第2导电层y之间的关系分别表示相对配置的第1导电层x1～第1导电层x4与第2导电层y1～第2导电层y4之间的关系(以下相同)。

第1导电层x的通孔25的位置与第2导电层的通孔27的位置也可以配置为一部分重叠。

第1导电层x和与第1导电层x相对的第2导电层y也可以不是相似形状。

第1导电层x的外缘xa也可以位于比与第1导电层x相对的第2导电层y的外缘ya靠内侧的位置。即，第1导电层x的面积也可以小于第2导电层y的面积。

电阻发热体11也可以被分割为3个以上。另外，与其相应地，各个第1导电层x与各个第2导电层y也可以分别被分割为4个以上。

作为吸附用电极9，能够采用其他公知的吸附用电极的结构。例如可以使用多个吸附用电极。

端子t0能够设置在加热构件5的除中心以外的任意位置。

[2.第2实施方式]

接着，说明第2实施方式，但是省略了与第1实施方式相同的结构的说明。

另外，对与第1实施方式相同的结构标注相同的附图标记。

如图7所示，第2实施方式的陶瓷加热器31是半导体制造装置用的装置。

详细地说，陶瓷加热器31例如是在利用等离子体对半导体晶圆3进行加工时配置在收纳了半导体晶圆3的腔室(未图示)内的构件，是载置(搭载)半导体晶圆3并对其进行加热的装置。

该陶瓷加热器31包括圆盘形状的加热构件33和圆筒形状的支承构件35，支承构件35在加热构件33的后端侧(图7中的下侧)与加热构件33同轴接合。

该加热构件33与支承构件35由以氮化铝为主要成分的氮化铝烧结体形成。以下，说明各个结构。另外，以下，将图7中的上侧作为上侧，将图7中的下侧作为下侧。

＜加热构件＞

加热构件33主要包括多个陶瓷层(未图示)层叠而成的陶瓷基板39。

在该陶瓷基板39的上侧(第1主面s1侧)配置有能被施加高频电压的圆盘形状的高频电极(公知的rf电极)41。该高频电极41借助通路构件v(v0)和供电部23电连接于端子t(t0)。

另外，在高频电极41的下侧，作为与第1实施方式相同的用于加热的结构，从上侧依次配置有包括内加热器19和外加热器21的电阻发热体11、第1导电层x(x1、x2、x3、x4)、第2导电层y(y1、y2、y3、y4)、供电部23。而且，在供电部23上，与各个第2导电层y1、y2、y3、y4相对应，且与第1实施方式相同地安装有各个端子t(t1、t2、t3、t4)。

上述电阻发热体11、第1导电层x、第2导电层y、供电部23的俯视时的形状、配置与第1实施方式相同。即，第1导电层x与第2导电层y是相似形状，其外缘错开。另外，在第1导电层x与第2导电层y上，与第1实施方式相同地设有通孔(未图示)，各个通孔的位置错开。

另外，在陶瓷基板39内，与第1实施方式相同地沿着上下方向配置有：连接位于上下方向的、例如电阻发热体11与第1导电层x的通路构件v1、v2、v3、v4；将各个导电层x与各个导电层y之间连接起来的通路构件v5、v6、v7、v8；以及连接第2导电层y与供电部23的各个通路构件v9、v10、v11、v12。

＜支承构件＞

支承构件35是如上所述那样与加热构件33同轴地接合于加热构件33的下表面侧的圆筒形状的构件。另外，加热构件33与支承构件35例如通过扩散接合而相接合，但是除此以外，例如也可以利用钎焊等方法相接合。

另外，在支承构件35的中心孔49配置有用于将各个端子t连接于外部设备的连接构件(未图示)。

第2实施方式的陶瓷加热器31像通常那样能够向高频电极41和与高频电极41相对的电极(除陶瓷加热器31外的相对电极：未图示)之间施加高频(交流)电压，能够进行等离子体加工等。另外，与第1实施方式相同地起到由第1导电层x、第2导电层y等的结构带来的效果。

[3.第3实施方式]

接着，说明第3实施方式，但是省略了与第1实施方式相同结构的说明。

另外，对与第1实施方式相同的结构标注相同的附图标记。

如图8所示，第3实施方式的加热构件61例如是半导体制造装置用的加热装置。

加热构件61的基本结构是从第1实施方式的加热构件中去除了吸附用电极和与其供电相关的结构后的结构。

具体地说，加热构件61与第1实施方式相同地在陶瓷基板13的内部具有包括内加热器19和外加热器21的电阻发热体11、第1导电层x1、x2、x3、x4、第2导电层y1、y2、y3、y4、供电部23以及连接这些构件的通路构件v1、v2、v3、v4、v5、v6、v7、v8、v9、v10、v11、v12。另外，也具有供电部23、端子t1、t2、t3、t4。

第3实施方式的加热构件61起到与第1实施方式相同的效果。

另外，本发明丝毫不被上述实施方式所限定，当然在不脱离本发明的主旨的范围内能够以各种方式进行实施。

例如，在第1～第3实施方式中，第1导电层x1、x2、x3、x4分别是利用通过圆的中心的线段以成为相同的中心角度的方式4等分而成的形状，但是作为第1导电层x1、x2、x3、x4的形状，能够采用任意形状。例如，第1导电层x1、x2、x3、x4也可以分别是彼此不同的形状。