技术特征：
技术总结
本发明提供一种形成内存设备结构的方法及内存设备结构，该内存设备结构包括：一晶圆基板；一磁性信道接面(MTJ)，其由一第一磁性层、一第二磁性层及一非磁性薄层形成，该第一磁性层、该第二磁性层及该非磁性薄层沿着垂直于该晶圆基板的一上表面的一第一方向堆栈，该MTJ形成于该上表面上面，该非磁性层插在该第一磁性层与该第二磁性层之间；电性耦合至该第一磁性层的一第一接触；以及电性耦合至该第二磁性层的一第二接触。
技术研发人员：瑞夫·理查;蒋育德;拉恩·亚恩
受保护的技术使用者：格罗方德半导体公司
技术研发日：2016.10.21
技术公布日：2017.08.11