等离子体处理装置的制作方法

本发明涉及感应耦合型等离子体处理装置等的等离子体处理装置。

背景技术：

在液晶显示器等的平板显示器(fpd)的制造工序中，对fpd用玻璃基板通过例如等离子体蚀刻、等离子体灰化、等离子体成膜等的进行电路形成，作为进行这样的等离子体处理的装置能够使用感应耦合型等离子体处理装置(icp处理装置)。

icp处理装置包括对fpd用玻璃基板进行等离子体处理的腔室、高频天线和向腔室内供给处理气体的气体供给部件。在腔室内的下部配置载置fpd用玻璃基板的载置台，在腔室内的上部以与载置台的基板载置面相对的方式配置由电介质体材料形成的多个平板部件。高频天线配置在上述的平板部件的上表面，气体供给部件埋入上述平板部件的处理空间侧。在腔室内载置台的基板载置面和平板部件之间的空间成为用于生成等离子体的处理空间(例如参照专利文献1)。

在如上所述构成icp处理装置中，在从气体供给部件向处理空间供给处理气体的同时，通过对高频天线施加高频电力，在处理空间产生感应电场。由此，从导入到处理空间的处理气体生成等离子体，利用生成的等离子体对fpd用玻璃基板进行蚀刻等的等离子体处理。在此，在上述专利文献1中作为气体供给部件使用具有十字形状的喷淋头，喷淋头除了向处理空间供给处理气体的功能之外，还起到将平板部件支承在腔室内的作用。在喷淋头的规定位置设置向与fpd用玻璃基板的处理面正交的方向(铅垂方向)吹出处理气体的气体吹出孔。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4028534号公报

技术实现要素：

发明想要解决的技术问题

但是，在进行等离子体蚀刻的icp处理装置中，使用在上述专利文献1中记载的十字型的喷淋头，从喷淋头向与基板载置面大致正交的方向吹出处理气体的结构的情况下，在fpd用玻璃基板的处理面上的与喷淋头相对的区域及其附近的区域和fpd用玻璃基板的角部及其附近区域中，蚀刻率产生较大的差，有fpd用玻璃基板产生处理的不均匀的问题。

本发明的目的提供能够对基板均匀地进行等离子体处理的等离子体处理装置。

用于解决技术问题的技术方案

为了实现上述目的，权利要求1所记载的等离子体处理装置，其特征在于，包括：

具有用于载置基板的基板载置面的载置台；

将上述载置台收容在内部的腔室；

在上述腔室的内部与上述基板载置面相对配置的隔板部；

配置在上述隔板部的上表面，通过施加高频电力而在上述基板载置面和上述隔板部之间的处理空间生成等离子体的高频天线；和

配置在上述隔板部的下表面，向上述处理空间导入处理气体的气体导入单元，

上述等离子体处理装置对载置在上述载置台的基板实施利用上述等离子体进行的处理，

上述气体导入单元包括：

具有长条状的形状，具有向与上述基板载置面大致正交的方向吹出上述处理气体的多个气体吹出孔的多个第1喷淋板；和

具有长条状的形状，具有向与上述基板载置面大致平行的方向吹出上述处理气体的多个气体吹出孔的多个第2喷淋板，

多个上述第1喷淋板和上述第2喷淋板配置成，在从上述隔板部观看载置在上述载置台的基板时，上述第1喷淋板和上述第2喷淋板的长边方向为辐射状延伸的方向。

权利要求2记载的等离子体处理装置是，如在权利要求1记载的等离子体处理装置中，其特征在于：设置在上述第1喷淋板的气体吹出孔的数量和设置在上述第2喷淋板的气体吹出孔的数量相等且设置在上述第1喷淋板的气体吹出孔的电导和设置在上述第2喷淋板的气体吹出孔的电导大致相等。

权利要求3记载的等离子体处理装置是，如权利要求1或者2记载的等离子体处理装置中，其特征在于：由两对构成的多个上述第1喷淋板中、一对位于连结上述隔板部的长边的中央部的线上，另一对位于连结上述隔板部的短边的中央部的线上。

权利要求4记载的等离子体处理装置是，如在权利要求1记载的等离子体处理装置中，其特征在于：上述气体导入单元仅由多个上述第2喷淋板构成，多个上述第2喷淋板配置成其长边方向为辐射状延伸的方向。

权利要求5记载的等离子体处理装置是，如在权利要求1～3中任一项记载的等离子体处理装置中，其特征在于：在上述载置台载置有矩形的基板时，多个上述第2喷淋板配置成其长边方向的一端分别位于的上述基板的角部或角部附近的上部。

权利要求6记载的等离子体处理装置是，如在权利要求5记载的等离子体处理装置中，其特征在于：上述隔板部具有矩形形状，具有四个上述第1喷淋板，在4个上述第1喷淋板中、2个第1喷淋板位于连结上述隔板部的长边的中央部的线上，其余2个第1喷淋板位于连结上述隔板部的短边的中央部的线上。

发明的效果

本发明所涉及的等离子体处理装置中，形成有向与载置台的基板载置面大致正交的方向吹出处理气体的多个第1吹出孔的多个第1喷淋板和形成有向与基板载置面大致平行的方向吹出处理气体的多个第2吹出孔的多个第2喷淋板呈辐射状交替配置在腔室内的上部。

通过采用上述的结构，使处理空间的处理气体的分布均匀化，能够对基板均匀地进行等离子体处理，进而，能够提高使用基板的制品的生产性。另外，能够进行更高精度的等离子体处理。

附图说明

图1是表示具备本发明的实施方式所涉及的等离子体处理装置的基板处理系统的概略构成的立体图。

图2是表示基板处理系统所具备的等离子体处理装置的概略构成的截面图。

图3是说明设置在等离子体处理装置的腔室内的隔板部和第1喷淋板的位置关系、第1喷淋板的概略构造及其支承构造的图。

图4是表示配置在图2的等离子体处理装置的腔室内的第1喷淋板的概略构成的截面图。

图5是示意地表示利用配置有第1喷淋板的图2的等离子体处理装置进行了等离子体蚀刻时的蚀刻率(e/r)的分布的图和示意地表示在线b-b下的蚀刻率的分布的实施例和参考例的图。

图6是说明设置在图2的等离子体处理装置的腔室内的隔板部和第1喷淋板和第2喷淋板的位置关系、第2喷淋板的概略构造及其支承构造的图。

图7是表示配置在图2的等离子体处理装置的腔室内的第2喷淋板的概略构成的截面图。

图8是示意地表示利用配置有第1喷淋板和第2喷淋板的图2的等离子体处理装置进行了等离子体蚀刻时的蚀刻率(e/r)的分布的图和示意地表示在线d-d下的蚀刻率的分布的图。

附图标记说明

10基板处理系统

11等离子体处理装置

20腔室

20a上壁

21载置台

22隔板部

22a平板部件

23支承框

24a～24h第1喷淋板

25b气体吹出孔

44处理气体配管

50高频天线

54a～54d第2喷淋板

55b气体吹出孔。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。图1是表示具备本发明的实施方式所涉及的等离子体处理装置11的基板处理系统10的概略构成的立体图。基板处理系统10包括用于向fpd用玻璃基板等的基板g实施等离子体处理、例如等离子体蚀刻的3个等离子体处理装置11。此外，作为fpd，能够列举液晶显示器(lcd)、电致发光(el)显示器、等离子体显示器面板(pdp)等。

3个等离子体处理装置11各自经由闸阀13与水平截面为多边形状(例如水平截面为矩形状)的搬送室12的侧面连结。此外，在后面参照图2对等离子体处理装置11的详细构成进行描述。搬送室12还经由闸阀15与隔离室14连结。隔离室14经由闸阀17与基板搬出入机构16相邻设置。基板搬出入机构16与2个索引器18相邻设置。索引器18载置收纳基板g的盒19。盒19能够收纳多个(例如25个)的基板g。

基板处理系统10的整体的动作由未图示的控制装置控制。在基板处理系统10对基板g实施等离子体蚀刻时，首先，通过基板搬出入机构16将收纳在盒19的基板g搬入到隔离室14的内部。此时，若在隔离室14的内部存在等离子体蚀刻后的基板g，该等离子体蚀刻后的基板g被从隔离室14内搬出，与未蚀刻的基板g置换。向隔离室14的内部搬入基板g后，将闸阀17关闭。

接着，隔离室14的内部被减压至规定的真空度后，搬送室12和隔离室14之间的闸阀15打开。然后，隔离室14的内部的基板g被搬送室12的内部的搬送机构(未图示)搬入搬送室12的内部后，将闸阀15关闭。

接着，打开搬送室12和等离子体处理装置11之间的闸阀13，通过搬送机构向等离子体处理装置11的内部搬入未蚀刻的基板g。此时，若在等离子体处理装置11的内部存在等离子体蚀刻后的基板g，该等离子体蚀刻后的基板g被搬出，置换成未蚀刻的基板g。之后，由等离子体处理装置11对搬入的基板g实施等离子体蚀刻。

图2是表示等离子体处理装置11的概略构成的截面图。等离子体处理装置11具体来说是感应耦合型等离子体处理装置(icp处理装置)。等离子体处理装置11包括：水平截面为大致矩形的腔室20；和收容、配置在腔室20内的下方，在作为顶部的基板载置面上载置基板g的台状的载置台21。另外，在腔室20内的上方以与载置台21相对的方式配置由多个平板部件22a形成的隔板部22，在隔板部22和载置台21之间形成有用于生成等离子体的处理空间s。

平板部件22a由氧化铝(al2o3)等的陶瓷、石英等的电介质体材料形成，在本实施方式中，由设置在腔室20的侧壁的矩形形状的支承框23支承。此外，图2中仅图示了第1喷淋板24a、24b、24c。在隔板部22的上表面配置由涡旋状的导体形成的高频天线(感应耦合天线)50。另外，在隔板部22的下表面(载置台21侧的面)，除了配置有作为向腔室20内供给处理气体的气体供给部件的第1喷淋板24a～24d之外，还配置第1喷淋板24e～24h(图2中未图示，参照图3)。在后面参照图3等对第1喷淋板24a～24h的配置和详细的构成进行描述。

第1喷淋板24a～24h通过处理气体配管44与处理气体供给机构40连接。处理气体供给机构40具有处理气体供给源41、气体流量控制器42和圧力控制阀43。从处理气体供给机构40向第1喷淋板24a～24h供给处理气体，从设置在第1喷淋板24a～24h各自的未图示的气体吹出孔向处理空间s导入处理气体。

载置台21内置有由导体形成的基座26，基座26与偏置用高频电源27经匹配器28连接。另外，在载置台21的上部配置由层状的电介质体形成的静电吸附部29，静电吸附部29具备由上层的电介质体层和下层的电介质体层夹着地内置的静电吸附电极30。静电吸附电极30与直流电源31连接，从直流电源31向静电吸附电极30施加直流电压时，静电吸附部29通过静电力吸附保持载置在载置台21的基板g。偏置用高频电源27将频率相对低的高频电力供给到基座26，在被静电吸附部29静电吸附的基板g产生直流偏置电位。此外，静电吸附部29可以形成为板部件，另外，也可以在载置台21上形成为喷镀膜。

载置台21内置有对载置的基板g进行冷却的冷却介质流路32，冷却介质流路32与供给传热气体的传热气体供给机构33连接。作为传热气体例如能够使用he气体。传热气体供给机构33具有传热气体供给源34和气体流量控制器35，将传热气体供给到载置台21。载置台21包括在上部开口的多个传热气体孔36和使各自的传热气体孔36和传热气体供给机构33连通的传热气体供给路径37。在载置台21中，在被静电吸附部29静电吸附的基板g的背面和载置台21的上部之间虽然会产生微小的间隙，但是，从传热气体孔36供给的传热气体充填在该间隙，由此，能够提高基板g和载置台21的热传递效率，提高载置台21的基板g的冷却效率。

高频天线50经由匹配器46与等离子体生成用高频电源45连接，等离子体生成用高频电源45将频率相对高的等离子体生成用的高频电力供给到高频天线50。被供给等离子体生成用的高频电力的高频天线50在处理空间s中产生电场。另外，等离子体处理装置11包括与腔室20的内部连通的排气管47，通过排气管47将腔室20的内部的气体排出，能够使腔室20的内部为规定的减压状态。

构成等离子体处理装置11的各部的动作在基板处理系统10的控制装置的统一的控制下，通过装置控制器48执行规定的程序来控制。在利用等离子体处理装置11对基板g实施等离子体蚀刻时，处理空间s被减压，处理气体被导入处理空间s并且向高频天线50供给等离子体生成用的高频电力。由此，在处理空间s中产生电场。被导入至处理空间s的处理气体被电场激发而生成等离子体，等离子体中的阳离子被隔着载置台21在基板g是产生的直流偏置电位引入基板g，对基板g实施等离子体蚀刻。另外，等离子体中的自由基到达基板g对基板g实施等离子体蚀刻。

图3(a)是表示设置在腔室20内的隔板部22和第1喷淋板24a～24h的位置关系的平面图。另外，图3(b)是图3(a)中所示的向视a-a的概略截面图，是表示第1喷淋板24a的概略构造及其支承构造的图。为了说明的方便，如图3(a)所示，设定彼此正交的x方向、y方向和z方向。此外，xy面与水平方向大致平行，z方向与铅垂方向大致平行。

第1喷淋板24a～24h仅配置不同，具有大致同等的构造。第1喷淋板24a～24h具有长条状的大致长方体形状，在从z方向观看时，如图3(a)所示，2个第1喷淋板24a、24c，配置成在腔室20的y方向中央，长边方向与x方向平行，且配置成关于腔室20的x方向中央在x方向上对称的位置。另外的2个第1喷淋板24b、24d配置成在腔室20的x方向中央，长边方向与y方向平行，且配置成关于腔室20的y方向中央在y方向对称的位置。即，4个第1喷淋板24a～24d从基板g的中央部向外周呈十字状配置。并且，另外的4个第1喷淋板24e～24h配置在基板g的对角线上。此外，在第1喷淋板24e～24h配置在基板g的对角线上的情况下，通过与第1喷淋板24a～24d交叉而产生的角度在35～55度的范围。

与第1喷淋板24a～24d连接的处理气体配管44通过凸缘49a、49b安装在腔室20的上壁20a。这样一来，向第1喷淋板24a～24d供给处理气体。

隔板部226由4个平板部件22a形成，各平板部件22a的外周端部的一部分被设置在腔室20的支承框23的上表面所支承。另外，因平板部件22a的形状不同，除了支承框23之外，还可以被以横切处理空间的方式形成的梁部件支承。

在4个平板部件22a各自形成有孔部，用于与第1喷淋板24e～24h连接的处理气体配管44插通。第1喷淋板24e～24h可以通过将处理气体配管44固定在腔室20的上壁20a而保持，也可以在4个平板部件22a各自安装第1喷淋板24e～24h。

图4是表示第1喷淋板24a的概略构成的截面图。此外，为了说明的方便，关于第1喷淋板24a，将长边方向定为x方向、宽度方向定为y方向、高度(厚度)方向定为z方向。第1喷淋板24a例如由氧化铝等的陶瓷形成，包括：设置在内部的缓冲室25a；和以与缓冲室25a连通的方式设置在第1喷淋板24a的底壁的多个气体吹出孔25b。在第1喷淋板24a上，多个气体吹出孔25b具有圆柱状的形状，以该轴方向与z方向大致平行(径方向与xy面大致平行)的方式形成，其在y方向为2列且在x方向是规定的间隔。

第1喷淋板24a以z方向与铅垂方向大致平行(xy面与水平方向大致平行)的方式保持在腔室20内。由此，从多个气体吹出孔25b向处理空间s中，在作为与载置台21的基板载置面大致正交的方向的铅垂方向吹出处理气体，由此向处理空间s导入处理气体。缓冲室25a起到使从多个气体吹出孔25b各自吹出的处理气体的流量均等的作用。第1喷淋板24b～24h的构造与第1喷淋板24a的构造相同，所以，省略说明。

此外，以导入处理空间s的处理气体不向形成在隔板部22和腔室20的上壁20a之间的空间泄露的方式，在4个平板部件22a彼此的边界部、腔室20的侧壁和平板部件22a的边界部、处理气体配管44和平板部件22a的边界部的各边界部使用密封构造。上述的密封构造与本发明的特性无直接的关系，另外，能够任意选择周知的密封构造进行应用，因此，省略说明

图5(a)是示意地表示利用具有第1喷淋板24a～24h的等离子体处理装置11进行了等离子体蚀刻时的蚀刻率(e/r)的分布的平面图，图5(b)是示意地表示使用第1喷淋板24a～24h的情况下，图5(a)所示的线b-b下的蚀刻率的分布(实施例)的图。图5(c)是示意地表示仅使用第1喷淋板24a～24d的情况下、图5(a)所示的线b-b下的蚀刻率的分布(参考例)的图。此外，在此，示意地表示使用氯气气体(cl2)作为处理气体，在表面以规定的图案形成的抗蚀剂膜之下使用形成有作为蚀刻对象的铝(al)膜的基板g的情况的结果。

在对基板g进行蚀刻处理时，通过排气管47进行排气，将腔室20的内部维持为规定的减压气氛，并且，从气体第1喷淋板24a～24h的气体吹出孔25b在铅垂方向吹出处理气体。从气体吹出孔25b吹出的处理气体一边扩散一边导入处理空间s，但是，在第1喷淋板24a～24h各自的正下方及其附近，处理气体的浓度容易变高。因此，在第1喷淋板24a～24h各自的正下方及其附近，蚀刻率容易变高。图5(a)示意地表示如上述方式形成的高蚀刻率区域k。

在此，对于以与在背景技术中说明的专利文献1中记载的具有十字形状的喷淋头对应的方式，仅从4个第1喷淋板24a～24d以等流量吹出处理气体的方式控制处理气体的流量将处理气体导入处理空间s的情况进行说明。在4个第1喷淋板24a～24d的正下方及其附近，如上述方式形成有高蚀刻率区域k。对此，在基板g的4个的角部及其附近的区域中处理气体的浓度容易变低，因此，蚀刻率容易变低。其结果是，在线b-b下，如图5(c)所示，蚀刻率产生较大偏差(高低差δr0)。此外，在基板g的外周端，蚀刻率稍微上升是基于所谓的负载效应。

对此，在以从8个第1喷淋板24a～24h以等流量吹出处理气体的方式，控制处理气体的流量，从第1喷淋板24a～24h向处理空间s在铅垂方向吹出处理气体进行导入的情况下，除了由第1喷淋板24a～24d形成的高蚀刻率区域k之外，还在第1喷淋板24e～24h各自的正下方及其附近，形成有高蚀刻率区域k。由此，线b-b下的蚀刻率的偏差(高低差δr1)如图5(b)所示变小。

所以，能够提高对基板g的等离子体处理的均匀性，由此，能够获得能够进行更高精度的等离子体处理的效果、能够提高生产性的效果，进一步，能够获得能够提高使用基板g制造的产品的可靠性的效果。

接着，对于在等离子体处理装置11中，除了4个第1喷淋板24e～24h之外还配置4个第2喷淋板54a～54d的构成的情况进行说明。图6(a)是表示设置在腔室20内的隔板部22和第1喷淋板24a～24d和第2喷淋板54a～54d的位置关系的平面图。图6(b)是图6(a)中所示的向视c-c的截面图，表示第2喷淋板54a的概略构造及其支承构造的图。

参照图3～图5，由于第1喷淋板24a～24d各自与第1喷淋板24a～24d相同，因此，包括在腔室20内的保持方法，省略说明。第2喷淋板54a～54d各自具有长条状的大致长方体形状，配置在参照图3说明的设置有第1喷淋板24e～24h的位置。这样一来，第1喷淋板24a～24d和第2喷淋板54a～54d从z方向观看为顺时针(或者逆时针)交替配置。第2喷淋板54a～54d与第1喷淋板24e～24h同样，由腔室20的上壁20a吊支或者安装在平板部件22a。因此，省略关于第2喷淋板54a～54d在腔室20内的保持方法的详细的说明。此外，图6(b)中示出通过凸缘部59将第2喷淋板54a安装在平板部件22a的例子。

图7是表示第2喷淋板54a的构造的截面图。为了说明的方便，如图7所示，将第2喷淋板54a的长边方向定为x方向、将宽度方向定为y方向、将高度(厚度)方向定为z方向，但是，在图7中设定的x方向、y方向和z方向与图6(a)所示的x方向、y方向和z方向无关。

第2喷淋板54a例如由氧化铝等的陶瓷形成，包括：在内部沿x方向设置的长方体形状的缓冲室55a；和以与缓冲室55a连通的方式在第2喷淋板54a的侧壁(y方向侧的壁部)与y方向大致平行地设置的多个气体吹出孔55b。在此，虽然作为气体吹出孔55b示出四边柱状的孔部，但是，不限于此，可以为气体吹出孔25b那样的圆柱状的孔部。

第2喷淋板54a以x方向和y方向为与水平方向大致平行(z方向与铅垂方向大致平行)的方式配置在腔室20内。因此，处理气体从第2喷淋板54a，以与载置台21的基板载置面大致平行的方向的水平方向吹出而被导入至处理空间s。第2喷淋板54b～54d的构造与第2喷淋板54a的构造相同，因此，在此省略说明。

图8(a)是示意地表示利用具备第1喷淋板24a～24d和第2喷淋板54a～54d的等离子体处理装置11进行了等离子体蚀刻时的蚀刻率(e/r)的分布的平面图，图8(b)是示意地表示图8(a)所示的线d-d下的蚀刻率的分布(实施例)的图。此外，从与参照图5说明的蚀刻率相比观点出发，在此示意地表示也使用了氯气气体(cl2)作为处理气体，使用在表面以规定的图案形成的抗蚀剂膜之下形成有作为蚀刻对象的铝(al)膜的基板g的情况的结果。

如参照图5说明的方式，从第1喷淋板24a～24d的气体吹出孔25b向处理空间s在铅垂方向吹出处理气体。而且，从气体吹出孔25b吹出的处理气体一边扩散一边被导入至处理空间s，此时，在第1喷淋板24a～24d各自的正下方及其附近，高蚀刻率区域k与图5(a)同样地形成。

另一方面，从第2喷淋板54a～54d的气体吹出孔55b向处理空间s在水平方向吹出处理气体。此时，如上所述，在对基板g进行蚀刻处理时，通过排气管47对腔室20内进行排气，由此，腔室20的内部被维持为规定的减压气氛，因此，处理气体被从气体吹出孔25b向水平方向吹出之后，向基板g在处理空间s扩散。由此，如图8(a)所示从z方向观看时，处理气体均匀扩散的范围变宽，形成有比高蚀刻率区域k更宽的高蚀刻率区域m。其结果是，线d-d下的蚀刻率的分布如图8(b)所示被均匀化，能够使蚀刻率的偏差(高低差δr2)非常窄(δr2<δr1)。

所以，能够进一步提高对基板g的等离子体处理的均匀性，由此，能够获得能够进行更高精度的等离子体处理的效果、能够进一步提高生产性的效果，进一步，能够获得能够进一步提高使用基板g制造的产品的可靠性的效果。

此外，为了实现图8(b)所示的蚀刻率的均匀性，需要调整从第1喷淋板24a～24d吹出的气体流量和从第2喷淋板54a～54d吹出的气体流量。具体来说，通过使气体吹出孔25b的电导和气体吹出孔55b的电导大致相等，能够实现基板g的处理面的蚀刻率的均匀化。

在本实施方式中，如图4和图7所示，第1喷淋板24a～24d中的气体吹出孔25b的数量和第2喷淋板54a～54d中的气体吹出孔55b的数量设定为相同的数量。在该情况下，使每一个孔部的电导相同即可。气体吹出孔25b的电导大致由径方向的截面积和孔深度l1(参照图4)决定，同样，气体吹出孔55b的电导也由径方向的截面积和孔深度l2(参照图7)决定。由此，通过计算上述的参数(截面积、孔深度)的同时，实验性地使气体流量变化来调查蚀刻率的偏差，由此能够决定适当的等离子体处理条件。此外，从气体吹出孔25b、55b吹出的气体流量设定为能够确保防止形成在处理空间s的等离子体侵入气体吹出孔25b、55b的压力的值。

成为利用使用了上述的第1喷淋板24a～24h的等离子体处理装置11或使用了第1喷淋板24a～24d和第2喷淋板54a～54d的等离子体处理装置11的等离子体处理的对象的基板g不被限定，但是，能够提高等离子体处理的均匀性的效果例如能够在平面的尺寸为800mm×900mm以上的基板g中显著获得。另外，成为等离子体蚀刻的对象的膜不限定于铝(al)膜。但是，本发明适用于对于由蚀刻率对于处理气体的依赖性高的材料形成的膜的等离子体蚀刻。

在上述实施方式中，由4个平板部件22a构成隔板部22，但是，构成隔板部22的平板部件的数量不限于此。并且，以对第1喷淋板24e～24h和第2喷淋板54a～54d各自设置2根处理气体配管44的构成进行了说明，但是，关于上述的喷淋板，可以为1个喷淋板与1根处理气体配管44连接的构成。在该情况下，能够提高高频天线50的配置图案的自由度，因此，能够提高形成于处理空间s的电场的均匀性。由此，能够生成更均匀的等离子体，能够进一步提高对基板g的处理面的等离子体处理的均匀性。第1喷淋板24a～24d也可以为与1根处理气体配管44连接的构成。另外，第1喷淋板24a～24d也可以为呈十字型连续的一体构造。

在使用第1喷淋板24a～24d和第2喷淋板54a～54d的情况下，也可以使第1喷淋板24a～24d和第2喷淋板54a～54d的配置位置与图6(a)所示的位置相反，在该情况下获得的效果没有变化。另外，可以由第2喷淋板构成所有的喷淋板。多个喷淋板的配置位置能够根据被处理基板的形状适时改变。另外，在使用8个喷淋板的情况下，与基板g的长边或者短边平行配置的4个喷淋板以外的4个喷淋板的配置位置能够根据基板g的纵横比改变。例如，优选在基板g的短边中央与长边平行地配置2个喷淋板，在基板g的长边中央与短边平行地配置2个喷淋板，将其余的4个喷淋板以其长边方向的一端各自位于基板g的角部或者其附近的上部的方式配置，由此，能够提高对基板g的等离子体处理的均匀性。