技术总结
本发明公布了一种在室温环境下向氮化镓材料引入杂质的方法，将待掺杂的氮化镓材料或器件和固态杂质源都置于利用射频在惰性气体中产生的等离子体中，使固态杂质源的原子和/或离子进入等离子体，杂质原子和/或离子与等离子体中正离子和电子碰撞获得动能，从而进入到氮化镓材料或器件中。该方法既便捷又经济，其特点是样品表面掺杂浓度较高，可实现超浅深度掺杂，并且可同时引进多种杂质，无刻蚀作用，不仅适用于氮化镓薄膜或晶片的掺杂，还可对部分完成的氮化镓器件进行掺杂。
技术研发人员：秦国刚;侯瑞祥;李述体;李磊;徐万劲;谢兮兮;宋伟东;肖稼凯
受保护的技术使用者：北京大学
文档号码：201610899050
技术研发日：2016.10.14
技术公布日：2017.01.11