1.一种在室温下向氮化镓中引入杂质的方法，将待掺杂的氮化镓材料或器件和固态杂质源都置于利用射频在惰性气体中产生的等离子体中，使固态杂质源的原子和/或离子进入等离子体，杂质原子和/或离子与等离子体中正离子和电子碰撞获得动能，从而进入到氮化镓材料或器件中。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在不加偏置的等离子体发生器的腔体中进行，将待掺杂的氮化镓材料或器件和固态杂质源都放置在等离子发生器腔体中等离子体密度高的位置，以惰性气体作为工作气体，在5～5000W功率下进行等离子体处理0.5～120min。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述氮化镓材料是氮化镓薄膜或晶片。
4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在进行等离子体处理时，所述氮化镓材料或器件待掺杂的那一面面向固态杂质源。
5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述固体杂质源是金属材料或非金属材料。
6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，向氮化镓材料中引入的固态杂质选自下列金属元素中的一种或多种：Mg、Cu、Mo、Al、Ca、Fe、Cr和Sb；和/或，选自下列非金属元素中的一种或多种：Si、As、Br和Se。
7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述惰性气体是氦气和/或氩气，进行等离子体处理时惰性气体的流量为1～100sccm。
8.如权利要求2所述的方法，其特征在于，等离子处理的功率为200～2000W，时间为5～50min。
9.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述等离子体发生器是电感耦合等离子体发生器，使用时关闭其偏置射频。
10.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在等离子发生器腔体中放入两片高纯氮化镓片遮挡等离子体发生器的腔体壁。