一种陶瓷芯片植入装置的制作方法

本实用新型涉及陶瓷元器件植入/导入装置领域，尤其涉及一种陶瓷芯片植入装置。

背景技术：

MLCC（Multi-layer Ceramic Chip Capacitors，片式多层陶瓷电容器）等陶瓷元器件在经过沾银或涂覆导电外浆之前，必须对陶瓷元器件半成品进行植入（或导入），并对整个器件端面进行整平，才可完成陶瓷芯片的端头外电极浆料的涂覆。

相对传统MLCC制造工艺而言，陶瓷芯片的工装承载或夹持方式往往决定着MLCC整个封端制程的工艺性能。然而由于0201/0105型陶瓷芯片的超微型化、振动过程极易产生静电的特性，且硅胶板超厚、JIG板以及薄胶板等传统工装易变形的缺陷，已不能适用于0201/0105型（超微型）陶瓷芯片的端头外电极封端制作，因此不锈钢SUS板封端工艺应运而生。

尤其指出的是，不锈钢SUS板封端工艺关键技术要点在于如何将超微型陶瓷芯片有效植入。对于0201/0105型陶瓷芯片整个植入（或导入）制程而言，植入部结构设计、工装表面处理方式及植入部安装方式，都对陶瓷元器件的植入效率有着不可忽视的作用。

然而，植入部原始结构设计的缺陷、传统粗糙的工装表面加工方式以及植入部的安装调整方式的不规范，都导致了连续生产过程中芯片植入效率降低，且芯片极易在振动过程中被压碎，对陶瓷元器件产品质量造成不良影响。与此同时，原始设计的结构布局极易发生漏料，不能有效避免且极难对其漏料进行回收处理，漏料导致植入部关键工装部位产生变形，导致植入效率不高，最终形成“漏料——变形——植入率不高”的恶性循环。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现要素：

鉴于上述现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种陶瓷芯片植入装置，旨在解决现有的植入方式植入效率低、容易造成产品不良等问题。

本实用新型的技术方案如下：

一种陶瓷芯片植入装置，其中，包括真空植晶台、设置于所述真空植晶台底部的电磁振动机、设置于所述真空植晶台顶部的不锈钢板及设置于真空植晶台上方并用于放置陶瓷芯片的引导板，所述不锈钢板上设置有多个孔位，在所述引导板上设置有与所述孔位匹配的通孔，所述真空植晶台连接有用于驱动所述真空植晶台前后摆动的马达；所述引导板的底部设置有残料清除装置；所述引导板的表面具有用于消除静电的粗糙结构。

所述的陶瓷芯片植入装置，其中，所述真空植晶台内部中空设置，且所述真空植晶台的侧边外接用于吸真空的真空气管。

所述的陶瓷芯片植入装置，其中，所述真空植晶台的侧边安装有定位感应器。

所述的陶瓷芯片植入装置，其中，所述引导板由引导片及设置于所述引导片两侧的引导框组成。

所述的陶瓷芯片植入装置，其中，所述引导框材质为铝，所述引导片材质为304不锈钢。

所述的陶瓷芯片植入装置，其中，所述粗糙结构由多个半球形凹坑构成。

所述的陶瓷芯片植入装置，其中，所述引导片与引导框通过胶水粘接。

所述的陶瓷芯片植入装置，其中，所述引导框的前端和末端内部均设置有20°~30°斜面。

所述的陶瓷芯片植入装置，其中，所述引导板上方设置有下压气缸，所述下压气缸的下端设置有用于调整引导板高度的压紧螺柱。

所述的陶瓷芯片植入装置，其中，所述真空植晶台侧边设置有限位感应器。

有益效果：本实用新型增加振动行程及表面消静电处理，提高了陶瓷芯片的植入率；同时加装残料清除装置清除板上残余芯片，确保引导板与SUS板的准确对位，提高了连续作业的植入效率。

附图说明

图1为本实用新型一种陶瓷芯片植入装置较佳实施例的结构示意图。

具体实施方式

本实用新型提供一种陶瓷芯片植入装置，为使本实用新型的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本实用新型进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

请参阅图1，图1为本实用新型一种陶瓷芯片植入装置较佳实施例的结构示意图，其包括真空植晶台4、设置于所述真空植晶台4底部的电磁振动机5、设置于所述真空植晶台4顶部的不锈钢板2（该不锈钢板2可通过胶带3贴附在真空植晶台4上）及设置于真空植晶台4上方的引导板1，所述不锈钢板2上设置有多个孔位，在所述引导板1上设置有与所述孔位匹配的通孔；所述真空植晶台4连接有用于驱动所述真空植晶台4前后摆动的马达。

具体来说，在真空植晶台4底部的电磁振动机5（也可以是其他类型的振动机），通过端子接线绕组的通电提供上下振动力，传到上方的引导板1，所述引导板1上方设置有下压气缸，所述下压气缸的下端设置有用于调整引导板1高度的压紧螺柱。所述引导板1内部由下压气缸下端的压紧螺柱对引导板1锁定。所述压紧螺柱采用硬质合金制成，压紧螺柱末端采用硬化处理；所述压紧螺柱采用标准扭力扳手进行锁紧，锁紧力度不可超限。

其中，所述真空植晶台4内部中空设置，且所述真空植晶台4的侧边外接用于吸真空的真空气管，所述真空植晶台4经表面光亮处理；此外，真空植晶台4侧端安装有定位感应器，用于检测不锈钢板2有无放置到位。

所述引导板1由引导片及设置于所述引导片两侧的引导框组成，所述引导框和引导片采用胶水（金属胶水）粘结紧密贴合，且对位处符合装配尺寸要求。所述引导框材质为铝（也可采用其他不带磁性金属材料），所述引导片材质为304不锈钢。所述引导框的前端和末端内部均设置有20°~30°斜面，以便于陶瓷芯片下料不受阻。在引导板1内部的料槽部位还可增加斜面结构。

进一步，所述引导片的表面具有用于消除静电的粗糙结构。该粗糙结构是设置在与（超微型）陶瓷芯片6的接触面（正面），即该接触面经过二次蚀刻处理。所述粗糙结构优选由多个半球形凹坑构成。具体地，在有孔区域（即设置通孔的位置）加工出多个半径为R₀的半球形凹坑，无孔区域（未设置通孔的位置）加工出多个半径为R₀的半球形凹坑，且无孔区域的半球形凹坑之间具有1/2的部分叠加；该引导片的反面进行酸化处理，使经过原始加工后的引导板表面由亮面形成雾化状，使之不能进行有效反光。通过此种表面结构，可直接消除陶瓷芯片6因静电吸附而导致粘料的影响，提升入料率，避免粘料产生的洒落，提高了植入效率，同时降低了陶瓷芯片的废耗。

进一步，所述引导板1的底部设置有残料清除装置7。该残料清除装置中设置有抽气泵以及与所述抽气泵连接的管道，所述管道朝向所述引导板1以及不锈钢板2设置，通过管道内压缩空气高速运动清除引导板1及不锈钢板2上残留的陶瓷芯片6，从而避免残留的粘附产品对不锈钢板2及引导板1连续作业过程中产生压迫损伤。当然，上述方案为通过压缩空气蒸主动清除，还可以通过真空吸附的方式来吸附残留的陶瓷芯片。该残料清除装置7也可采用除油吸水过滤器等类似装置来实现清除残留的陶瓷芯片。

所述引导板1、真空植晶台4以及不锈钢板2的对位由水平方向的对位气缸进行对位，所述对位气缸末端装有夹紧块，对位时确保引导板1及不锈钢板2同轴外径圆孔误差处于标准可控范围内。

进一步，在所述真空植晶台4侧边增加限位感应器，以增加设置水平停留行程。具体实施方式为：不锈钢板2、引导板1及真空植晶台4对位→电磁振动机5启动植入行程振动→真空植晶台4前倾15-20°，使陶瓷芯片6入料→真空植晶台4水平停留，进行植入→真空植晶台4后倾15-20°，使陶瓷芯片6回料→真空植晶台4水平停留，再次进行植入→真空植晶台4再次前倾15-20°，使陶瓷芯片6植入→真空植晶台4后倾45-50°，使陶瓷芯片6收料到料盒→复位。增加水平停留行程的限位设定，可直接增加陶瓷芯片6在引导板1内部的有效振动时间，同时通过调整电磁振动机5的电压及振幅的匹配，有效提升单板陶瓷芯片植入数量，提高了陶瓷芯片植入率。

对于引导板1铅直方向、水平方向的对位调整，铅直方向主要为真空植晶台4与引导板1的贴合紧密程度，而水平方向主要为不锈钢板2受真空植晶台4真空吸附后与引导板1的通孔同心对位偏移量。铅直方向的贴合紧密程度通过引导板1上部的下压气缸末端的压紧螺柱调整，必须采用扭力扳手对其进行锁定，扭力矩设定值不大于0.3kgf·cm。水平方向的对位偏移量采用30倍刻度显微镜检查调整，圆孔外径偏移量10μm以内。

完成以上的结构优化设计后，植入装置中引导板的安装调试务必准确到位，才可确保单板植入率及连续植入效率。

应当理解的是，本实用新型的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。