OLED器件的封装方法与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED器件的封装方法。

背景技术：

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器，具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示器。目前，从小尺寸的移动电话显示屏，到大尺寸高分辨率的平板电视，应用OLED显示面板都成为一种高端的象征。

OLED显示技术与传统的液晶显示技术不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。但是由于有机材料易与水汽或氧气反应，作为基于有机材料的显示设备，OLED显示屏对封装的要求非常高，因此，通过OLED器件的封装提高器件内部的密封性，尽可能的与外部环境隔离，对于OLED器件的稳定发光至关重要。

传统的OLED器件的封装技术包括盖板封装、及激光封装，盖板封装通过在封装玻璃或金属上涂覆可以紫外(UV)光固化的框胶、或框胶及填充干燥剂(Dam&Fill)后经过固化为OLED器件提供一个相对密闭的环境，从而隔绝水氧侵入；而激光封装通过在封装玻璃上涂布玻璃胶，挥发溶剂后成为玻璃粉，待蒸镀基板和封装盖板对组后，使用激光熔化玻璃粉实现黏合。传统的封装方法可以达到有效的水氧阻隔，但是会增加器件的厚度和重量，这些缺点不利于制备柔性OLED。

近些年，应运而生的薄膜封装(Thin film encapsulation，TFE)技术巧妙地克服了传统封装技术的弊端，不需要封装盖板和框胶，可以用来封装柔性OLED器件。所谓的薄膜封装，即在基板的OLED器件的表面形成阻挡层(barrier)与缓冲层(buffer)的交替结构，以沉积薄膜的方式来阻隔水氧。在薄膜封装中，阻挡层的主要成分为硅(Si)、或铝(Al)的氧化物或氮化物，为水氧的有效阻挡层，但是在制备阻挡层过程中会产生一些针孔(Pinholes)或异物(Particle)缺陷，而缓冲层包括一些高分子聚合物如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、含硅有机物、树脂等，其作用就是覆盖阻挡层的缺陷，并且可以释放阻挡层之间的应力，实现平坦化。如图1所示，为现有的一种OLED器件的薄膜封装结构，在TFT基板100与OLED器件200之上依次交叠形成尺寸相同的多层阻挡层310及多层缓冲层320，其优点为制备工艺简单，只需单套掩膜板(Mask)即可完成不同膜层的沉积，但是所沉积的阻挡层310没有完全覆盖缓冲层320，缓冲层320的边缘接触到空气，提供水汽进入的通道，破坏封装效果。因此，如图2所示，在现有的另一种OLED器件的薄膜封装结构中，在TFT基板100与OLED器件200之上依次交叠形成多层阻挡层310’及缓冲层320’，每一阻挡层310’的尺寸大于其下方的缓冲层320’的尺寸，使阻挡层310’能够完全覆盖其下方的缓冲层320’，避免水汽从缓冲层320’的边缘进入OLED器件200的内部，但该种薄膜封装结构的制备需要多套Mask，且制备过程中需要多次调换Mask，工艺复杂，引入不可控因素。

倾斜角沉积(Glancing Angle Deposition，GLAD)技术是一种薄膜制备技术，具体是指在基板的上方以与基板的法线呈特定的角度沉积成膜材料，同时旋转基板，以在基板上形成薄膜，该特定的角度称为沉积角。倾斜角沉积技术由于可制备形貌可控的薄膜，被广泛应用于各种薄膜制程当中。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种OLED器件的封装方法，能够避免缓冲层暴露于空气中，实现对OLED器件的有效封装，同时在封装过程中无需更换掩膜板，操作简单，产品的可靠性高。

为实现上述目的，本发明提供一种OLED器件的封装方法，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板，在所述基板上形成OLED器件；

步骤2、提供一掩膜板；

步骤3、将掩膜板设于基板上方，使掩膜板的下表面与基板的上表面保持第一距离，使基板绕其法线旋转，以掩膜板为遮挡并以第一角度为沉积角在基板及OLED器件上沉积无机材料，形成覆盖所述OLED器件的第一阻挡层；

步骤4、调整掩膜板的位置，使掩膜板的下表面与第一阻挡层的上表面保持第二距离，保持基板绕其法线旋转，以掩膜板为遮挡并以第二角度为沉积角在第一阻挡层上沉积有机材料，形成缓冲层；

第一距离大于第二距离，第一角度大于第二角度；

步骤5、调整掩膜板的位置，使掩膜板的下表面与第一阻挡层的上表面保持第一距离，保持基板绕其法线旋转，以掩膜板为遮挡并以第一角度为沉积角在第一阻挡层及缓冲层上沉积无机材料，形成覆盖所述缓冲层的第二阻挡层。

还包括：

步骤6、调整掩膜板的位置，使掩膜板的下表面与第二阻挡层的上表面保持第二距离，保持基板绕其法线旋转，以掩膜板为遮挡并以第二角度为沉积角在第二阻挡层上沉积有机材料，形成缓冲层；

步骤7、调整掩膜板的位置，使掩膜板的下表面与第二阻挡层的上表面保持第一距离，保持基板绕其法线旋转，以掩膜板为遮挡并以第一角度为沉积角在第二阻挡层及缓冲层上沉积无机材料，形成覆盖所述缓冲层的另一第二阻挡层。

步骤8、至少重复一次步骤6及步骤7。

所述无机材料为三氧化二铝、或氮化硅。

所述第一角度满足0°＜θ1＜90°，其中θ1为第一角度，所述第二角度满足0°≤θ2＜90°，其中θ2为第二角度。

所述第一距离的范围为500μm～100000μm，所述第二距离的范围为500μm～100000μm。

所述第一距离的范围为500μm～100000μm，所述第二距离为0。

所述基板为TFT基板。

所述OLED器件的封装方法用于封装OLED显示装置中的OLED器件。

所述OLED器件的封装方法用于封装OLED照明装置中的OLED器件。

本发明的有益效果：本发明提供的一种OLED器件的封装方法，采用倾斜角沉积技术，先使掩膜板的下表面与基板的上表面保持第一距离，以掩膜板为遮挡并以第一角度为沉积角形成覆盖所述OLED器件的第一阻挡层，之后使掩膜板的下表面与第一阻挡层的上表面保持小于第一距离的第二距离，以掩膜板为遮挡并以小于第一角度的第二角度为沉积角在第一阻挡层上形成缓冲层，然后使掩膜板的下表面与第一阻挡层的上表面再次保持第一距离，以掩膜板为遮挡并再次以第一角度为沉积角在第一阻挡层及缓冲层上形成覆盖所述缓冲层的第二阻挡层，能够使每一阻挡层完全覆盖其下方的缓冲层，防止水氧从缓冲层的边缘侵入OLED器件，同时在封装的过程中无需更换掩膜板，操作简单，产品的可靠性高。

附图说明

为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图中，

图1为现有的一种OLED器件的薄膜封装结构的示意图；

图2为现有的另一种OLED器件的薄膜封装结构的示意图；

图3为本发明的OLED器件的封装方法的流程图；

图4为本发明的OLED器件的封装方法的步骤3的示意图；

图5为本发明的OLED器件的封装方法的第一实施例的步骤4的示意图；

图6为本发明的OLED器件的封装方法的第二实施例的步骤4的示意图；

图7为本发明的OLED器件的封装方法的步骤5的示意图；

图8为本发明的OLED器件的封装方法的第三实施例完成步骤8后的示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。

请参阅图3，本发明提供一种OLED器件的封装方法，该方法可用于封装OLED显示装置中的OLED器件，还可用于封装OLED照明装置中的OLED器件。

所述OLED器件的封装方法包括如下步骤：

步骤1、提供一基板10，在所述基板10上形成OLED器件20。

具体地，所述基板10为TFT基板，其上设有TFT阵列层。

步骤2、提供一掩膜板30。

步骤3、请参阅图4，将掩膜板30设于基板10上方，使掩膜板30的下表面与基板10的上表面保持第一距离d1，使基板10绕其法线旋转，以掩膜板30为遮挡并以第一角度θ1为沉积角在基板10及OLED器件20上沉积无机材料，形成覆盖所述OLED器件20的第一阻挡层41。

具体地，所述无机材料为三氧化二铝(Al₂O₃)、或氮化硅(SiNx)。

具体地，所述第一角度θ1、及第一距离d1应满足使无机材料沉积后形成的第一阻挡层41能够完全覆盖所述OLED器件20，防止外界水氧侵入OLED器件20。具体地，所述第一角度θ1满足0°＜θ1＜90°。具体地，所述第一距离d1的范围为500μm～100000μm。

步骤4、请参阅图5或图6，调整掩膜板30的位置，使掩膜板30的下表面与第一阻挡层41的上表面保持第二距离d2，保持基板10绕其法线旋转，以掩膜板30为遮挡并以第二角度θ2为沉积角在第一阻挡层41上沉积有机材料，形成缓冲层42。

第一距离d1大于第二距离d2，第一角度θ1大于第二角度θ2。

具体地，所述第二角度θ2满足0°≤θ2＜90°。

可选地，请参阅图5，在本发明的第一实施例中，所述第二距离d2的范围为500μm～100000μm。

可选地，请参阅图6，在本发明的第二实施例中，所述第二距离d2为0，也即掩膜板30的下表面与第一阻挡层41的上表面贴紧不留缝隙。

需要说明的是，由于在步骤4中之中使掩膜板30的下表面与第一阻挡层41的上表面保持小于第一距离d1的第二距离d2，以掩膜板30为遮挡并以小于第一角度θ1的第二角度θ2为沉积角在第一阻挡层41上沉积有机材料形成缓冲层，可形成尺寸小于第一阻挡层41的缓冲层42，无需更换掩膜板30，操作简单，且不会引入其他不可控因素，产品的可靠性高。

步骤5、请参阅图7，调整掩膜板30的位置，使掩膜板30的下表面与第一阻挡层41的上表面保持第一距离d1，保持基板10绕其法线旋转，以掩膜板30为遮挡并以第一角度θ1为沉积角在第一阻挡层41及缓冲层42上沉积无机材料，形成覆盖所述缓冲层42的第二阻挡层43。

具体地，所述无机材料为三氧化二铝(Al₂O₃)、或氮化硅(SiNx)。

需要说明的而是，由于在步骤5中使掩膜板30的下表面与第一阻挡层41的上表面保持第一距离d1，以掩膜板30为遮挡并及第一角度θ1为沉积角在第一阻挡层41上沉积无机材料，形成的第二阻挡层43的尺寸与步骤3中形成的第一阻挡层41的尺寸相同，能完全覆盖所述缓冲层42，防止外部水氧从缓冲层42的边缘侵入OLED器件20，完成对OLED器件20的有效封装，同时无需更换掩膜板30，操作简单，且不会引入其他不可控因素，产品的可靠性高。

进一步地，还可以在步骤5完成后继续在第二阻挡层43上依次制作交叠的多层缓冲层42及第二阻挡层43，进一步提升对OLED器件20的封装效果。具体地，所述OLED器件的封装方法还包括：

步骤6、调整掩膜板30的位置，使掩膜板30的下表面与第二阻挡层43的上表面保持第二距离d2，保持基板10绕其法线旋转，以掩膜板30为遮挡并以第二角度θ2为沉积角在第二阻挡层43上沉积有机材料，形成缓冲层42；

步骤7、调整掩膜板30的位置，使掩膜板30的下表面与第二阻挡层43的上表面保持第一距离d1，保持基板10绕其法线旋转，以掩膜板30为遮挡并以第一角度θ1为沉积角在第二阻挡层43及缓冲层42上沉积无机材料，形成覆盖所述缓冲层42的另一第二阻挡层43。

步骤8、至少重复一次步骤6及步骤7，形成如图8所示的具有一层第一阻挡层41、多层缓冲层42、及多层第二阻挡层43的薄膜封装结构。

综上所述，本发明的OLED器件的封装方法，采用倾斜角沉积技术，先使掩膜板的下表面与基板的上表面保持第一距离，以掩膜板为遮挡并以第一角度为沉积角形成覆盖所述OLED器件的第一阻挡层，之后使掩膜板的下表面与第一阻挡层的上表面保持小于第一距离的第二距离，以掩膜板为遮挡并以小于第一角度的第二角度为沉积角在第一阻挡层上形成缓冲层，然后使掩膜板的下表面与第一阻挡层的上表面再次保持第一距离，以掩膜板为遮挡并再次以第一角度为沉积角在第一阻挡层及缓冲层上形成覆盖所述缓冲层的第二阻挡层，能够使每一阻挡层完全覆盖其下方的缓冲层，防止水氧从缓冲层的边缘侵入OLED器件，同时在封装的过程中无需更换掩膜板，操作简单，产品的可靠性高。

以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。