技术总结
本发明公开了一种平面栅沟槽型超级结器件，包括：沟槽型超级结；形成于有源区外的沟槽型超级结的顶部场氧化层；形成于有源区中的沟槽型超级结的各N型薄层表面的多晶硅栅；各多晶硅栅还延伸到对应的场氧化层的表面并组成多晶硅延伸段；各多晶硅延伸段分别通过接触孔连接到同一个金属总线，由金属总线引出栅极衬垫；各多晶硅延伸段的宽度小于等于对应的N型薄层的宽度，使各多晶硅延伸段和各P型薄层的孔洞缺陷在位置上错开。本发明还公开了一种平面栅沟槽型超级结器件的制造方法。本发明防止各多晶硅延伸段跨越P型薄层时各孔洞缺陷中出现多晶硅残留而引起的栅源短路问题以及各孔洞缺陷本身带来的可靠性降低问题。
技术研发人员：李昊
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
文档号码：201710004043
技术研发日：2017.01.04
技术公布日：2017.05.17