高级光刻和自组装装置的制作方法

技术特征：

技术总结
描述包括亚10nm节距图案化的高级光刻技术以及从其中所产生的结构。描述自组装装置及其制作方法。

技术研发人员：R.E.申克;R.L.布里斯托尔;K.L.林;F.格施泰因;J.M.布拉克韦尔;M.克里萨克;M.钱多克;P.A.尼胡斯;C.H.华莱士;C.W.沃德;S.西瓦库马;E.N.谭
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2016.12.23
技术公布日：2019.10.15