本发明涉及电子元件领域，具体来说是一种不等间距沟槽的金属膜电阻。
背景技术：
金属膜电阻器就是以特种金属或合金作电阻材料，用真空蒸发或溅射的方法，在陶瓷或玻璃基本上形成电阻膜层的电阻器，这类电阻器一般采用真空蒸发工艺制得，即在真空中加热合金，合金蒸发，使瓷棒表面形成一层导电金属膜；刻槽和改变金属膜厚度可以控制阻值，它的耐热性、噪声电势、温度系数、电压系数等电性能比碳膜电阻器优良，金属膜电阻器的制造工艺比较灵活，不仅可以调整它的材料成分和膜层厚度，也可通过刻槽调整阻值，因而可以制成性能良好，阻值范围较宽的电阻器；由于金属膜电阻阻值的调整大部分通过刻槽，对于现有的这种刻槽方式的金属膜电阻，存在螺旋式沟槽的电感而产生的感抗，在电阻工作效率高低不同时，对设备会产生频率响应不良影响的现象。
技术实现要素：
本发明的目的是为了解决现有技术中缺陷，提供一种不等间距沟槽的金属膜电阻及其加工方法来解决上述问题。
为了实现上述目的，本发明的技术方案如下：一种不等间距沟槽的金属膜电阻，包括陶瓷骨架，所述陶瓷骨架呈圆柱形状，在陶瓷骨架上被覆一层金属膜，其特征在于所述金属膜切割成螺旋形沟槽和环形沟槽，所述螺旋式沟槽和环形沟槽交替连接，所述陶瓷骨架两端设置有插针，所述金属膜外层包裹有环氧树脂封装壳。
优选的，所述螺旋形沟槽和环形沟槽的宽度间距不同。
优选的，所述金属膜选用镍铬或锰钢或康铜材质。
优选的，所述环氧树脂封装壳呈圆柱形状。
优选的，所述插针选用不锈铁材质。
一种不等间距沟槽的金属膜电阻的加工方法：
a、采用高温真空镀膜技术，将金属材质镀附在陶瓷骨架表面，形成金属膜；
b、采用切割技术，在金属膜上挖螺旋形沟槽；
c、手动和/或自动操作加工设备，旋转切刀角度，以改变沟槽宽度间距，使得螺旋形沟槽末端过度到环形沟槽始端；
d、采用切割技术，在金属膜上挖出垂直于陶瓷骨架中心轴旋转呈现300度的环形状沟槽；
e、手动和/或自动操作加工设备，旋转切刀角度，以改变沟槽宽度间距，使得环形沟槽末端过度到螺旋形沟槽始端；
f、在金属膜上螺旋形沟槽和环形沟槽交替连接，完成精确阻值；
g、采用焊接技术，将插针焊接于金属膜始末两端；
h、在金属膜外层涂覆一层圆柱状环氧树脂，形成封装壳。
本发明与现有技术相比，本发明的益处在于削弱因金属膜电阻通过刻槽改变阻值的方式在金属膜电阻上螺旋式沟槽的电感而产生的感抗，在电阻工作效率高低不同时，对具有高低频率之分的设备会产生频率响应不良影响的现象。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
其中，01-金属膜、02-螺旋形沟槽、03-环形沟槽、04-插针。
具体实施方式
下面对本发明的实施例作详细说明，本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
如图1所示，本实施例提供一种不等间距沟槽的金属膜电阻，包括陶瓷骨架，所述陶瓷骨架呈圆柱形状，在陶瓷骨架上被覆一层金属膜01，其特征在于所述金属膜01切割成螺旋形沟槽02和环形沟槽03，所述螺旋式沟槽02和环形沟槽03交替连接，所述陶瓷骨架两端设置有插针04，所述金属膜01外层包裹有环氧树脂封装壳。
优选的，所述螺旋形沟槽02和环形沟槽03的宽度间距不同。
优选的，所述金属膜01选用镍铬或锰钢或康铜材质。
优选的，所述环氧树脂封装壳呈圆柱形状。
优选的，所述插针04选用不锈铁材质。
本实施例提供一种不等间距沟槽的金属膜电阻的加工方法：采用高温真空镀膜技术，将金属材质镀附在陶瓷骨架表面，形成金属膜；采用切割技术，在金属膜上挖螺旋形沟槽；手动和/或自动操作加工设备，旋转切刀角度，以改变沟槽宽度间距，使得螺旋形沟槽末端过度到环形沟槽始端；采用切割技术，在金属膜上挖出垂直于陶瓷骨架中心轴旋转呈现300度的环形状沟槽；手动和/或自动操作加工设备，旋转切刀角度，以改变沟槽宽度间距，使得环形沟槽末端过度到螺旋形沟槽始端；在金属膜上螺旋形沟槽和环形沟槽交替连接，完成精确阻值；采用焊接技术，将插针焊接于金属膜始末两端；在金属膜外层涂覆一层圆柱状环氧树脂，形成封装壳。
本实施例采用在金属膜上切割螺旋形状沟槽和环形沟槽交替组合的方式，用以减少金属膜电阻在使用工作时特别是低电流工作状态时，产生的电感影响电阻及其周边电子设备的正常工作值。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。