1.一种量子点固态膜的转印方法，其特征在于，包括步骤：
A、制备量子点固态膜，然后对量子点固态膜进行配体交换，得到带有电性的量子点固态膜；
B、将带有电性的转印工具与带有电性的量子点固态膜接触，利用正负电荷吸引力吸引量子点固态膜中量子点，使量子点转移到转印衬底上；其中，所述转印工具带的电性与量子点固态膜带的电性相反。
2.根据权利要求1所述的量子点固态膜的转印方法，其特征在于，步骤A中，所述量子点固态膜中量子点为CdSe/ZnS、CdSeS、CdSeS/ZnS、InP/ZnS、CuInSe、CuInSeS中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的量子点固态膜的转印方法，其特征在于，步骤A中，采用旋涂电负性的表面修饰剂的方法对量子点固态膜进行配体交换，得到带有电负性的量子点固态膜。
4.根据权利要求3所述的量子点固态膜的转印方法，其特征在于，所述电负性的表面修饰剂包含巯基乙酸、巯基丙酸、巯基辛酸中的一种或者多种。
5.根据权利要求1所述的量子点固态膜的转印方法，其特征在于，步骤A中，采用旋涂电正性的表面修饰剂的方法对量子点固态膜进行配体交换，得到带有电正性的量子点固态膜。
6.根据权利要求5所述的量子点固态膜的转印方法，其特征在于，所述电正性的表面修饰剂为三苯胺、十六烷基三甲基溴化胺中的一种。
7.根据权利要求1所述的量子点固态膜的转印方法，其特征在于，步骤B中，所述转印工具包括绝缘介电层和位于绝缘介电层一面的金属良导体层。
8.根据权利要求7所述的量子点固态膜的转印方法，其特征在于，所述金属良导体层的材料为金、银、铜中的一种。
9.根据权利要求7所述的量子点固态膜的转印方法，其特征在于，所述绝缘介电层的材料为红包石、尖晶石、二氧化硅中的一种。
10.一种量子点转印系统，其特征在于，包括带有电性的转印工具、带有电性的量子点固体膜和转印衬底，所述转印工具带的电性与量子点固态膜带的电性相反，所述转印工具用于将量子点固体膜中的量子点转移到转印衬底。