OLED保护膜的封装结构及其封装方法与流程

本发明涉及OLED封装的技术领域，具体是涉及一种OLED保护膜的封装结构及其封装方法。

背景技术：

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)具有自发光、全固态、宽视角、响应快等诸多优点，并且在平板显示中有着巨大的应用前景，OLED被认为是继LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)、PDP(Plasma Display Panel，等离子显示板)之后的新一代平板显示产品和技术。目前OLED在显示和照明领域都已经有了广泛的应用。

在现有技术中，OLED器件的薄膜封装普遍使用的是一层无机层，一层有机层的叠层结构，其中无机层一般采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition--等离子体增强化学气相沉积法)、ALD(Atomic layer deposition--原子层沉积)、PLD(Plasma layer deposition–等离子层沉积)等技术，在无机层成膜的过程中会使用Mask(掩膜板)，如图1所示，图1是现有技术中OLED保护膜形成过程中掩膜板与玻璃基板配合结构的剖视图；受掩膜板1设计影响，掩膜板1覆盖到玻璃基板4上后，会与玻璃基板4间形成间隙(GAP)3。

请一并参阅图2，图2是现有技术中OLED保护膜形成后的局部结构示意图；当使用PECVD等方法对OLED器件2形成保护膜5时，保护膜5就会向间隙3延伸，进而会影响到对整个OLED板的切割位置以及会使OLED发光面边缘黑框加宽，对窄边框显示设计不利。注：图1中标注10为掩膜板的镂空区。

技术实现要素：

本发明实施例提供一种OLED保护膜的封装结构及其封装方法，以解决现有技术中在对OLED形成保护膜时，保护膜会向玻璃基板与掩膜板之间的间隙延伸的技术问题。

为解决上述问题，本发明实施例提供了一种OLED保护膜的封装结构，所述封装结构包括掩膜板以及设有OLED器件的玻璃基板；所述掩膜板上设有与所述OLED器件尺寸相对应的镂空区，所述掩膜板上的非镂空区与所述玻璃基板之间形成有空隙，所述玻璃基板在对应所述空隙的位置处设有凹槽，所述掩膜板在相对所述玻璃基板的一侧设有立柱，所述掩膜板与所述玻璃基板对位贴合时，所述立柱插入所述凹槽内；OLED器件上形成保护膜时，所述立柱用以对所述保护膜进行阻挡。

根据本发明一优选实施例，所述掩膜板上的立柱通过在所述掩膜板沉积无机材料层，然后经过曝光、显影、刻蚀工艺形成。

根据本发明一优选实施例，所述掩膜板上的立柱的截面为梯形；所述玻璃基板上的凹槽形状与所述立柱形状相适应。

根据本发明一优选实施例，所述玻璃基板上的凹槽沿所述OLED器件的环周设置，所述凹槽的深度为10um～20um。

根据本发明一优选实施例，所述立柱的高度小于所述OLED器件的厚度与所述玻璃基板上凹槽的深度之和，以使所述立柱插入所述凹槽配合时，所述掩膜板贴紧所述OLED器件。

为解决上述技术问题，本发明还提供一种OLED保护膜的封装方法，所述封装方法包括步骤：

在设有OLED器件的玻璃基板上形成凹槽；

在设有镂空区的掩膜板上形成立柱结构，所述镂空区的尺寸与所述OLED器件的尺寸相对应；

将所述设有凹槽的玻璃基板与所述设有立柱结构的掩膜板贴紧配合，所述立柱插入所述凹槽内，所述掩膜板贴紧所述OLED器件，所述掩膜板上的非镂空区与所述玻璃基板之间形成有空隙；

通过所述镂空区在OLED器件上形成保护膜；

其中，所述立柱用以对所述保护膜进行阻挡。

根据本发明一优选实施例，所述掩膜板上的立柱通过在所述掩膜板沉积无机材料层，然后经过曝光、显影、刻蚀工艺形成。

根据本发明一优选实施例，所述掩膜板上的立柱的截面为梯形；所述玻璃基板上的凹槽形状与所述立柱形状相适应。

根据本发明一优选实施例，所述玻璃基板上的凹槽沿所述OLED器件的环周设置，所述凹槽的深度为10um～20um。

根据本发明一优选实施例，所述立柱的高度小于所述OLED器件的厚度与所述玻璃基板上凹槽的深度之和，以使所述立柱插入所述凹槽配合时，所述掩膜板贴紧所述OLED器件。

相对于现有技术，本发明提供的OLED保护膜的封装结构及其封装方法，通过在玻璃基板和掩膜板上形成相互配合的凹槽以及立柱结构，立柱可以在OLED形成保护膜时，阻挡保护膜向玻璃基板和掩膜板之间延伸，该OLED保护膜的封装结构可以使OLED发光面边缘黑框变窄，有利于推动窄边框显示技术的发展。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术中OLED保护膜形成过程中掩膜板与玻璃基板配合结构的剖视图；

图2是现有技术中OLED保护膜形成后的局部结构示意图；

图3是本发明OLED保护膜封装结构一优选实施例中掩膜板与玻璃基板分开状态的结构示意图；

图4是图3实施例中掩膜板与玻璃基板贴紧配合状态的结构示意图；

图5是OLED保护膜的封装结构形成保护膜的结构示意图；以及

图6是本发明OLED保护膜的封装方法一优选实施例的流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本发明，但不对本发明的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本发明的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

请一并参阅图3和图4，图3是本发明OLED保护膜封装结构一优选实施例中掩膜板与玻璃基板分开状态的结构示意图，图4是图3实施例中掩膜板与玻璃基板贴紧配合状态的结构示意图。该封装结构包括掩膜板100以及玻璃基板200。

具体而言，该玻璃基板200上设有OLED器件210，掩膜板100上设有与OLED器件210尺寸相对应的镂空区110，掩膜板100上的非镂空区120与玻璃基板200之间形成有空隙300，玻璃基板200在对应空隙300的位置处设有凹槽220，掩膜板100在相对玻璃基板200的一侧设有立柱130，掩膜板100与玻璃基板200对位贴合时，立柱130插入凹槽220内。

请进一步参阅图5，图5是OLED保护膜的封装结构形成保护膜的结构示意图。OLED器件210上形成保护膜400时，掩膜板100上的立柱130用以对保护膜400进行阻挡，进而限制保护膜400向空隙300内过度延伸，保护膜400只能够延伸到立柱130位置处(图中立柱130的右侧)，这样的话，很大程度上限制了保护膜400的延伸长度及延伸位置。

优选地，该掩膜板100上的立柱130是通过在掩膜板100沉积无机材料层，然后经过曝光、显影、刻蚀工艺形成。关于形成立柱130结构过程中的曝光、显影、刻蚀等工艺在本领域技术人员的理解范围内，此处不再详述。其中，无机材料可以为SiN、或者SiO、SiON等。此处亦不再一一列举。

在本实施例中，掩膜板100上的立柱130的截面为梯形；玻璃基板200上的凹槽220形状与立柱130形状相适应。当然在其他实施例中，掩膜板100上立柱130的截面形状也可以为其他形状。

进一步优选地，玻璃基板200上的凹槽220可以沿OLED器件210的环周设置，凹槽的深度为10um～20um。玻璃基板上确定OLED器件210的位置大小等信息后，利用蚀刻技术在各OLED器件210四周的玻璃基板上面制作深度为10um～20um的倒梯形凹槽220。

进一步地，为了使立柱130插入凹槽220配合时，掩膜板100贴紧OLED器件210，设计为立柱130的高度H小于OLED器件210的厚度T与玻璃基板200上凹槽220的深度D之和。

在本实施例中可以采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition--等离子体增强化学气相沉积法)技术形成保护膜400，该保护膜400优先采用无机材料组成，譬如SiN、或者SiO、SiON等。

PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。PECVD具有的优点为：基本温度低；沉积速率快；成膜质量好，针孔较少，不易龟裂等。

相对于现有技术，本发明提供的OLED保护膜的封装结构，通过在玻璃基板和掩膜板上形成相互配合的凹槽以及立柱结构，立柱可以在OLED形成保护膜时，阻挡保护膜向玻璃基板和掩膜板之间延伸，该OLED保护膜的封装结构可以使OLED发光面边缘黑框变窄，有利于推动窄边框显示技术的发展。

进一步地，本发明实施例还提供OLED保护膜的封装方法，请参阅图6，图6是本发明OLED保护膜的封装方法一优选实施例的流程示意图，该封装方法包括但不限以下步骤。

步骤S610，在设有OLED器件的玻璃基板上形成凹槽。

在步骤步骤S610中，玻璃基板上的凹槽可以沿OLED器件的环周设置，凹槽的深度为优选为10um～20um。玻璃基板上确定OLED器件的位置大小等信息后，利用蚀刻技术在各OLED器件四周的玻璃基板上面制作深度为10um～20um的倒梯形凹槽。

步骤S620，在设有镂空区的掩膜板上形成立柱结构。

在该步骤中，镂空区的尺寸与OLED器件的尺寸相对应。掩膜板上的立柱的截面为梯形；玻璃基板上的凹槽形状与立柱形状相适应，也为梯形。当然在其他实施例中，掩膜板上立柱的截面形状也可以为其他形状，只要其与凹槽形状相适应配合即可。

该掩膜板上的立柱是通过在掩膜板沉积无机材料层，然后经过曝光、显影、刻蚀工艺形成。关于形成立柱结构过程中的曝光、显影、刻蚀等工艺在本领域技术人员的理解范围内，此处不再详述。其中，无机材料可以为SiN、或者SiO、SiON等。此处亦不再一一列举。

需要说明的是，本实施例中步骤S610与步骤S620的顺序可以对调，即在玻璃基板上形成凹槽与在掩膜板上形成立柱结构的步骤不分先后，哪一步骤在先均可。

步骤S630，将设有凹槽的玻璃基板与设有立柱结构的掩膜板贴紧配合；此时，立柱插入凹槽内，掩膜板贴紧OLED器件，掩膜板上的非镂空区与玻璃基板之间形成有空隙。

进一步地，为了使立柱插入凹槽配合时，掩膜板贴紧OLED器件，设计为立柱的高度H小于OLED器件的厚度T与玻璃基板上凹槽的深度D之和。详见图3。

步骤S640，通过镂空区在OLED器件上形成保护膜。

在步骤S640中，立柱用以对保护膜进行阻挡。具体请参阅图5，图5是OLED保护膜的封装结构在形成保护膜的结构示意图。OLED器件上形成保护膜时，立柱限制了保护膜向空隙内过度延伸，保护膜只能够延伸到立柱位置处(图中立柱的右侧)，这样的话，很大程度上限制了保护膜的延伸长度及延伸位置。

在该步骤中可以采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition--等离子体增强化学气相沉积法)技术形成保护膜，该保护膜优先采用无机材料组成，譬如SiN、或者SiO、SiON等。

PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。PECVD具有的优点为：基本温度低；沉积速率快；成膜质量好，针孔较少，不易龟裂等。

相对于现有技术，本发明提供的OLED保护膜的封装方法，通过在玻璃基板和掩膜板上形成相互配合的凹槽以及立柱结构，立柱可以在OLED形成保护膜时，阻挡保护膜向玻璃基板和掩膜板之间延伸，该OLED保护膜的封装结构可以使OLED发光面边缘黑框变窄，有利于推动窄边框显示技术的发展。

以上所述仅为本发明的部分实施例，并非因此限制本发明的保护范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效装置或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。