1.一种MOS晶体管，包括衬底(4)、栅极(2)、源极(1)和漏极(3)，所述栅极(2)位于所述源极(1)与漏极(3)之间的衬底表面上，其特征在于，所述MOS晶体管还包括掺杂区(5)，所述掺杂区(5)位于所述源极(1)与所述漏极(3)之间的衬底(4)内，所述掺杂区(5)与所述栅极(2)的界面为衬底表面，所述掺杂区(5)的位置相比于所述源极(1)和所述漏极(3)更靠近所述源极(1)与所述漏极(3)之间的中间位置，所述掺杂区(5)的宽度小于所述源极(1)与所述漏极(3)之间的沟道长度。
2.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述掺杂区(5)的宽度在所述沟道长度的五分之一与十分之一之间。
3.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述掺杂区(5)的深度大于所述源极(1)和所述漏极(3)的深度。
4.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述掺杂区(5)位于所述源极(1)与所述漏极(3)之间的中间位置。
5.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述衬底(4)为硅。
6.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述MOS晶体管为PMOS晶体管，所述掺杂区(5)为N型掺杂区。
7.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述MOS晶体管为NMOS晶体管，所述掺杂区(5)为P型掺杂区。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的MOS晶体管，其特征在于，所述MOS晶体管为增强型MOS晶体管。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的MOS晶体管，其特征在于，所述MOS晶体管为耗尽型MOS晶体管。