螺旋磁电极封装全能脉冲MOA压敏电阻器的制作方法

本实用新型公开一种压敏电阻器，特别是一种螺旋磁电极封装全能脉冲MOA压敏电阻器，其包含电子电路、脉动电流、无源电子组件、封装技术、MOV压敏电阻过压保护与防护技术、MOA霹雷器防雷技术等技术领域。

背景技术：

目前电子产品中所用的元器件-分立式(引线插件)无源组件：电阻电容等都是采用“L”形状的金属引线接线方式连接到组件本芯片用以传输电路中工作的电流和能量来发挥组件其芯片本身电性能参数的作用以达到产品设计目的，尤其是这些引线插件式的无源组件中的金属氧化锌压敏电阻(以下简称MOV)，在电路中担负着对电路中出现的过电压大电流高能量的脉动电流冲击波起到降压保护泄放电流，承受能量保护其电路后面的芯片元气件不被损伤起关键作用。在MOV行业制造厂家多年都是以“直来直去”金属引线的连接芯片来制造产品，普通压敏电阻用一条直导线从压敏电阻表面将电流导入和引出，这种方式会导致压敏的表面电流都在引线位置集中，造成局部电流密度过大的现象。压敏电阻未导通前，其作用相当于一个电容，交变电流漫流在陶瓷芯片与覆银层界面上；电流密度的大小，以中间靠近引线处最大，它不仅造成芯片上漫流方向的温度梯度，引发因热膨胀量不同产生径向或环向裂纹；而且还导致电流密度最大的中间部位表面晶界首先势垒降低或受损，这降低了压敏器件对冲击电流的耐受性。在电涌冲击下，压敏器件导通，由于趋肤效应的影响，电流会集中在芯片的周边通过陶瓷晶体。电流通过阀片的实际截面积变小，电流所遇阻值变大，降在阀片上的电压增加，能量消耗也随着增加，阀片升温加快，这时压敏的损伤点就多发生在电流通过比较集中的阀片周边部位。

技术实现要素：

针对上述提到的现有技术中的压敏电阻器引脚都是呈“L”形设计的缺点，本实用新型提供一种新的螺旋磁电极封装全能脉冲MOA压敏电阻器，其采用螺旋线形电极，解决L形电极带来的各种问题。

本实用新型解决其技术问题采用的技术方案是：一种螺旋磁电极封装全能脉冲MOA压敏电阻器，压敏电阻器包括芯片本体和螺旋线形电极，芯片本体两侧设有涂银层，螺旋线形电极固定设置在芯片本体两侧得涂银层上。

本实用新型解决其技术问题采用的技术方案进一步还包括：

所述的螺旋线形电极采用焊接的方式设置在涂银层上。

所述的螺旋线形电极在芯片本体内埋置。

所述的螺旋线形电极的引出端头设置在芯片本体边沿位置处或芯片本体的中心位置处，或设置在螺旋线形电极中的任意位置。

所述的螺旋线形电极采用平面等角螺旋线、平面等速螺旋线或无断开端头的双螺旋线。

所述的芯片本体两侧的螺旋线形电极朝向同一方向旋转，或者朝向不同方向旋转。

所述的螺旋线形电极采用空心金属螺旋线或者采用扁平金属螺旋引线。

本实用新型的有益效果是：螺旋式压敏电阻器其表现出来的电性能远比传统压敏电阻可以使用在不同的分类应用中适用范围更宽广，实现了对不同脉冲电压的适用与防护，即全能脉冲的适用使产品的生产线生产相对简单化高效化起来。

磁极螺旋式MOV脉动处理器与稀土材料分别制作的压敏电阻一起同比，传统的同规格ZnO压敏电阻在整体电性能上，磁极螺旋式MOV脉动处理器是高出传统3～4倍，稀土也高出传统4～5倍，这也是磁极螺旋式MOV脉动处理器可替代昂贵的稀土材料制成的稀土压敏电阻地方。

下面将结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步说明。

附图说明

图1为本实用新型立体结构示意图。

图2为本实用新型导通时芯片体表电流分布示意图。

图3为现有技术中的压敏电阻导通时芯片体表电流分布示意图。

图4为本实用新型导通时芯片体内电流分布示意图。

图5为现有技术中的压敏电阻导通时芯片体内电流分布示意图。

图6为现有技术中的直线L式MOV电流导通路径与长度比较图。

图7为本实用新型中的螺旋形电极为梅花形电极的示意图。

图中，1-芯片本体，2-涂银层，3-螺旋线形电极，4-电子分布。

具体实施方式

本实施例为本实用新型优选实施方式，其它凡其原理和基本结构与本实施例相同或近似的，均在本实用新型保护范围之内。

请参看附图1，本实用新型中的螺旋磁电极封装全能脉冲MOA压敏电阻器主要包括芯片本体1和螺旋线形电极3，螺旋线形电极3固定设置在芯片本体1两侧，本实施例中，在芯片本体1两侧设有涂银层2，螺旋线形电极3固定设置在涂银层2上，本实施例中，螺旋线形电极3采用焊接的方式设置在涂银层2上，具体实施时，螺旋线形电极3也可以在芯片本体1内埋置。

本实施例中，螺旋线形电极3的引出端头设置在芯片本体1的中心位置处。

螺旋线形电极3的设置方式包括但不限于如下几种：

实施例一：本实施例中，螺旋线形电极3采用平面等角螺旋线；

实施例二：本实施例中，螺旋线形电极3采用平面等速螺旋线；

实施例三：本实施例中，螺旋线形电极3采用无断开端头的双螺旋线。

本实用新型中，设置在芯片本体1两侧的螺旋线形电极3朝向同一方向旋转，或者朝向不同方向旋转。本实施例中，螺旋线形电极3采用空心金属螺旋线或者采用扁平金属螺旋引线。本实施例中，螺旋线形电极3的引出端设置在芯片本体1边沿位置处，具体实施时，也可以将螺旋线形电极3的引出端设置在芯片本体1的中心位置，或者螺旋线形电极3中的任意位置。

请参看附图2至附图5，由图中可以看到导通时芯片体表及体内的电流分布可克服集肤效应。请参看附图6和附图7，通过直线L式MOV与螺旋式MOV的电流导通路径与长度比较可知，显然螺旋式MOV路径长度L’N>>直线L式MOV的路径长度L’N的长度，在实际的组件尺寸中，半径R>>厚度H，这也是螺旋式MOV在冲击实验8/20us和工频升压实验中优异表现的原因之一。

如图7所示，其螺旋电极采用梅花型结构，同样为三瓣弧线形电极段组成梅花型结构。

螺旋式压敏电阻器其表现出来的电性能远比传统压敏电阻可以使用在不同的分类应用中适用范围更宽广，实现了对不同脉冲电压的适用与防护，即全能脉冲的适用使产品的生产线生产相对简单化高效化起来。