技术总结
本发明公开了一种半导体晶圆电镀用导电片及接电点密封结构，所述导电片包括导电层、内侧覆盖膜及外侧覆盖膜，所述导电层为导电材料，所述内侧覆盖膜、外侧覆盖膜为绝缘材料并且分别设置在导电层的内、外侧，所述导电层上设有接电点并且接电点穿过外侧覆盖膜伸至外侧覆盖膜的外侧，接电点的高度大于外侧覆盖膜的厚度，所述半导体晶圆电镀用导电片上还设置有外部导电连接点。本发明提供的半导体晶圆电镀用导电片，其结构合理，有效提高了晶圆电镀的均匀性；且设计了巧妙的接电点密封结构，解决了接电点被腐蚀的问题，提高了晶圆的利用率。
技术研发人员：刘永进
受保护的技术使用者：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
文档号码：201610991073
技术研发日：2016.11.11
技术公布日：2017.05.24