扇出型封装结构的制作方法与流程

本发明涉及芯片封装技术领域，特别涉及一种扇出型封装结构的制作方法。

背景技术：

近年来，晶圆级封装结构(WLP，Wafer Level Package)凭借其较小封装尺寸与较佳电性表现的优势，广泛应用于低脚数的芯片封装中。传统的晶圆级封装结构大多采用扇入型封装，然而随着芯片信号输出接脚数目的增加，对球距要求趋于严格，扇入型封装难以满足需求，因此变化衍生出了扇出型封装。扇出型封装结构，需要在封装基板上制作出基板坝体，利用基板坝体与基板阻焊的高度差控制芯片的堆叠数量。现有的基板坝体制作过程采用干膜阻焊，缺点是基板坝体容易脱落，制作成本高。

技术实现要素：

基于此，本发明在于克服现有技术的缺陷，提供一种扇出型封装结构的制作方法，减小基板坝体脱落的可能性，同时降低制作成本。

其技术方案如下：

一种扇出型封装结构的制作方法，包括以下步骤：

提供封装基板，使用液态油墨在封装基板上进行印刷，形成基板阻焊层；

对基板阻焊层进行第一次曝光，曝光区域包括基板阻焊的设计位置区域和基板坝体的设计位置区域；

使用液态油墨在基板阻焊层上进行印刷，形成坝体阻焊层；

对坝体阻焊层进行第二次曝光，曝光区域包括基板坝体的设计位置区域；

对封装基板进行显影处理和固化处理，得到基板阻焊和基板坝体；

利用基板坝体贴装芯片。

具体地，基板阻焊层通过丝网印刷形成，坝体阻焊层通过辊涂印刷形成。

优选地，所述丝网印刷采用的丝网目数为100-200，所述辊涂印刷采用的滚轮目数为250-650。

进一步地，使用液态油墨在封装基板上进行印刷，形成基板阻焊层后，先对封装基板进行第一次预烘，再对基板阻焊层进行第一次曝光。

进一步地，使用液态油墨在封装基板上进行印刷，形成坝体阻焊层后，先对封装基板进行第二次预烘，再对基板阻焊层进行第二次曝光。

具体地，所述固化处理包括依次进行的加热固化和UV固化。

优选地，所述第一次曝光采用UV曝光机进行曝光。

优选地，所述第二次曝光采用UV曝光机进行曝光。

优选地，第一次曝光的能量为200-300兆焦耳/平方厘米，第二次曝光的能量为200-300兆焦耳/平方厘米。

下面对前述技术方案的优点或原理进行说明：

上述扇出型封装结构的制作方法，先对封装基板的基板阻焊层进行第一次曝光，曝光区域包括基板坝体的设计位置区域，为基板坝体提供支撑基础。然后对基板阻焊层上的坝体阻焊层进行第二次曝光，经显影处理和固化处理得到基板阻焊和基板坝体，最后利用基板坝体实现芯片贴装。相对于现有技术采用干膜阻焊制作基板坝体，本发明采用液态油墨印刷基板阻焊层和坝体阻焊层，并通过一次显影处理和固化处理即可同时得到基板阻焊和基板坝体，基板坝体不易脱落，制作成本低，制作效率高。

附图说明

图1为本发明实施例所述的扇出型封装结构的制作方法的流程图；

图2为本发明实施例封装基板的结构示意图；

图3为本发明实施例对封装基板进行丝网印刷后的示意图；

图4为本发明实施例对封装基板上的基板阻焊层进行第一次曝光后的示意图；

图5为本发明实施例对封装基板进行辊涂印刷后的示意图；

图6为本发明实施例对封装基板上的坝体阻焊层进行第二次曝光后的示意图；

图7为本发明实施例对封装基板进行显影处理和固化处理后的示意图。

附图标记说明：

1、封装基板，2、基板阻焊层，3、坝体阻焊层，4、基板阻焊，5、基板坝体。

具体实施方式

下面对本发明的实施例进行详细说明：

参照图1所示，本实施例所述的扇出型封装结构的制作方法，包括以下步骤：

S10：参照图2-3所示，提供封装基板1，使用液态油墨在封装基板1上进行印刷，形成基板阻焊层2；

基板阻焊层2通过丝网印刷形成，封装基板1上的孔会被液态油墨封堵。优选地，所述丝网印刷采用的丝网目数为100-200，图像边缘较光滑，精度较高。

S20：对封装基板1进行第一次预烘；

促进液态油墨中的溶剂挥发，达到干燥的目的。

S30：参照图4所示，对基板阻焊层2进行第一次曝光，曝光区域包括基板阻焊4的设计位置区域和基板坝体5的设计位置区域；

在为封装基板1制作基板阻焊4的同时，也为基板坝体5提供支撑基础。需要说明的是，基板坝体5可以以基板阻焊4为支撑基础，也可以另外设置阻焊为基板坝体5提供支撑基础。在本实施例中，基板坝体5以基板阻焊4为支撑基础。

优选地，第一次曝光采用UV曝光机进行曝光，能耗低，节省生产成本。第一次曝光的能量为200-300兆焦耳/平方厘米，得到的阻焊质量好。

S40：参照图5所示，使用液态油墨在基板阻焊层2上进行印刷，形成坝体阻焊层3；

坝体阻焊层3通过辊涂印刷形成，平整度好。优选地，所述辊涂印刷采用的滚轮目数为250-650，可根据所需基板坝体5的高度进行选择。

S50：对封装基板1进行第二次预烘；

促进液态油墨中的溶剂挥发，达到干燥的目的。

S60：参照图6所示，对坝体阻焊层3进行第二次曝光，曝光区域包括基板坝体5的设计位置区域；

第二次曝光实现基板坝体5的制作。

优选地，第二次曝光采用UV曝光机进行曝光，能耗低，节省生产成本。第二次曝光的能量为200-300兆焦耳/平方厘米，得到的阻焊质量好。

S70：参照图7所示，对封装基板1进行显影处理和固化处理，得到基板阻焊4和基板坝体5；

具体地，所述固化处理包括依次进行的加热固化和UV固化，缩短固化时间，固化效果好。

S80：利用基板坝体5贴装芯片。

上述扇出型封装结构的制作方法，先对封装基板1的基板阻焊层2进行第一次曝光，曝光区域包括基板坝体5的设计位置区域，为基板坝体5提供支撑基础。然后对基板阻焊层2上的坝体阻焊层3进行第二次曝光，经显影处理和固化处理得到基板阻焊4和基板坝体5，最后利用基板坝体5实现芯片贴装。相对于现有技术采用干膜阻焊制作基板坝体5，本实施例采用液态油墨印刷基板阻焊层2和坝体阻焊层3，并通过一次显影处理和固化处理即可同时得到基板阻焊4和基板坝体5，基板坝体5不易脱落，制作成本低，制作效率高。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。