1.一种抑制太阳电池光衰减的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将多晶硅原料掺入硼后混合均匀，并放入单晶炉中升温至1380～1460℃，熔融后生长得到掺硼的直拉单晶硅，切片并清洗得到硅片A；
(2)将步骤(1)中得到的硅片A放入还原性气氛中进行退火处理；
(3)将步骤(2)中退火后得到的硅片A进行太阳电池的制备，包括：对硅片A进行清洗和制绒，待制绒后进行磷扩散、刻蚀及减反射膜的沉积，最后制备电极并烧结，即得。
2.根据权利要求1中所述抑制太阳电池光衰减的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中单晶炉升温至1420℃。
3.根据权利要求2中所述抑制太阳电池光衰减的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中生长过程采用暗光处理。
4.根据权利要求3中所述抑制太阳电池光衰减的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中退火温度为600～800℃，保温时间为1～8小时。
5.根据权利要求4中所述抑制太阳电池光衰减的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中还原性气氛由一氧化碳、氮气和甲烷组成。
6.根据权利要求5中所述抑制太阳电池光衰减的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中还原性气氛中一氧化碳、氮气和甲烷的体积比为2:1:2。