1.一种氮化镓系发光二极管结构，其特征在于：包括管壳(1)，连接于管壳(1)底端的陶瓷管座(2)，设置于管壳(1)内的晶片(4)和两根引线(3)；两根引线(3)的上部穿过陶瓷管座(2)伸入到管壳(1)内且两根引线(3)的顶端与均与晶片(4)电连接；所述的晶片(4)包括有从下至上依次设置的碳化硅衬底(5)、氮化镓缓冲层(6)、n型氮化镓接触层(7)、氮化镓活性发光层(8)、低温p型氮化镓层(9)、高温p型氮化镓接触层(10)和电子阻挡层(11)。
2.根据权利要求1所述的一种氮化镓系发光二极管结构，其特征在于：所述的氮化镓活性发光层(8)的上表面上且位于低温p型氮化镓层(9)的侧方设置有n型电极层(12)。
3.根据权利要求1所述的一种氮化镓系发光二极管结构，其特征在于：所述的电子阻挡层(11)的上表面上设置有p型电极层(13)。
4.根据权利要求1所述的一种氮化镓系发光二极管结构，其特征在于：所述的低温p型氮化镓层(9)的厚度为5 ～ 300 纳米。