1.一种无荧光粉的全光谱LED封装结构，包括封装基板，若干颗呈间隔放置的LED芯片通过固晶层分别贴装在封装基板上，引线的两端分别与LED芯片的上电极、封装基板上的电路固定连接，在封装基板上安装有光学透镜并且在光学透镜和LED芯片间隙之中填充灌封胶，其特征在于：封装结构不使用荧光粉，通过若干颗LED芯片直接合成白光，若干颗LED芯片为AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构黄光LED芯片、高光效垂直结构绿光LED芯片、高光效垂直结构青光LED芯片和高光效垂直结构蓝光LED芯片，AlGaInP材料体系制备的高光效垂直结构红光LED芯片和高光效垂直结构橙光LED芯片。
2.根据权利要求1所述的全光谱LED封装结构，其特征在于：所述的若干颗LED芯片由1～4颗黄光LED芯片、1～2颗绿青蓝光LED芯片和1～2颗红橙光LED芯片组成，黄光LED芯片峰值波长范围为560nm～580nm；绿青蓝光LED芯片通过外延生长具有不同In组分多量子阱，实现单LED芯片辐射绿光、蓝光和青光，绿光峰值波长范围为510nm～530nm，青光峰值波长范围为480nm～500nm，蓝光峰值波长范围为445nm～465nm；红橙光LED芯片通过外延生长具有不同Al组分多量子阱，实现单LED芯片辐射红光和橙光，红光峰值波长范围为615nm～635nm，橙光峰值波长范围为590nm～610nm；若干颗LED芯片为串联连接，单一恒电流驱动。
3.根据权利要求1所述的全光谱LED封装结构，其特征在于：所述的若干颗LED芯片由1颗红光LED芯片、1颗橙光LED芯片、1颗黄光LED芯片、1颗绿光LED芯片、1颗青光LED芯片和1颗蓝光LED芯片组成，红光LED芯片峰值波长范围为615nm～635nm，橙光LED芯片峰值波长范围为590nm～610nm，黄光LED芯片峰值波长范围为560nm～580nm，绿光LED芯片峰值波长范围为510nm～530nm，青光LED芯片峰值波长范围为480nm～500nm，蓝光LED芯片峰值波长范围为445nm～465nm；若干颗LED芯片为并联连接，多路电流驱动，各颜色LED芯片分别对应驱动。
4.根据权利要求1所述的全光谱LED封装结构，其特征在于：所述的若干颗LED芯片由1～2颗红光LED芯片、1～2颗橙光LED芯片、1～6颗黄光LED芯片、1～2颗绿光LED芯片、1颗青光LED芯片和1颗蓝光LED芯片组成，红光LED芯片峰值波长范围为615nm～635nm，橙光LED芯片峰值波长范围为590nm～610nm，黄光LED芯片峰值波长范围为560nm～580nm，绿光LED芯片峰值波长范围为510nm～530nm，青光LED芯片峰值波长范围为480nm～500nm，蓝光LED芯片峰值波长范围为445nm～465nm；若干颗LED芯片为串联连接，单一恒电流驱动。
5.根据权利要求1所述的全光谱LED封装结构，其特征在于：所述的若干颗LED芯片由1～2颗红光LED芯片、1颗橙光LED芯片、1～4颗黄光LED芯片、2颗绿光LED芯片、1颗青光LED芯片和1颗蓝光LED芯片组成，红光LED芯片峰值波长范围为615nm～635nm，橙光LED芯片峰值波长范围为590nm～610nm，黄光LED芯片峰值波长范围为560nm～580nm，绿光LED芯片峰值波长范围为510nm～530nm，青光LED芯片峰值波长范围为480nm～500nm，蓝光LED芯片峰值波长范围为445nm～465nm；若干颗LED芯片为串并联结合连接，有选择性的实现不同颜色LED芯片间的并联，采用单一恒电流驱动。
6.根据权利要求1所述的全光谱LED封装结构，其特征在于：所述的若干颗LED芯片在封装基板上以等间距圆形分布或者正多边形排列方式分布。
7.根据权利要求1所述的全光谱LED封装结构，其特征在于：在所述的封装基板表面有实现LED芯片电连接的电路，封装基板为印刷电路板、金属核印刷电路板、直接键合铜基板、低温共烧陶瓷基板、直接镀铜基板或硅基板中的一种。
8.根据权利要求1所述的全光谱LED封装结构，其特征在于：所述的光学透镜为球帽透镜、具有表面微结构阵列透镜、自由曲面透镜或内部掺杂有微米纳米散射颗粒的光学透镜中的一种，所述的光学透镜材料为硅胶、环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或玻璃中的一种。
9.根据权利要求1所述的全光谱LED封装结构，其特征在于：所述的灌封胶为硅胶、环氧树脂、掺杂有微米纳米二氧化硅或二氧化钛散射颗粒的硅胶混合物、掺杂有微米纳米二氧化硅或二氧化钛散射颗粒的环氧树脂混合物中的一种；硅胶混合物或环氧树脂混合物的微米纳米二氧化硅或二氧化钛散射颗粒的掺杂浓度范围为0.01％～0.1％。
10.一种无荧光粉的全光谱LED封装方法，其特征在于：包括以下步骤:
A、准备若干颗LED芯片：若干颗LED芯片为AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构黄光LED芯片、高光效垂直结构绿光LED芯片、高光效垂直结构青光LED芯片和高光效垂直结构蓝光LED芯片，AlGaInP材料体系制备的高光效垂直结构红光LED芯片和高光效垂直结构橙光LED芯片；
B、采用固晶工艺，通过固晶层将若干颗LED芯片分别贴装在封装基板上，实现LED芯片下电极与封装基板的电连接，若干颗LED芯片在封装基板上以等间距圆形分布或者正多边形排列方式分布；
C、采用引线键合工艺，通过引线实现LED芯片上电极和封装基板的电路的电连接；
D、提供具有表面微结构阵列透镜、自由曲面透镜或内部掺杂有微米纳米散射颗粒的光学透镜，将透镜安装在封装基板上，并在LED芯片与透镜的间隙中填充灌封胶，实现不同颜色LED芯片的混光，得到成品。