技术特征：
技术总结
在一或多个实施例中，一种半导体装置包含衬底、第一电介质层和第一导电层。所述衬底包含第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一电介质层在所述衬底的所述第一表面上。所述第一导电层在所述衬底的所述第一表面上，且包含在所述第一电介质层上的第一部分和由所述第一电介质层围绕的第二部分。所述第一导电层的所述第二部分从所述第一导电层的所述第一部分延伸穿过所述第一电介质层以接触所述衬底的所述第一表面。
技术研发人员：洪志斌;欧英德;李宝男
受保护的技术使用者：日月光半导体制造股份有限公司
技术研发日：2017.01.16
技术公布日：2017.07.25