一种具有减反射能力的单晶硅片的制作方法

本实用新型涉及光伏发电技术领域，具体为一种具有减反射能力的单晶硅片。

背景技术：

随着能源危机的日益凸显，开发利用新能源成为当今能源领域研究的主要课题，由于太阳能具有无污染、无地域性限制、取之不竭等优点，研究太阳能发电成为开发利用新能源的主要方向，晶体硅太阳能电池，即由晶体硅片制备的太阳能电池是当今太阳能电池行业的主流产品，目前太阳能电池的市场中，晶体硅太阳能电池占据90%以上的份额，而在晶体硅太阳能电池中，单晶硅占据主导地位，冶金法提纯单晶硅的工艺因具有提纯技术产能大、生产工艺简单、提纯工艺不涉及化学过程、与环境友好等优点，采用冶金法提纯的单晶硅太阳电池材料最有可能取代改良西门子法生产的高纯硅太阳电池材料，它有着巨大的市场潜力和发展空间，目前，国际、国内用冶金法提纯单晶硅及制作高效太阳能电池技术，因此，提出了一种具有减反射能力的单晶硅片。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种具有减反射能力的单晶硅片，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种具有减反射能力的单晶硅片，包括本体，所述本体外侧设有防腐蚀结构层，所述本体上表面设有粗栅线与细栅线，且粗栅线与细栅线之间相互垂直，所述本体包括P型单晶硅片和N型单晶硅片，所述P型单晶硅片上侧设有吸光结构层，所述吸光结构层上方设有双层氮化硅减反射层，所述双层氮化硅减反射层的上表面设有刻蚀绒面结构层，所述P型单晶硅片两侧均安装有上电极，所述P型单晶硅片与N型单晶硅片之间设有导通区，所述N型单晶硅片两侧均安装有下电极。

优选的，所述P型单晶硅片的上表面呈波浪形。

优选的，所述本体的四角均呈弧形。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该具有减反射能力的单晶硅片通过本体表面呈波浪形状，从而增大了吸光面积，双层氮化硅减反射层与刻蚀绒面结构层减少了光能的反射，使得光能在本体上循环折射，增加了光能的利用率，且防止了单晶硅片被腐蚀，增加了使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型剖视结构示意图。

图中：1本体、11细栅线、12粗栅线、13防腐蚀结构层、2 P型单晶硅片、21吸光结构层、22双层氮化硅减反射层、23刻蚀绒面结构层、3 N型单晶硅片、4导通区、5上电极、6下电极。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-2，本实用新型提供一种技术方案：一种具有减反射能力的单晶硅片，包括本体1，所述本体1外侧设有防腐蚀结构层13，所述本体1上表面设有粗栅线12与细栅线11，且粗栅线12与细栅线11之间相互垂直，所述本体1包括P型单晶硅片2和N型单晶硅片3，所述P型单晶硅片2上侧设有吸光结构层21，所述吸光结构层21上方设有双层氮化硅减反射层22，所述双层氮化硅减反射层22的上表面设有刻蚀绒面结构层23，所述P型单晶硅片2两侧均安装有上电极5，所述P型单晶硅片2与N型单晶硅片3之间设有导通区4，所述N型单晶硅片3两侧均安装有下电极6，所述P型单晶硅片2的上表面呈波浪形，所述本体1的四角均呈弧形。

工作原理：工作时，通过粗栅线12与细栅线11对本体1进行隔离，通过上电极5与下电级6实现多个本体1之间的连接，通过设在P型单晶硅片2上的吸光结构层21，增大了本体1对光能的吸收，双层氮化硅减反射层22与刻蚀绒面结构层23减少了光能的反射，使得光能在本体1上循环折射，增加了光能的利用率。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。