本申请要求于2015年6月3日提交的第de102015006873.3号德国专利申请的权益，该德国专利申请的内容通过引用并入本文。动机：微纳电子器件、光学器件和等离子体器件是迅速发展的领域，并且提供当前信息技术的基础。然而，这些技术面临七个关键问题：随着数据处理量和数据传输量的不断增加，计算和数据处理的能量消耗不断增加，现在已经达到电能生产总量的相当大的百分比(在工业国家中约为10％)。迫切需要为每个逻辑操作降低能量消耗。降至达到单个原子和分子级别的微型化的较小型设备将允许显著降低能量消耗。由于能量消耗通常随着操作电压的平方而增加，因此期望超低电压的操作。硅基微纳电子器件由于基于半导体的微米电子器件的半导电间隙而面临低电压操作的限制。微纳电子器件与纳米光学器件以及纳米等离子体器件的耦合提出了这样的问题，即微纳电子器件通常基于硅半导体技术和纳米光学器件以及特别是涉及金属的等离子体器件。将期望公共的材料平台，例如用全金属设备实现晶体管和电子逻辑门的功能。应该进一步增加数据传输速率特别是数据处理速率，以应对日益增长的数据处理需求。电气数据处理速率正在达到技术限制，数据处理速率(每秒的逻辑操作)的增加通常只有以为每个逻辑操作消耗更高的能量为代价来实现。拥有在纳米尺度甚至在原子尺度和分子尺度上的纳米光学设备和纳米等离子体设备将是非常令人期望的。不幸地，光的波长具有500nm的数量级，到目前为止阻止了达到这个期望的长度尺度。因此，不幸地，虽然纳米电子器件可以是小的并且光子器件和等离子体器件可以是快速的，但没有达到纳米电子器件的长度尺度。量子级别上的电子器件和光子器件/等离子体器件将是非常令人期望的，其中量子化状态通过物理和量子力学的基本定律来提供，从而允许具有量子级别的逻辑操作不是由设备的制造商而是由量子力学的定律精确地限定的。到目前为止，这种设备通常在非常低的温度下操作，优选地，在毫开尔文温度范围内操作。然而，对于实际使用，量子设备在室温下操作将是令人期望的。最重要的是，仍然缺少并且需要将纳米电子和纳米光学或纳米等离子体功能结合在同一个设备中且处于相同的长度尺度(理想地处于纳米尺度甚至原子尺度)的设备。通过公开的发明解决的问题：以上描述的信息处理技术的这些关键问题通过本文公开的发明而被处理和解决。利用以下描述的原子尺度等离子体晶体管和原子尺度光子晶体管(包括单原子等离子体晶体管和单分子等离子体晶体管的情况)，有可能将纳米电子器件以及纳米光子器件和纳米等离子体器件结合在同一个设备中，以实现每个逻辑操作的超低能量消耗及降至毫伏范围的超低操作电压，并且通过完全且仅使用丰富可用的、环境友好的和无毒的材料来将纳米电子器件以及纳米光子器件和纳米等离子体器件结合在同一个材料平台内。
背景技术：
：：：在文献[1-21]中描述了使用由施加到独立的第三栅电极的电压进行控制的可切换金属结点(junction)而能够在原子尺度进行切换的设备。使用结点中的可移动金属原子，此设备可以降至单原子级别进行操作。然而，此设备没有利用结点的光子性质或等离子体性质，并且没有使用半导体、有机物、电介质甚至分子功能(例如，在具有电性质、光学性质或机械性质甚至致动器性质的接触区域或间隙区域中的分子)的存在。与此同时，令人印象深刻的是，近年来不同团队在文献中示出：纳米尺度实体(特别是金属纳米尺度实体)的等离子体性质和光学性质可以通过改变这些实体的邻域(例如，通过使第二金属纳米粒子接近存在的一个金属纳米粒子)而显著地改变。当在非常接近的点处执行纳米尺度上的距离改变时，观察到这种纳米尺度实体的等离子体性质和光学性质的显著变化，并且关于不同的金属纳米尺度实体的等离子体模式的耦合的理解取得巨大的进展[22-24]，其中不同的金属纳米尺度实体在纳米尺度上最接近甚至最接近连接该两个实体的直接机械接触的点。然而，到目前为止，没有出现通过接触几何结构的受控和可再现的外部诱导切换来允许这种在纳米尺度上的实体的等离子体性质和光学性质的受控切换的设备——原子尺度等离子体晶体管。本发明的描述公开的发明的目的正是这样的设备——原子尺度等离子体晶体管，其基本上是以下组合：用外部施加的栅电极电压控制纳米尺度或原子尺度或分子尺度上的两个优选金属实体之间的接触的开关；以及设备的物理和另外隐含逻辑状态的光学或等离子体读出。在本文公开的这种情况下，通过结点内由电信号控制的单个原子或原子组或原子簇或小的纳米尺度或微米尺度实体的重新定位引起的两个实体之间的原子尺度耦合的改变来确定光学读出信号。通过重新定位源电极与漏电极之间的间隙或空腔内的单个原子或单个分子、原子组或分子组或原子簇或分子簇，两个金属被短路或明显地分离，并且因此，等离子体性质(特别是等离子体共振)在其频率、振幅和阻尼方面发生改变。原子尺度等离子体晶体管可以基于参考文献18-22中描述的原子尺度晶体管的单原子晶体管来实现：原子尺度量子电导开关允许通过原子尺度结点内的单个银原子的受控和可重现的重新配置来断开(open)和闭合(close)电路[18-22]。开关的唯一可移动部分是接触原子。通过银原子的电化学沉积制造的设备由施加到独立的第三栅电极的外部电压完全控制。在表现出g0＝2e2/h(≈1/12.9kω)或此值的可预选倍数的电导的量子化、导电的“导通状态”与绝缘“断开状态”之间执行呈有利配置的受控切换。在室温下可重复工作的设备代表原子晶体管或中继器，从而为原子尺度上的量子电子器件和逻辑器件的新兴领域开启吸引人的前景。如果此设备与光学读出装置(read-out)结合，切换行为可以由所描述的栅电压引起，但是对开关的状态的检测可以通过光学读出装置执行，即通过检测具有接触原子或分子的区域中的光学性质或等离子体性质的变化。这需要将光耦合地输出(并且在优选配置中还将光耦合地输入)到切换发生的区域中——术语“切换”意指源电极与漏电极之间的间隙中的一个或多个原子或一个或多个分子(所谓的“接触簇”或“簇”)的几何布置或性质的局部变化，该局部变化由施加到栅电极的电压变化或电压脉冲引起。呈有利配置的电压脉冲的持续时间通常在皮秒和毫秒之间的范围内。电压脉冲的高度优选地在0.1毫伏和几伏之间。接触簇的尺寸优选地在一个单原子或分子和几微米之间的范围内。切换还可以替代地通过局部电场或磁场的变化或者局部电场梯度或磁场梯度的变化而引起。总而言之：描述的三端设备允许通过在第三电极(栅电极)处施加控制电压来控制两个导电电极或半导电电极之间的纳米尺度间隙的断开和闭合，并且三端设备还包括光学读出装置，例如以波导或远场光学检测组件的形式，例如，基于物镜或透镜和检测器，从而允许检测光学性质(共振频率、等离子体模式、光学吸收、阻尼)的变化。原子晶体管允许通过单个金属原子(“单原子晶体管”)或几个或多个金属原子的受控的重新排列来可逆地断开和闭合金属接触。这可以通过改变金属电解质之间的界面表面张力而且还通过可逆的电化学沉积和溶解或者通过包括电致伸缩或磁致伸缩的静电或磁相互作用以及通过外部机械力或者通过电迁移而在电化学环境中发生，其中，金属电解质之间的界面表面张力的改变与电化学电位的受控改变是一致的。在所有情况下，通过单个原子或几个原子的重新排列或者通过具有在原子范围内、纳米范围内(5nm到100nm)或亚微米或微米范围内的长度尺度的小金属元件的重新布置或变形来控制金属接触或超导接触(并且优选地可逆地断开和闭合)。接触的这种断开和闭合是通过电压、电场或磁场、辐射(例如电磁辐射)，通过机械变形或压电机械(piezo-mechanical)变形或压电变形或者通过化学或电化学影响导致的。在所有这些情况下，原子尺度、纳米尺度或微米尺度上的两种金属之间的接触的可逆的且“可切换的”建立不仅引起电路的断开和闭合，而且同时还导致等离子体共振的偏移。通过间隙而彼此隔开的两种金属结构具有与它们通过小型金属桥连接在一起的情况不同的等离子体性质。因此，电子器件(例如，以原子晶体管或极端情况下的单原子晶体管的形式)和等离子体器件(其可以被光学地读出)可以在同一个设备中耦合在一起。因此，通过增加光学读出的可能性(例如，通过玻璃纤维和带通滤波器或其它滤波器或者通过玻璃纤维和光谱计)，达到了电子器件、等离子体器件和光学器件的组合和耦合，并且开启了在原子尺度上可切换的等离子体器件(原子等离子体器件)和原子光电子器件的新区域。例如，基于银(具有非常明显的等离子体共振)或铜、镍、铅等的可以被光学地读出的原子晶体管代表具有原子等离子体器件和/或原子光电子器件的能够通过独立的第三控制电极或栅电极进行切换的第一个这样的有源设备。这样的设备的优点还在于其高的读出速度。考虑到可想到的原子力学或纳米力学的频率，当切换频率从物理极限达到声子频率的范围时，并且当弹簧上具有高弹簧常数的极小的质量也表现出非常高的共振频率时，切换状态的电读出跟不上此切换频率。此处，通过电诱导切换来建立原子晶体管或其它切换元件(参见上文)的给定切换状态的可能性出现，而通过接触的等离子体性质来实现读出，即“电切换地、等离子体地/光学地读出”。这样的等离子体开关和晶体管基本上不限于原子尺度，而且在中等尺度和微米尺度上也是可以想到的。还可想到的是，对于一个接触和另一接触(并且视情况而定，对于引起接触(单金属开关、双金属开关和三金属开关)的断开和闭合的机械可移动的中央部分)中的每一金属使用相同的或不同的金属，或者用金属制作接触的一侧并用半导体制作一侧，或者对一侧使用一种(或多种，或相同的一束)金属或半导电碳纳米管或其它纳米管(例如，硅基纳米管)。在此情况下，设备将具有可以断开和闭合电路的机械中继器，并且同时，电路的断开和闭合可以通过接触区域中的局部光谱的改变而被等离子体地和/或一般地验证和读出。本说明书意义上的光谱不应限于可见光谱范围，而是应该通常涉及电磁波的范围，特别是包括紫外线、红外线和微波范围。此原理还可以颠倒：通过理想地共振地吸收(优选地在接触区域中)电磁辐射，改变原子或介观(mesoscopic)开关的切换状态(此处，还可以使用光诱导的顺反异构化)。这可以通过等离子体相互作用、通过共振地吸收接触区域中的致动分子而发生，接触区域中的致动分子(例如，偶氮化合物、偶氮苯及衍生物)可逆地或理想可逆地通过光或在最简单的情况下光热地改变(即，通过吸收和局部加热)它们的几何结构。后一变型不一定是缓慢的，因为直接接触区域中的热容量是非常小的，并且与热浴的耦合是非常好的，特别是当在液体或电解质下操作原子晶体管时。实际的示例性实施方式是如参考文献18-21中所描述的配置(参见，例如：“switchingandelectricalcurrentwithatoms:thereproducibleoperationofamulti-atomrelay(用原子切换电流：多原子中继器的可重现操作)”，solidstatecommunications132,437-442(2004)；f.q.xie,l.niftier,ch.obermair,andth.schimmel：“gate-controlledatomicquantumswitch(栅控原子量子开关)”，physicalreviewletter93(12)，128303(2004))，其中，另外地，例如经由光纤耦合输出和光纤耦合输入、波导(特别是等离子体波导)或者经由远场光学器件(远场透镜)或者经由近场光学器件(近场透镜)来执行光学读出(参见图1至图3)，其中，远场光学器件例如通过使用显微镜物镜收集从接触区域发出的光，近场光学器件收集源-漏接触区域的光学近场中的光。所有的这些设置变型可以收集从源电极与漏电极之间的间隙区域或接触区域发出的光，并将光馈送到用于检测和进行光谱分析的检测器。单色器或例如带通滤波器可以用于光谱分析。由于对于切换操作的检测，为了光学地验证接触区域中优选地电诱导的切换操作，只有对变化的检测是重要的，因此验证振幅或频率或偏振的变化就足以光学地读出例如原子晶体管的切换状态。来自接触区域(即原子或分子的接触簇中的区域)的光可以穿过滤色器或边缘滤波器或带通滤波器或偏振器，以便通过检测到的辐射的振幅来验证由切换过程引起的频率变化或偏振变化。因此，不必在接触区域中发出此光。根据此设置的一个变型，单色地或宽带地或多色地照射光，并检测从源-漏接触区域返回的光。通常的半导体检测器适合用于检测，但也可以是优选地电输出信号随着光强度、光偏振或光频率而改变的任何其它检测器。检测器与电子放大元件的组合是优选的。此外，在同一个芯片或基底上布置许多这种等离子体晶体管(等离子体晶体管阵列)以及它们组合成的逻辑电路是可能的。因此，例如，通过这种等离子体原子晶体管的组合，可以实现逻辑nor、nand、or、and和其它逻辑功能。与等离子体晶体管不进行光耦合的普通的原子晶体管的组合也是可能的。在此接触区域中簇的重新排列和/或原子晶体管的切换操作期间引起的接触区域的光学性质的光学地检测到的变化可以是等离子体和/或表面等离子体(特别是来自源-漏接触区域中的金属部分)的等离子体共振的变化。它还可以是接触区域中及其附近的分子的光吸收性质和光发射性质。源电极和漏电极之间的接触簇的切换不仅可以通过栅电极处的电压变化或电压脉冲引起。也可以出于此目的使用源电极和漏电极自身之间的电压变化或电压脉冲或电压脉冲的序列或者外部电场或磁场或电磁场。在此情况下，栅电极的存在不是必须的。在其配置和/或其性质中，源电极和漏电极之间的可切换接触簇的尺寸可以在单原子和单分子的范围内，并且在单原子晶体管的特殊情况下可以具有单个且其位置可重定位的原子的尺寸，或者在单分子晶体管的特殊情况下可以具有单个且其位置可重定位或其性质可切换的分子的尺寸。至关重要的是，在原子尺度或分子尺度上的等离子体晶体管或光学晶体管的情况下，晶体管的切换操作被另外地或唯一地光学地读出，和/或晶体管的切换操作甚至是光学地引起的并且然后光学地读出和/或电读出。因此，切换操作本身可例如通过利用控制电极或栅电极处的电压改变或利用在控制电极或栅电极处的电压脉冲引起的金属的电化学(部分或全部)沉积和/或溶解或者通过由此引起的原子和分子的空间重定位或结构重排序或者通过由此引起的原子和分子在接触区域中的化学变化(异构化、氧化还原状态的变化)或者通过改变接触区域中的材料的掺杂而引起。本文描述的主题的其它特征和优点将从权利要求及以下关于附图的描述显而易见。应该理解的是，即使实施方式是分开描述的，实施方式中的单个特征和功能也可进行组合而不影响其它实施方式。在以下附图中示例性地描述优选实施方式：图1示出了根据示例性实施方式的设备的示意图；图2示出了根据示例性实施方式的设备的垂直几何结构或交叉几何结构的示意图；以及图3示出了根据示例性实施方式的设备的平行几何结构的示意图。图1示出了根据本申请示例性实施方式的设备100的示意图。设备100是充当开关或晶体管的光学和/或等离子体设备。因此，设备100是光学和/或等离子体开关，或光学和/或等离子体晶体管。设备100包括源电极2、漏电极4和栅电极13。源电极2和漏电极4由间隙或间隙区域6隔开。所谓的簇8位于间隙区域6中。簇8包括一个或多个原子和/或分子。换句话说，簇8是源电极2与漏电极4之间的间隙6中的原子簇和/或分子簇。原子和/或分子是导电的。具体地，原子可以是金属原子，以及分子可以是偶氮苯分子或偶氮苯分子的衍生物。根据簇8中的或簇8的原子和/或分子的布置，簇8可以采用至少两个不同的状态。在一个状态中，簇8的原子和/或分子布置成使得源电极2和漏电极4电连接或短路。在另一状态中，簇8的原子和/或分子布置成使得源电极2和漏电极4电断开，即彼此绝缘。因此，借助于簇8，源电极2和漏电极4可以根据簇8的状态而连接和断开。簇8的不同的状态引起间隙区域6的不同的光学性质和/或等离子体性质。接触簇8或接触簇8的状态可通过在栅电极13处施加的电压而进行切换。因此，借助于栅电极13，可以改变或切换簇8的状态，从而改变或切换间隙区域6的光学性质和/或等离子体性质。然而，应注意的是，替换地或另外地，簇8可通过诸如源-漏电压、磁场、光信号的其它方式或者通过机械或化学影响或者通过改变间隙区域6中的材料(特别是簇8中的原子和/或分子)的掺杂而进行切换。设备100还包括作为用于将光带出间隙区域6的光学耦合元件10的光纤。耦合元件10可包括光纤和/或波导，特别是等离子体波导。耦合元件10还可以用于将光引导到间隙区域6。设备100还包括用于检测间隙区域6的光学性质和/或等离子体性质的变化的检测系统15。检测系统15适合于光学地读出簇的状态。检测系统15可包括光学检测器和/或滤色器和/或边缘滤波器和/或带通滤波器和/或偏光器和/或频谱分析仪。图2示出了根据本申请示例性实施方式的设备100的垂直几何结构或交叉几何结构的示意图。在此垂直几何结构中，波导10布置成基本上垂直于源电极2与漏电极4之间的虚拟线。波导10耦合到间隙6一级间隙6中的簇8。换句话说，在间隙区域6中簇8与波导10局部耦合或相互作用。图3示出了根据本申请示例性实施方式的设备100的平行几何结构的示意图。在此平行几何结构中，源电极2和漏电极4在波导10的顶上或之下/下方。下文的以下项中提供了其它特征、方面和实施方式：项1：设备，特别是光学和/或等离子体设备，或者光学和/或等离子体开关，或者光学和/或等离子体晶体管，包括：至少三个导电电极，源电极、漏电极和控制电极或栅电极；以及间隙，位于所述源电极与所述漏电极之间；以及可切换的簇，能够在具有不同形状或尺寸或结构或电性质或光学性质的至少两个状态之间切换，所述簇是优选地在微米尺度或纳米尺度或原子尺度或分子尺度上可移动的或可溶解的或可变形的或者化学地或电化学地可变化的或者可逆地可掺杂/可去掺杂的簇，通过改变施加到栅电极的电压，簇可以移动、溶解和沉积、变形或者化学地或电化学地变化或者可逆地掺杂或可逆地改变簇的掺杂浓度，所述簇在源电极与栅电极之间位于所述间隙中，其中，簇根据其状态而使所述源电极和所述漏电极连接或断开和/或改变间隙的电性质或光学性质或磁性质或结构性质；以及光学耦合元件，允许将光带入和带出“间隙”区域，在间隙区域中，源电极、漏电极和簇接触；以及检测系统，允许检测由于簇在两个或更多状态之间进行切换引起的光学性质或等离子体性质的变化，特别是在接触区域内或接触区域的附近，即，可切换簇的位置的附近。项2：根据项1的设备，三个电极中的至少之一或簇使用金属，金属是例如金属ag、au、cu、fe、pb、zn、sn、bi、ni、co之一，或者使用包括光学地可切换分子、石墨、石墨烯、石墨烯衍生物或石墨烯体系或石墨烯夹层、层状材料、夹层层状材料或硫属化合物的其它材料。项3：根据项1或项2的设备，其中，在电解质或凝胶电解质或固体电解质或者填充有电解质或凝胶电解质或固体电解质的多孔材料内通过改变电化学电池或系统中的电化学电位来执行尺寸或形状或掺杂状态的改变。项4：根据前述项中的任一项的设备，其中簇的状态的所述改变(特别是尺寸或形状或掺杂状态的改变)是通过电场或磁场诱导的。项5：根据项1至项3的设备，其中，所述簇由一个或几个原子或分子组成，所述原子或分子通过施加到所述栅电极的电压或者通过电场或磁场或者通过辐射(特别是诸如紫外光、可见光或红外光或微波辐射的电磁辐射)而进入和离开间隙。项6：根据项5的设备，其中，所述辐射在簇的一个或多个原子或一个或多个分子中引起共振吸收或转变或异构化(isomerization)或顺反异构化(cis-trans-isomerization)。项7：根据项1至项6中的任一项的设备，其中，所述簇由一个或多个金属原子组成或者由一个或多个偶氮苯分子或偶氮苯分子的衍生物组成。项8：根据项1至项7中的任一项的设备，其中，簇的所述切换过程是通过辐射(特别是诸如紫外光、可见光或红外光或微波辐射的电磁辐射)而执行的。项9：根据项1至项7中的任一项的设备，其中，簇的所述切换过程是通过辐射(特别是诸如紫外光、可见光或红外光或微波辐射的电磁辐射)而执行的，并且结果的读出是通过电测量而执行的，例如通过测量或检测源极与漏极之间的电导或电流。项10：根据前述项中的任一项的设备，其中，簇的所述切换过程不是由施加于栅电极处的电压变化引起的而是由电压脉冲引起的。项11：根据前述项中的任一项的设备，其中，簇的所述切换过程是通过施加到所述源电极和所述漏电极之一或二者的电压变化或电压脉冲而不是施加于栅电极处的电压变化或电压脉冲而执行的，或者簇的所述切换过程是除了通过施加于栅电极处的电压变化或电压脉冲之外还通过施加到所述源电极或所述漏电极之一或二者的电压变化或电压脉冲而执行的。项12：根据前述项中的任一项的设备，其中，不存在栅电极而只有源电极和漏电极，以及簇的所述切换过程是通过施加到所述源电极或所述漏电极之一或二者的电压变化或电压脉冲而执行的。项13：根据前述项中的任一项的设备，其中，簇的所述切换过程在电化学环境内或在凝胶中或在固体电解质中执行，其中不存在栅电极而只有源电极和漏电极，以及簇的所述切换过程是通过施加到所述源电极或所述漏电极之一或二者的电压变化或电压脉冲而执行的，以及其中，在优选形式中，存在保持在恒定参考电位的电化学参考电极或准参考电极。项14：根据前述项中的任一项的设备，其中，簇的所述切换过程在电化学环境内执行，以及其中，簇的所述切换过程由施加到电化学栅电极的电压变化或电压脉冲引起，在优选形式中，栅电极还作为电化学参考电极。项15：根据前述项中的任一项的设备，其中，簇的所述切换过程是通过使用电信号而实现的并且读出是光学地执行的，或者其中，簇的所述切换过程是通过使用光信号或其它辐射而实现的并且读出是光学地执行的，或者其中，簇的所述切换过程是通过使用光信号或其它辐射而实现的并且读出是电执行的，或者其中，簇的所述切换过程是通过使用光信号或其它辐射且间隙中的一个或多个分子吸收所述辐射或所述辐射的部分并引起分子性质中的机械变化或构造变化或异构变化(从顺式构型到反式构型和/或反之亦然)或电导变化或其它变化而实现的。项16：根据项1至项14中的任一项的设备，其中，簇的所述切换过程是通过使用磁场而实现的，并且读出是光学地执行的。项17：根据项1至项14中的任一项的设备，其中，簇的所述切换过程是通过使用磁场而实现的，并且读出是光学地和电执行的。项18：根据项1至项14中的任一项的设备，其中，簇的所述切换过程是通过使用磁场而实现的，并且读出是电执行的。项19：根据前述项中的任一项的设备，其中，光学检测和/或读出接触原子或簇的变化是通过检测源-漏接触区域或接触簇区域或它们的组合的光学性质(例如，等离子体共振或几种等离子体共振中的一种)中的偏振或吸光度或振幅或频率的变化而执行的。项20：根据前述项中的任一项的所述设备的应用，将所述设备应用为晶体管，将所述设备应用为数据存储设备，或者将所述设备应用为微纳电子电路或微纳光子电路或微纳等离子体电路中或逻辑电路中的组件，或者将所述设备应用为前述项中的任一项的所述设备的两个或多个的组合以用于电子电路或逻辑设备和逻辑电路。参考文献：1.h.gleiter,th.schimmel,h.hahn:“nanostructuredsolids-fromnano-glassestoquantumtransistors(纳米结构固体-从纳米玻璃到量子晶体管)”,nanotoday,9(1),7-68(2014).2.r.maul,f.-q.xie,c.obermair,g.schon,th.schimmel,w.wenzel:“memoryeffectsinelectrochemicallygatedmetallicpointcontacts(电化学栅极金属点接触中的记忆效应)”,appliedphysicsletters00(20),203511(2012).3.ch.obermair,a.wagner,th.schimmel:“theatomicforcemicroscopeasamechano-electrochemicalpen(作为机械电化学笔的原子力显微镜)”,beilsteinjournalofnanotechnology2,659-664(2011).4.ch.obermair,h.kuhn,th.schimmel:“lifetimeanalysisofindividual-atomcontactsandcrossovertogeometric-shellstructuresinunstrainedsilvernanowires(无应变银纳米线中的单个原子与几何壳结构的接触和交叉的寿命分析)”,beilsteinjournalofnanotechnology2,740-745(2011).5.f.-q.xie,r.maul,c.obermair,w.wenzel,g.schon,th.schimmel:“multi-levelatomic-scaletransistorsbasedonmetallicquantumpointcontacts(基于金属量子点接触的多级原子尺度晶体管)”,advancedmaterials22(18),2033-2036(2010).6.c.obermair,f.-q.xie,th.schimmel:“thesingle-atomtransistor:perspectivesforquantumelectronicsontheatomic-scale(单原子晶体管：对原子尺度的量子电子器件的展望)”,europhysicsnews,invitedarticle,41(4),july-august(2010).7.s.zhong,p.dupeyrat,r.groeger,m.wang,t.koch,th.schimmel:“periodicalnanostructuredmultilinecopperfilmsself-organizedbyelectrodeposition:structureandproperties(通过电沉积自组织的周期纳米结构多线铜膜：结构与性质)”,journalofnanoscienceandnanotechnology10(9),6144-6149(2010).8.s.zhong,d.wang,t.koch,m.wang,s.walheim,th.schimmel:“growthandbranchingmechanismsofelectrochemicallyself-organizedmesoscalemetallicwires(电化学自组织的中等尺度金属线的生长和分支机制)”,crystalgrowth&design0(4),1455-1459(2010).9.f.-q.xie,f.huser,f.pauly,c.obermair,g.schon,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