专利名称：低成本芯片扇出结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种低成本芯片扇出结构。属于集成电路或分立器件封装技术领域。
背景技术：
近年来，随着电子封装技术的高速发展，一些的新的封装形式不断出现，特别是晶圆级封装的出现，为低成本封装提供了极佳的解决思路。但对产品生产成本和性能的追求是无限的，传统的晶圆级封装技术采用的是扇入结构(Fan-in)，这就要求芯片面积与封装面积需要保持1:1的比例，虽然缩小了封装面积，但是反过来却是增大了芯片面积，进而增加了芯片制造成本。因而，随着晶圆级封装技术的日益成熟，人们开始致力于利用小芯片完成适合配装的封装结构，简单意义上讲，就是将小芯片上的引脚通过扇出结构放大。圆片级扇入结构和扇出结构的示意图如图12和图13所示。这种扇出结构的结果是，芯片尺寸大大缩小，而最终用于装配的封装体仍然保持现有扇入结构封装体尺寸，从而节省了整个产品的成本。与此同时，利用扇出结构的工艺特点，将一些无源器件、有源芯片、特种芯片等以多芯片封装的形式，形成一个大的球栅阵列 (BGA)、栅格阵列封装(LGA)等封装结构。虽然扇出结构有着上述优势，且目前的封装形式是以圆片为单位进行，其最大的问题是封装成本较高，造成封装成本偏高的原因有如下几个方面1)使用高端的芯片到圆片倒装技术，这种技术目前无论是设备还是工艺本身，还不够成熟；2)使用圆片包封的方式形成重构圆片，同样，这种技术的设备还处于开发期间，不但昂贵，而且工艺也不够成熟；3)使用光刻、电镀等工艺，成本相对较高。
发明内容本实用新型的目的在于克服现有晶圆级扇出结构高成本工艺的不足，实现一种低成本芯片扇出结构。本实用新型的目的是这样实现的一种低成本芯片扇出结构，所述结构包括芯片， 在芯片外包封有塑封体，在芯片表面设置有再布线金属，在再布线金属表面设置有再布线金属保护膜和开口图形，在开口图形处设置有金属凸点。本实用新型的理念是采用利用基板作为临时载体，完成低成本的重构基板的制备，然后在重构基板上进行离子镀和激光开口工艺。该过程避开了圆片包封、光刻、电镀、腐蚀等诸多高成本工艺过程，实现芯片扇出结构的低成本封装。本实用新型的有益效果是本实用新型低成本芯片扇出结构，可极大程度的降低工艺难度和工艺成本，可实现低成本芯片扇出结构的规模化生产。
图广图11为本实用新型低成本芯片扇出结构各工序实施例图。图12为以往芯片扇入结构平面图。图13为以往芯片扇出结构平面图。图中附图标记载体基板2-1、临时粘结膜2-2、芯片2-3-1、芯片2_3_2、塑封体2_4、掩膜板 2-5-2、掩膜图形开口 2-5-2、再布线金属2-6、再布线金属保护膜2-7、开口图形2-7-1、金属凸点2-8 ；芯片硅基体W-I、金属电极W-2、再布线金属W-3、金属凸点W-4、芯片一 F-I、芯片二 F-2、芯片三F-3、塑封基体F-4、再布线金属F-5、金属电极F-6、金属凸点F-7。
具体实施方式
参见图广图11，图广图11为本实用新型低成本芯片扇出结构各工序实施例图。 由图广图11可以看出，本实用新型低成本芯片扇出结构，包括芯片2-3-1、2-3-2，在芯片 2-3-1、2-3-2外包封有塑封体2-4，在芯片2_3_1、2-3-2表面设置有再布线金属2_6，在再布线金属2-6表面设置有再布线金属保护膜2-7和开口图形2-7-1，在开口图形2-7-1处设置有金属凸点2-8。所述芯片为单个芯片或多个芯片，芯片类型包括无源器件和有源器件等。其封装方法包括以下工艺步骤步骤一、取载体基板2-1，如图1 ；步骤二、在载体基板2-1上预先形成对位图形，载体基板尺寸与现有的倒装机台加载能力相匹配，通常为250X80、210x70mm ；在预先形成对位图形的载体基板上贴上临时粘结膜2-2，该临时粘结膜应具备双面粘结性能，能够经受一定的工艺温度，如图2 ；步骤三、将芯片2-3-1/ 2-3-2倒装至贴有临时粘结膜的载体基板上，通过临时粘结膜固定，如图3;步骤四、将带有芯片的载体基板用塑封体2-4进行包封，形成重构基板，包封厚度以大于芯片厚度为准，多个芯片则需要以高过最高芯片高度为准，如图4;步骤五、将包封后形成的重构基板与载体基板剥离，如图5 ；步骤六、在重构基板上罩上掩膜板2-5-2，通过光刻或者激光的方式在掩膜板 2-5-2上形成掩膜图形开口 2-5-2，如图6 ；步骤七、利用离子镀的方式在形成掩膜图形开口的重构基板上形成再布线金属 2-6，如图7 ；步骤八、移除掩膜板，如图8 ；步骤九、在形成再布线金属的重构基板上印刷或者贴再布线金属保护膜2-7，如图 9 ；步骤十、在再布线金属保护膜2-7上应用激光打出开口图形2-7-1，如图10 ；步骤十一、在步骤十形成的开口图形处植球并回流，形成金属凸点2-8，如图11。所述塑封体材料为通用的带有填充料的环氧基材料。所述再布线金属为单层或多层金属。金属包括，如铜、铜合金、铝/镍/铜三层金属等。 所述再布线金属保护层为光敏或非光敏绝缘材料，如环氧树脂、苯并环丁烯树脂、 聚酰亚胺等。
权利要求1.一种低成本芯片扇出结构，其特征在于所述结构包括芯片(2-3-1、2-3-2)，在芯片(2-3-1、2-3-2)外包封有塑封体(2-4)，在芯片(2-3-1、2-3-2)表面设置有再布线金属 (2-6)，在再布线金属(2-6)表面设置有再布线金属保护膜(2-7)和开口图形(2-7-1)，在开口图形(2-7-1)处设置有金属凸点(2-8 )。
2.根据权利要求1所述的一种低成本芯片扇出结构，其特征在于所述(2-3-1、2-3-2) 为单个芯片或多个芯片，芯片类型包括无源器件和有源器件。
3.根据权利要求1所述的一种低成本芯片扇出结构，其特征在于所述塑封体材料为带有填充料的环氧基材料。
4.根据权利要求1所述的一种低成本芯片扇出结构，其特征在于所述再布线金属为单层或多层金属。
5.根据权利要求4所述的一种低成本芯片扇出结构，其特征在于所述再布线金属材料为铜、铜合金或铝/镍/铜三层金属。
6.根据权利要求1所述的一种低成本芯片扇出结构，其特征在于所述再布线金属保护层为光敏或非光敏绝缘材料。
7.根据权利要求6所述的一种低成本芯片扇出结构，其特征在于所述光敏或非光敏绝缘材料为环氧树脂、苯并环丁烯树脂或聚酰亚胺。专利摘要本实用新型涉及一种低成本芯片扇出结构，属于集成电路或分立器件封装技术领域。所述结构包括芯片(2-3-1、2-3-2)，在芯片(2-3-1、2-3-2)外包封有塑封体(2-4)，在芯片(2-3-1、2-3-2)表面设置有再布线金属(2-6)，在再布线金属(2-6)表面设置有再布线金属保护膜(2-7)和开口图形(2-7-1)，在开口图形(2-7-1)处设置有金属凸点(2-8)。本实用新型低成本芯片扇出结构，可极大程度的降低工艺难度和工艺成本，可实现低成本芯片扇出结构的规模化生产。
文档编号H01L23/48GK202003990SQ20112003388
公开日2011年10月5日 申请日期2011年1月31日 优先权日2011年1月31日
发明者张黎, 赖志明, 陈栋, 陈锦辉 申请人:江阴长电先进封装有限公司