OLED器件的封装方法与流程

技术特征：

1.一种OLED器件的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上形成OLED器件(20)；

步骤2、提供一掩膜板(30)；

步骤3、将掩膜板(30)设于基板(10)上方，使掩膜板(30)的下表面与基板(10)的上表面保持第一距离(d1)，使基板(10)绕其法线旋转，以掩膜板(30)为遮挡并以第一角度(θ1)为沉积角在基板(10)及OLED器件(20)上沉积无机材料，形成覆盖所述OLED器件(20)的第一阻挡层(41)；

步骤4、调整掩膜板(30)的位置，使掩膜板(30)的下表面与第一阻挡层(41)的上表面保持第二距离(d2)，保持基板(10)绕其法线旋转，以掩膜板(30)为遮挡并以第二角度(θ2)为沉积角在第一阻挡层(41)上沉积有机材料，形成缓冲层(42)；

第一距离(d1)大于第二距离(d2)，第一角度(θ1)大于第二角度(θ2)；

步骤5、调整掩膜板(30)的位置，使掩膜板(30)的下表面与第一阻挡层(41)的上表面保持第一距离(d1)，保持基板(10)绕其法线旋转，以掩膜板(30)为遮挡并以第一角度(θ1)为沉积角在第一阻挡层(41)及缓冲层(42)上沉积无机材料，形成覆盖所述缓冲层(42)的第二阻挡层(43)。

2.如权利要求1所述的OLED器件的封装方法，其特征在于，还包括：

步骤6、调整掩膜板(30)的位置，使掩膜板(30)的下表面与第二阻挡层(43)的上表面保持第二距离(d2)，保持基板(10)绕其法线旋转，以掩膜板(30)为遮挡并以第二角度(θ2)为沉积角在第二阻挡层(43)上沉积有机材料，形成缓冲层(42)；

步骤7、调整掩膜板(30)的位置，使掩膜板(30)的下表面与第二阻挡层(43)的上表面保持第一距离(d1)，保持基板(10)绕其法线旋转，以掩膜板(30)为遮挡并以第一角度(θ1)为沉积角在第二阻挡层(43)及缓冲层(42)上沉积无机材料，形成覆盖所述缓冲层(42)的另一第二阻挡层(43)；

步骤8、至少重复一次步骤6及步骤7。

3.如权利要求1所述的OLED器件的封装方法，其特征在于，所述无机材料为三氧化二铝、或氮化硅。

4.如权利要求1所述的OLED器件的封装方法，其特征在于，所述第一角度(θ1)满足0°＜θ1＜90°，其中θ1为第一角度，所述第二角度(θ2)满足0°≤θ2＜90°，其中θ2为第二角度。

5.如权利要求1所述的OLED器件的封装方法，其特征在于，所述第一距离(d1)的范围为500μm～100000μm，所述第二距离(d2)的范围为500μm～100000μm。

6.如权利要求1所述的OLED器件的封装方法，其特征在于，所述第一距离(d1)的范围为500μm～100000μm，所述第二距离(d2)为0。

7.如权利要求1所述的OLED器件的封装方法，其特征在于，所述基板(10)为TFT基板。

8.如权利要求1所述的OLED器件的封装方法，其特征在于，用于封装OLED显示装置中的OLED器件。

9.如权利要求1所述的OLED器件的封装方法，其特征在于，用于封装OLED照明装置中的OLED器件。