1.一种微流控芯片的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：
提供第一基板及第二基板；
在所述第一基板的第一表面形成凹槽状微通道结构；
在所述第一基板的表面及所述第二基板的表面形成热塑薄膜层；
在所述第二基板的第一表面覆盖有机粘结剂；
将所述第一基板的第一表面盖于所述第二基板的第一表面上形成一体封装结构；
对所述一体封装结构进行加热处理，直至所述有机粘结剂完全挥发。
2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一基板及所述第二基板为PMMA硬质聚合物基板。
3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一基板为厚度3mm及直径100mm的圆盘形基板。
4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第二基板为厚度1mm及直径100mm的圆盘形基板。
5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述在所述第一基板的第一表面形成凹槽状微通道结构，包括：
通过激光雕刻工艺，在所述第一基板的第一表面形成宽度600um及深度600um的Y型凹槽状微通道结构。
6.根据权利要求5所述的封装方法，其特征在于，所述在所述第一基板的第一表面形成凹槽状微通道结构，还包括：
通过激光切割工艺，在所述第一基板的Y型凹槽状微通道结构的第一入口位置及第二入口位置都形成直径为2mm的进样孔；
在所述第一基板的Y型凹槽状微通道结构的出口位置形成直径为2mm的通气孔；
在所述第一基板的Y型凹槽状微通道结构之外形成至少两个直径为2mm的定位孔；
在所述第二基板上形成与所述第一基板相对应的直径为2mm的定位孔；
其中，所述进样孔、所述通气孔及所述定位孔都为通孔。
7.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述在所述第一基板的表面及所述第二基板的表面形成热塑薄膜层，包括：
将所述第一基板及所述第二基板放置于蒸发台上，在所述第一基板的表面及所述第二基板的表面形成厚度为1um的热塑薄膜层；
其中，所述热塑薄膜层为Parylene薄膜层。
8.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述在所述第二基板的第一表面覆盖有机粘结剂，包括：
将2g片状乙烯-醋酸乙烯共聚物颗粒放入5ml的乙醇试剂内，获得5ml饱和的乙烯-醋酸乙烯共聚物乙醇溶液；
将所述乙烯-醋酸乙烯共聚物乙醇溶液覆盖至所述第二基板的第一表面。
9.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，所述将所述第一基板的第一表面盖于所述第二基板的第一表面上形成一体封装结构，包括：
将所述第一基板的第一表面盖于所述第二基板的第一表面上，且所述第一基板上的定位孔与所述第二基板上的定位孔的位置重合，直至所述第一基板与所述第二基板之间的所述乙烯-醋酸乙烯共聚物乙醇溶液内的气泡完全排除，形成一体封装结构。
10.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，所述对所述一体封装结构进行加热处理，直至所述有机粘结剂完全挥发，包括：
将所述一体封装结构放置于60℃的热板上进行加热处理，直至所述乙烯-醋酸乙烯共聚物乙醇溶液完全挥发。