技术总结
本实用新型公开了一种含新型隧穿结的晶格失配太阳能电池，以Ge单晶为衬底，在该衬底上表面自下而上依次生长有GaInP成核层、GaInAs缓冲层、晶格渐变缓冲层、第一新型隧穿结、GaInAs子电池、第二新型隧穿结和GaInP子电池；所述第一新型隧穿结和第二新型隧穿结均包括一层p型Ga1‑yInyNxAs1‑x层和一层n型Ga1‑zInzAs层，该两层的晶格常数分别与其相邻半导体层材料一致或失配度小于3％，每层的厚度均在5到100nm范围内。本实用新型采用的新型隧穿结不仅具有比普通隧穿结更优的高电导、强透光性，更重要的作为一种刚性材料可以过滤大量穿透位错和失配位错，降低非辐射复合，提高少子寿命，从而提高光电转换效率。
技术研发人员：刘雪珍;周文远;吴波;刘建庆;张小宾;杨翠柏
受保护的技术使用者：中山德华芯片技术有限公司
文档号码：201620752007
技术研发日：2016.07.14
技术公布日：2017.03.15