技术总结
本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种提高晶圆键合程度的方法，包括：退火处理所述氮化硅薄膜，形成一金属层，覆盖所述氮化硅薄膜表面，图形化所述金属层，以于所述氮化硅薄膜表面形成金属栅格，并于图形化所述金属层时，去除位于所述金属层被去除部分下方的所述氮化硅薄膜，以于所述金属栅格之间暴露所述氧化物层。本发明方法通过形成一氮化硅薄膜，在氮化硅薄膜经过退火处理之后，使得氮化硅薄膜中的氢离子能够充分的与硅衬底界面硅原子的悬挂键键合，减少硅衬底中悬挂键个数，提高晶圆键合程度，去除传统工艺中于金属栅格形成之前刻蚀氮化硅薄膜过程，于金属栅格制程中去除金属层被去除部分下方的氮化硅薄膜，达到简化工艺的目的。
技术研发人员：王喜龙;胡胜;邹文
受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路制造有限公司
文档号码：201611178622
技术研发日：2016.12.19
技术公布日：2017.03.22