技术特征：
技术总结
此处提供一种制造磁存储器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成磁性隧道结图案；在衬底上形成层间绝缘层以覆盖磁性隧道结图案；在层间绝缘层上形成导电层；图案化导电层以形成电连接到磁性隧道结图案的互连图案；以及在互连图案上执行清洁工艺。清洁工艺使用第一气体和第二气体的气体混合物执行。第一气体包含氢元素(H)，以及第二气体包含不同于第一气体的源气体。
技术研发人员：徐载训;金钟圭;吴廷翼;金仁皓;朴钟撤;白光铉;梁贤宇
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2016.10.14
技术公布日：2017.07.21