MOS晶体管的制作方法

技术总结
本实用新型涉及半导体器件，公开了一种MOS晶体管。在本实用新型的MOS晶体管中，在源极与漏极之间的栅极下方的特定位置设置一掺杂区，固定了掺杂位置之后，MOS晶体管性能不再出现沟道区随机掺杂时所带来的波动性，使得MOS晶体管的性能更加稳定并且降低了MOS晶体管的关态漏电流。

技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：鸿之微科技（上海）有限公司
文档号码：201621023609
技术研发日：2016.08.31
技术公布日：2017.03.08