1.一种含新型隧穿结的晶格失配太阳能电池，其特征在于：以Ge单晶为衬底，在该衬底上表面自下而上依次生长有GaInP成核层、GaInAs缓冲层、晶格渐变缓冲层、第一新型隧穿结、GaInAs子电池、第二新型隧穿结和GaInP子电池；所述第一新型隧穿结和第二新型隧穿结均包括一层p型Ga1-yInyNxAs1-x层和一层n型Ga1-zInzAs层，该两层的晶格常数分别与其相邻半导体层材料一致或失配度小于3％，每层的厚度均在5到100nm范围内。
2.根据权利要求1所述的一种含新型隧穿结的晶格失配太阳能电池，其特征在于：所述p型Ga1-yInyNxAs1-x层的光学带隙为0.85～1.4eV。
3.根据权利要求1所述的一种含新型隧穿结的晶格失配太阳能电池，其特征在于：所述n型Ga1-zInzAs层的光学带隙为小于或等于1.42eV。
4.根据权利要求1所述的一种含新型隧穿结的晶格失配太阳能电池，其特征在于：所述GaInP成核层晶格与衬底匹配，为n型掺杂，厚度为5～50nm。
5.根据权利要求1所述的一种含新型隧穿结的晶格失配太阳能电池，其特征在于：所述GaInAs缓冲层晶格与衬底匹配，为n型掺杂，厚度为300～2000nm。
6.根据权利要求1所述的一种含新型隧穿结的晶格失配太阳能电池，其特征在于：所述晶格渐变缓冲层是由若干晶格逐渐增大的GaInAs层组成的，其底层与衬底晶格匹配或大于衬底晶格，其顶层晶格与第一新型隧穿结的n型层匹配或失配度小于3％，其自底层到顶层的渐变方式有线性连续渐变、非线性连续渐变、线性阶梯渐变、非线性阶梯渐变，其厚度为500～3000nm。
7.根据权利要求1所述的一种含新型隧穿结的晶格失配太阳能电池，其特征在于：所述GaInAs子电池光学带隙为1.2～1.35eV，电池总厚度为1000～3000nm。
8.根据权利要求1所述的一种含新型隧穿结的晶格失配太阳能电池，其特征在于：所述GaInP子电池光学带隙为1.7～1.9eV，电池总厚度为600～1500nm。