1.一种半导体晶圆电镀用导电片，其特征在于，包括导电层（6e）、内侧覆盖膜（6b）及外侧覆盖膜（6f），所述导电层（6e）为导电材料，所述内侧覆盖膜（6b）、外侧覆盖膜（6f）为绝缘材料并且分别设置在导电层（6e）的内、外侧，所述导电层（6e）上设有接电点（6a）并且接电点（6a）穿过外侧覆盖膜（6f）伸至外侧覆盖膜（6f）的外侧，接电点（6a）的高度大于外侧覆盖膜（6f）的厚度，所述半导体晶圆电镀用导电片（6）上还设置有外部导电连接点（6c）。
2.根据权利要求1所述半导体晶圆电镀用导电片，其特征在于，包括圆环形主体（6j）和与圆环形主体（6j）连为一体的连接条（6k），所述接电点（6a）均布在圆环形主体（6j）上，所述外部导电连接点（6c）设置在连接条（6k）上。
3.根据权利要求2所述半导体晶圆电镀用导电片，其特征在于，所述外部导电连接点（6c）上连接有导线（6d）。
4.根据权利要求1所述半导体晶圆电镀用导电片，其特征在于，所述接电点（6a）的材料为不被镀液腐蚀的金属。
5.根据权利要求1所述半导体晶圆电镀用导电片，其特征在于，半导体晶圆电镀用导电片夹在半导体晶圆电镀夹具的夹具后板（1）与夹具前板（7）之间，其内侧与设置在夹具前板（7）上的缓冲垫（8）紧贴，其外侧的接电点（6a）与待电镀的半导体晶圆（4）紧贴。
6.根据权利要求5所述半导体晶圆电镀用导电片，其特征在于，半导体晶圆电镀用导电片（6）与半导体晶圆（4）之间设有接电点密封结构，接电点密封结构包括半导体晶圆（4）、半导体晶圆电镀用导电片（6）及两者之间的外部接触点（6g）、内部接触点（6h）。
7.根据权利要求6所述半导体晶圆电镀用导电片，其特征在于，所述半导体晶圆（4）包括有半导体晶圆基底（4a）和设在半导体晶圆基底（4a）上的半导体晶圆内部光刻胶（4b），并且半导体晶圆内部光刻胶（4b）设置在接电点（6a）的内切圆之内；所述半导体晶圆电镀用导电片（6）的接电点（6a）与半导体晶圆基底（4a）紧贴，所述外部接触点（6g）由半导体晶圆电镀用导电片（6）与半导体晶圆基底（4a）的边缘相接触而形成；所述内部接触点（6h）由半导体晶圆电镀用导电片（6）与半导体晶圆内部光刻胶（4b）相接触而形成。
8.根据权利要求6所述半导体晶圆电镀用导电片，其特征在于，所述半导体晶圆（4）包括半导体晶圆基底（4a）和设在半导体晶圆基底（4a）上的半导体晶圆内部光刻胶（4b）、半导体晶圆边缘光刻胶（4c），所述半导体晶圆内部光刻胶（4b）设置在接电点（6a）的内切圆之内，所述半导体晶圆边缘光刻胶（4c）设置在接电点（6a）的外切圆之外，所述半导体晶圆电镀用导电片（6）的接电点（6a）与半导体晶圆基底（4a）紧贴；所述外部接触点（6g）由半导体晶圆电镀用导电片（6）与半导体晶圆边缘光刻胶（4c）相接触而形成，所述内部接触点（6h）由半导体晶圆电镀用导电片（6）与半导体晶圆内部光刻胶（4b）相接触而成。
9.一种接电点密封结构，其特征在于，包括半导体晶圆（4）、半导体晶圆电镀用导电片（6）及两者之间的外部接触点（6g）、内部接触点（6h）；
所述半导体晶圆（4）包括有半导体晶圆基底（4a）和设在半导体晶圆基底（4a）上的半导体晶圆内部光刻胶（4b），并且半导体晶圆内部光刻胶（4b）设置在接电点（6a）的内切圆之内；
所述半导体晶圆电镀用导电片（6）包括导电层（6e）、内侧覆盖膜（6b）及外侧覆盖膜（6f），所述导电层（6e）为导电材料，所述内侧覆盖膜（6b）、外侧覆盖膜（6f）为绝缘材料并且分别设置在导电层（6e）的内、外侧，所述导电层（6e）上设有接电点（6a）并且接电点（6a）穿过外侧覆盖膜（6f）伸至外侧覆盖膜（6f）的外侧，接电点（6a）的高度大于外侧覆盖膜（6f）的厚度，接电点（6a）与半导体晶圆基底（4a）紧贴；
所述外部接触点（6g）由半导体晶圆电镀用导电片（6）与半导体晶圆基底（4a）的边缘相接触而形成；
所述内部接触点（6h）由半导体晶圆电镀用导电片（6）与半导体晶圆内部光刻胶（4b）相接触而形成。
10.一种接电点密封结构，其特征在于，包括半导体晶圆（4）、半导体晶圆电镀用导电片（6）及两者之间的外部接触点（6g）、内部接触点（6h）；
所述半导体晶圆（4）包括半导体晶圆基底（4a）和设在半导体晶圆基底（4a）上的半导体晶圆内部光刻胶（4b）、半导体晶圆边缘光刻胶（4c），所述半导体晶圆内部光刻胶（4b）设置在接电点（6a）的内切圆之内，所述半导体晶圆边缘光刻胶（4c）设置在接电点（6a）的外切圆之外；
所述半导体晶圆电镀用导电片（6）包括导电层（6e）、内侧覆盖膜（6b）及外侧覆盖膜（6f），所述导电层（6e）为导电材料，所述内侧覆盖膜（6b）、外侧覆盖膜（6f）为绝缘材料并且分别设置在导电层（6e）的内、外侧，所述导电层（6e）上设有接电点（6a）并且接电点（6a）穿过外侧覆盖膜（6f）伸至外侧覆盖膜（6f）的外侧，接电点（6a）的高度大于外侧覆盖膜（6f）的厚度，接电点（6a）与半导体晶圆基底（4a）紧贴；
所述外部接触点（6g）由半导体晶圆电镀用导电片（6）与半导体晶圆边缘光刻胶（4c）相接触而形成；
所述内部接触点（6h）由半导体晶圆电镀用导电片（6）与半导体晶圆内部光刻胶（4b）相接触而成。