等离子体处理装置、等离子体处理装置的运用方法及供电装置与流程

本发明的实施方式涉及一种等离子体处理装置、等离子体处理装置的运用方法及供电装置。

背景技术：

在用于制造半导体装置或FPD(Flat Panel Display)等装置的微细加工中，对半导体基板或玻璃基板等被处理体进行等离子体处理。在等离子体处理中，除了被处理体上的等离子体密度分布的控制以外，被处理体的温度或温度分布的控制也重要。若未适当进行被处理体的温度控制，则变得无法确保被处理体的表面中的反应的均匀性，装置的制造成品率降低。

一般地，等离子体处理中所使用的等离子体处理装置，在处理容器内具备将被处理体载置于其上方的载置台。载置台具有如下功能：对等离子体生成空间施加高频的高频电极的功能；通过静电吸附等保持被处理体的保持功能；以及通过传热而控制被处理体的温度的温度控制功能。

这种使用了等离子体处理装置的等离子体处理中，因来自等离子体或构成处理容器的壁部的辐射热的不均匀性和/或载置台内的热分布，而可能产生对被处理体的热输入量特性分布不均。因此，对于载置台的温度控制功能，要求适当修正被处理体的热分布。

以往，为了控制载置台的温度以及被处理体的温度，而在载置台组装电阻发热体即加热器，以作为其温度控制功能。通过控制对该加热器供给的电流，而控制被处理体的温度。如上述，对被处理体的热输入量特性具有不均匀的分布。于是，为了解决这种不均匀的热输入量特性，而开发这样的载置台：通过将多个加热器分别配置于在载置台内定义的多个区段内而构成。并且，需要根据程序，而将成为温度控制对象的被处理体的区域精细分割，因此，如专利文献1所记载那样，需要增加在载置台内定义的区段的个数。

为了如此通过设置于载置台内的多个加热器而单独地进行被处理体的多个区域的温度控制，而需要适当地控制对这些加热器供给的电力。为了该目的，一般如专利文献2所记载，将调整对各加热器供给的电力的晶闸管设置于各加热器与电源之间。图8为表示晶闸管的原理的图。对于晶闸管，一般采用位相控制方式，如图8(a)所示，通过进行ON/OFF的切换，而可控制导通加热器与电源的期间，即，可控制导通角θ。由此，对加热器供给图8(b)所示的电流。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利5222850号说明书

专利文献2：日本特开2011-187637号公报

发明的概要

发明要解决的技术课题

若如上述那样定义于载置台内的多个区段的个数变多，则这些区段的面积成为不同面积。因此，若使分别设置于多个区段内的加热器的每单位面积的电阻值相同，则分别设置在多个区段的多个加热器包含电阻值不同的加热器。由此，基于多个加热器的温度控制的分辨率可能产生差异。

为了使多个加热器的电阻值一致，而需要将设置在具有小面积的区段的加热器的厚度减薄，将该加热器的电阻值增大。如此增大电阻值的加热器中，由于电源的限制而无法供给过大的电流，结果，温度控制的动态范围变窄。因此，不得不接受多个加热器的电阻值的差异。

并且，通常将各加热器通过两条配线与电源电连接，若如上述那样区段的个数增多，则用于对多个加热器供电的配线的条数增加，载置台内的配线的迂回可能变得困难。因此，考虑以几个加热器共有两条配线中的一条配线的结构。这些结构中，共有配线的加热器与电源并联，这些加热器的组合电阻值成为较小的电阻值。因此，电源供给较大的电流。即使如此供给较大的电流，只要将晶闸管与多个加热器分别连接，也可调整对各加热器供给的电流的量。

如上述，晶闸管可通过ON/OFF的切换而在任意定时导通电源与加热器，因此能够实现较高的温度控制分辨率。然而，通过晶闸管的切换而产生的电流波形，如图8(b)所示，成为不连续的电流波形，因此产生高次谐波成分的噪声。其结果，在与1次侧(电源供给侧)连接的其他负载可能发生障碍(无功补偿电容器的烧毁等)。

因此，需要控制对多个加热器的供电以获得较高的温度控制分辨率，并抑制高次谐波噪声。

技术实现要素：

用于解决技术课题的手段

本发明的一方面，提供一种等离子体处理装置，其用于对被处理体进行等离子体处理。本发明的一方面的等离子体处理装置具备处理容器、载置台、多个加热器及供电装置。载置台设置于处理容器内。多个加热器设置于载置台内。供电装置对多个加热器供给电力。供电装置具有多个变压器及多个零交控制型的固态继电器(Solid State Relay)。多个变压器构成为使来自交流电源的电压降压。多个变压器各自具有一次线圈及二次线圈。一次线圈与交流电源连接。多个零交控制型的固态继电器是以零电压附近的电压控制ON/OFF的固态继电器。多个零交控制型的固态继电器分别设置于多个加热器中对应的一个加热器与多个变压器中对应的一个变压器的二次线圈之间。

该等离子体处理装置中，通过零交控制型的固态继电器控制对于加热器的电流的供给。零交控制型的固态继电器以输出电压为0V附近的电压控制ON/OFF，因此可抑制包含高次谐波成分的电流的产生，即，抑制高次谐波噪声的产生。并且，通过多个变压器将比来自交流电源的电压低的电压向二次侧输出。因此，从多个变压器的二次线圈输出的电流变小。如此通过固态继电器切换所输出的电流对加热器的供给或供给停止，因此可提高多个加热器的发热量的分辨率。结果，可提高被处理体的多个区域各自的温度控制的分辨率。

一实施方式中，等离子体处理装置可还具备多个第1配线及多个第2配线。多个第1配线将多个加热器的第1端子与多个零交控制型的固态继电器分别连接。多个第2配线分别将多个加热器中对应的两个以上加热器的第2端子与多个变压器中对应的一个变压器的二次线圈共同连接。该实施方式中，将包含多个加热器中几个加热器的加热器组与交流电源并联。并联的加热器的组合电阻值比各加热器的电阻值小，但因将通过变压器降压的电压向二次侧输出，因此可将对加热器供给的电流减小。因此，可提高多个加热器的发热量的分辨率。结果，可提高被处理体的多个区域各自的温度控制的分辨率。

一实施方式中，与多个第2配线中共同的第2配线连接的两个以上加热器可具有相同的电阻值。根据该实施方式，可使并联的两个以上加热器的发热量的分辨率均匀化。

一实施方式中，供电装置也可还具有多个切换器，所述多个切换器变更多个变压器的变压比。根据该实施方式，可调整向二次侧输出的电压。因此，可调整对加热器供给的电流的大小。

一实施方式中，等离子体处理装置可还具备控制多个切换器的控制部；控制部可实施第1控制与第2控制，所述第1控制，控制多个切换器并设定多个变压器的变压比，所述第2控制，控制多个切换器并将多个变压器的变压比设定为比在第1控制中设定的多个变压器的变压比高的变压比。该实施方式中，可在第1控制中向二次侧输出高电压而对加热器供给较大的电流，使加热器快速地发热。并且，可在使加热器快速地发热而接近目标温度后，在第2控制中向二次侧输出低电压而对加热器供给较小的电流，提高加热器的发热量的控制性。

在本发明的另一方面中，提供上述实施方式的等离子体处理装置的运用方法。该运用方法包含：第1工序，控制多个切换器，设定多个变压器的变压比；以及第2工序，控制多个切换器，将多个变压器的变压比设定为比在第1工序中设定的多个变压器的变压比高的变压比。根据该运用方法，可在第1工序中向二次侧输出高电压而对加热器供给较大的电流，使加热器快速地发热。并且，可在使加热器快速地发热而接近目标温度后，在第2工序中向二次侧输出低电压而对加热器供给较小的电流，提高加热器的发热量的控制性。

进而在本发明的另一方面中，提供一种供电装置，所述供电装置用于对设置在等离子体处理装置的载置台内的多个加热器供给电力。供电装置具有多个变压器及多个零交控制型的固态继电器。多个变压器构成为使来自交流电源的电压降压。多个变压器各自具有一次线圈及二次线圈。一次线圈与交流电源连接。多个零交控制型的固态继电器分别设置于多个加热器中对应的一个加热器与多个变压器中对应的一个变压器的二次线圈之间。

一实施方式中，供电装置可还具备多个切换器，所述多个切换器变更多个变压器的变压比。

发明效果

如上述说明，可控制对多个加热器的供电以获得高的温度控制分辨率，并抑制高次谐波噪声。

附图说明

图1是示意地表示一实施方式的等离子体处理装置的图。

图2是表示静电卡盘内的多个加热器的布局的一例的俯视图。

图3是表示一实施方式的供电装置的图。

图4是表示一实施方式的供电装置的一部分以及固态继电器的结构的图。

图5是表示通过零交控制型的固态继电器产生的电流的波形的一例的图。

图6是表示另一实施方式的供电装置的一部分的图。

图7是表示具备图6所示的供电装置的等离子体处理装置的运用方法的一实施方式的流程图。

图8是表示晶闸管的原理的图。

具体实施方式

以下，参考附图并对各种实施方式详细地进行说明。另外，对各附图中相同或相当的部分赋予相同符号。

图1为示意地表示一实施方式的等离子体处理装置的图。在图1中，示意地表示一实施方式的等离子体处理装置的纵截面的结构。图1所示的等离子体处理装置10为电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置。该等离子体处理装置10具备大致圆筒状的处理容器12。处理容器12例如由铝构成，并对其表面实施阳极氧化处理。

在处理容器12内，设置载置台16。载置台16包含静电卡盘18及基座20。基座20具有大致圆盘形状，例如由铝等导电性金属构成。该基座20构成下部电极。基座20被支承部14支承。支承部14是从处理容器12的底部延伸的圆筒状部件。

基座20通过匹配器MU1而与第1高频电源HFS电连接。第1高频电源HFS为主要产生等离子体生成用的高频功率的电源，产生27～100MHz的频率，在一例中产生40MHz的高频功率。匹配器MU1具有用于匹配第1高频电源HFS的输出阻抗与负载侧(基座20侧)的输入阻抗的电路。

并且，基座20通过匹配器MU2而与第2高频电源LFS电连接。第2高频电源LFS主要产生对被处理体(以下，称为“晶片W”)的离子导入用的高频功率(高频偏置功率)，并将该高频偏置功率供给至基座20。高频偏置功率的频率为400kHz～13.56MHz的范围内的频率，在一例中为3MHz。匹配器MU2具有用于匹配第2高频电源LFS的输出阻抗与负载侧(基座20侧)的输入阻抗的电路。

在基座20上，设置静电卡盘18。静电卡盘18通过库仑力等静电力吸附晶片W，保持该晶片W。静电卡盘18在陶瓷制的主体部内具有静电吸附用的电极18a。电极18a通过开关SW1而与直流电源22电连接。

在静电卡盘18内，内置多个加热器HT。多个加热器HT分别为电阻加热体，通过供给电流而产生热。加热器HT并未限定，但例如可为经图案化的薄膜加热器。并且，加热器HT可为箔电阻元件，该箔电阻元件可为金属。

图2为表示静电卡盘内的多个加热器的布局的一例的俯视图。如图2所示，在静电卡盘18，在铅垂方向上观察该静电卡盘18时，定义多个区域Z1、Z2、Z3。这些区域Z1～Z3为同心状的区域。即，区域Z1为包含静电卡盘18中心的圆形区域，区域Z2为包围区域Z1的大致环状的区域，区域Z3为包围区域Z2的大致环状的区域。

在区域Z1～Z3内定义多个区段。即，在静电卡盘18内定义多个区段。在一例中，如图2所示，在区域Z1内，以将该区域Z1在周向分割为L个的方式定义区段，将各个区段设为SG11～SG1L。在区域Z2内，以将该区域Z2在周向分割为M个的方式定义区段，将各个区段设为SG21～SG2M。在区域Z3内，以将该区域Z3在周向分割为N个的方式定义区段，将各个区段设为SG31～SG3N。在这些多个区段分别配置多个加热器HT。一实施方式中，多个加热器HT是每单位长度的电阻值相同的电阻加热体。并且，如图2所示，多个区段包含具有不同面积的区段。因此，多个加热器HT包含电阻值不同的加热器。对这些多个加热器HT，通过图1所示的供电装置PS供给电力。

另外，在静电卡盘18内定义的区域及区段并不限定于图2所示的方式。例如，也可定义在静电卡盘18以格子状的边界划定的多个区段，或定义将静电卡盘18内的区域以同心状划分的多个区段。并且，可定义比图2所示的区域的个数多的个数的区域，各区域中的区段的个数可比图2所示的区段的个数多或少。

如图1所示，在基座20的上表面上且静电卡盘18周围，设置对焦环FR。对焦环FR是为了提高等离子体处理的均匀性而设置的。对于对焦环FR，由根据应执行的等离子体处理适当选择的材料构成，例如可由硅或石英构成。

在基座20的内部形成有制冷剂流路24。对制冷剂流路24，从设置于处理容器12外部的冷却单元通过配管26a而供给制冷剂。被供给至制冷剂流路24的制冷剂，通过配管26b而返回冷却单元。

在处理容器12内，设置上部电极30。该上部电极30在载置台16的上方与基座20相对配置，基座20与上部电极30彼此大致平行地设置。

上部电极30通过绝缘性屏蔽部件32而被支承在处理容器12的上部。上部电极30可包含电极板34及电极支承体36。电极板34面向处理空间S，提供多个气体喷出孔34a。该电极板34可由焦耳热较少的低电阻的导电体或半导体构成。

电极支承体36以装卸自如的方式支承电极板34，例如可由铝等导电性材料构成。该电极支承体36可具有水冷结构。在电极支承体36的内部，设置气体扩散室36a。从该气体扩散室36a，与气体喷出孔34a连通的多个气体流通孔36b向下方延伸。并且，在电极支承体36形成有将处理气体导入至气体扩散室36a的气体导入口36c，将该气体导入口36c与气体供给管38连接。

在气体供给管38，通过阀组42及流量控制器组44而与气体源组40连接。阀组42具有多个开闭阀，流量控制器组44具有质量流量控制器等多个流量控制器。并且，气体源组40具有等离子体处理所需的多种气体用的气体源。气体源组40的多个气体源通过对应的开闭阀及对应的质量流量控制器而与气体供给管38连接。

等离子体处理装置10中，将来自选自气体源组40的多个气体源中的一个以上气体源的一个以上的气体供给至气体供给管38。供给至气体供给管38的气体到达气体扩散室36a，经由气体流通孔36b及气体喷出孔34a而向处理空间S喷出。

并且，如图1所示，等离子体处理装置10可还具备接地导体12a。接地导体12a为大致圆筒状的接地导体，设置为从处理容器12的侧壁向比上部电极30的高度位置更靠上方延伸。

并且，等离子体处理装置10中，沿着处理容器12的内壁以可装卸自如的方式设置沉淀屏蔽件46。并且，沉淀屏蔽件46也设置在支承部14的外周。沉淀屏蔽件46能够防止蚀刻副产物(沉积物)附着于处理容器12，可通过将Y₂O₃等陶瓷包覆于铝材而构成。

在处理容器12的底部侧，在支承部14与处理容器12的内壁之间设置有排气板48。排气板48例如可通过将Y₂O₃等陶瓷包覆于铝材而构成。在该排气板48的下方，在处理容器12设置有排气口12e。排气口12e通过排气管52而与排气装置50连接。排气装置50具有涡轮分子泵等真空泵，可将处理容器12内减压至期望的真空度。并且，在处理容器12的侧壁设置有晶片W的搬入搬出口12g，该搬入搬出口12g可通过闸阀54而开闭。

并且，等离子体处理装置10可还具备控制部Cnt。该控制部Cnt是具备处理器、存储部、输入装置、显示装置等的计算机，控制等离子体处理装置10的各部。该控制部Cnt中，利用输入装置，操作者可为了管理等离子体处理装置10而进行指令的输入操作等，并且，通过显示装置，可将等离子体处理装置10的运行状况可视化显示。另外，在控制部Cnt的存储部，收纳有用于通过处理器控制在等离子体处理装置10执行的各种处理的控制程序、用于根据处理条件而使等离子体处理装置10的各构成部执行处理的程序，即，收纳有处理配方。

图3为表示一实施方式的供电装置的图。并且，图4为表示一实施方式的供电装置的一部分以及SSR 80的结构的图。供电装置PS具有多个变压器70及多个零交控制型的固态继电器80(以下，称为“SSR 80”)。多个变压器70各自具有一次线圈71及二次线圈72。一次线圈71与交流电源、例如三相交流电源电连接。

SSR 80分别设置于多个加热器HT中对应的一个加热器HT与多个变压器70中对应的一个变压器的二次线圈72之间。多个加热器HT各自的第1端子通过第1配线L1而与对应的一个SSR 80连接。SSR 80与对应的变压器70的二次线圈72连接。图3所示的实施方式中，九个SSR 80与一个变压器70的二次线圈72连接。另外，通过SSR 80与一个变压器70连接的加热器HT可任意设定。

如图4所示，SSR 80具备输入电路80a、光电耦合器80b、零交叉电路80c、触发电路80d、三端双向交流开关(TRIAC)80e及缓冲电路80f。输入电路80a与温度控制单元82连接。温度控制单元82对输入电路80a赋予用于调整导通加热器HT与变压器70的期间的控制信号。温度控制单元82接收为了以与配方对应的发热量使加热器HT发热而从控制部Cnt发送的信号，并根据该信号而生成用于调整导通加热器HT与变压器70的期间的控制信号。并且，温度控制单元82接收通过电流监视器84计测到的电流值，根据该电流值而生成控制信号。

输入电路80a根据来自温度控制单元82的控制信号，而输出向光电耦合器80b的发光元件发送的输入信号。若该输入信号成为ON，则SSR 80在零电压附近成为ON，导通加热器HT与变压器70。另一方面，若输入信号成为OFF，则SSR 80在零电压附近成为OFF，实质上未对加热器HT供给电流。

图5中，表示SSR的通过ON/OFF控制而生成的电流的波形的一例。图5中，以实线表示的部分的波形的电流表示对加热器HT供给的电流，以虚线表示的波形表示SSR 80在OFF的期间未对加热器HT供给电流。根据SSR 80，在零电压附近，切换加热器HT与变压器70的导通状态。因此，如图5所示，在所生成的电流的波形中高频分量得到抑制。因此，根据SSR 80，可抑制高频噪声的产生。并且，对于SSR 80，可与高速且高频率的ON/OFF的切换对应，由于其是无接点继电器，因此具有无接触不良、无操作声音等优点。并且，SSR 80相较于晶闸管，具有便宜等优点。

如图3所示，多个加热器HT按每一包含两个以上加热器HT的组而并联。具体而言，构成一个组的两个以上加热器HT的第2端子与一条共同配线即第2配线L2电连接。并且，如图3所示，一条以上的第2配线L2与一个变压器70的二次线圈72连接。换言之，多个第2配线L2分别将多个加热器HT中对应的两个以上加热器的第2端子与多个变压器70中对应的变压器的二次线圈72共同连接。另外，图3所示的实施方式中，与一条第2配线L2共同连接的加热器HT的个数虽为3个，但与一条第2配线L2共同连接的加热器HT的个数可任意设定。并且，图3所示的实施方式中，将三条第2配线L2与一个变压器70的二次线圈72连接，但与一个变压器70的二次线圈72连接的第2配线L2的条数可任意设定。

多个变压器70分别对二次侧即二次线圈72输出使一次侧的电压降压的电压。在此，对供电装置PS的第1例进行研究。第1例中，如图3所示，将多个变压器70，即变压器701、变压器702及变压器703分别与九个加热器HT并联。并且，将与一个变压器连接的九个加热器HT的电阻值分别设为45.5Ω、40.4Ω、22.5Ω、45.5Ω、40.4Ω、22.5Ω、45.5Ω、40.4Ω、22.5Ω。并且，从三相交流电源的R相-S相对变压器701赋予电压，从三相交流电源的S相-T相对变压器702赋予电压，从三相交流电源的R相-T相对变压器703赋予电压。

第1例中，与各变压器连接的九个加热器HT的组合电阻值为3.7Ω。将200V的交流电源的各相与3.7Ω的组合电阻连接时，每1相的相电流成为200V/3.7Ω×√3＝93.6A。因此，若没有变压器，则需要供给93.6A×200V的电力，需要保护用的自动断路器。另一方面，若通过变压器70(701、702、703)将电压降压至100V，则最大电流成为46.8A。并且，若通过变压器70(701、702、703)将电压降压至50V，则最大电流成为23.4A。因此，通过采用变压器70，而可降低最大电流量。

如此，若通过变压器70将电压降压则可降低电流量，可降低对于温度控制单元82的控制输出的各加热器HT的发热量。因此，可提高温度控制单元82的控制的分辨率，即可对温度控制单元82的输出分辨率提高各加热器HT的发热量的控制分辨率。因此，即使如第1例那样将具有不同电阻值的加热器HT与各变压器70并联，也可提高基于各加热器HT的温度控制的分辨率。并且，供电装置PS由变压器70及SSR 80构成，因此提供便宜且小型的供电装置PS。并且，在具有分别设置在多个区段的多个加热器HT的结构中，可降低消耗电流。

以下，对供电装置PS的第2例进行研究。第2例中，与一个变压器并联的九个加热器HT具有大致相同的电阻值。具体而言，与变压器701连接的九个加热器HT各自的电阻值为45.5Ω。并且，与变压器702连接的九个加热器HT各自的电阻值为40.4Ω。并且，与变压器703连接的九个加热器HT各自的电阻值为25.5Ω。并且，设置有与变压器701连接的各加热器HT的区段的面积为2800mm²，设置有与变压器702连接的各加热器HT的区段的面积为2300mm²，设置有与变压器703连接的各加热器HT的区段的面积为1200mm²。并且，从三相交流电源的R相-S相对变压器701赋予电压，从三相交流电源的S相-T相对变压器702赋予电压，从三相交流电源的R相-T相对变压器703赋予电压。并且，变压器701将电压降压至100V，变压器702将电压降压至75V，变压器703将电压降压至50V。

第2例中，与变压器701连接的九个加热器HT的组合电阻值为5.1Ω，与变压器702连接的九个加热器HT的组合电阻值为4.5Ω，与变压器703连接的九个加热器HT的组合电阻值为2.5Ω。因此，在R相-S相消耗的电流成为19.6A，R相-S相的发热量成为1960.8W。并且，在S相-T相消耗的电流成为19.8A，S相-T相的发热量成为1253.1W。并且，在R相-T相消耗的电流成为20.0A，R相-T相的发热量成为1000W。因此，设置有与变压器701连接的各加热器HT的区段的每单位面积的发热量即发热密度成为0.08W/mm²。并且，设置有与变压器702连接的各加热器HT的区段的发热密度成为0.06W/mm²。设置有与变压器703连接的各加热器HT的区段的发热密度成为0.09W/mm²。如此，在与一个变压器并联的加热器HT具有大致相同的电阻值时，若通过变压器70将电压降压，则可降低多个区段各自的发热密度的差异。并且，与第1例同样地，可通过以变压器70将电压降压而降低电流量，因此可提高基于各加热器HT的温度控制的分辨率。

以下，将第2例的与变压器701连接的加热器HT作为例子，对温度控制的分辨率进行研究。如上述，与变压器701连接的九个加热器HT的电阻值为45.5Ω，设置有各加热器HT的区段的面积为2800mm²。并且，温度控制单元82的输出分辨率为0.1％。另外，温度控制单元82的输出分辨率是指能够以0.1％单位控制对加热器HT供给的电力。该例子中，若通过变压器701将电压降压至100V，则各加热器HT的发热量成为219.8W。因此，发热量的分辨率成为0.1％×219.8＝0.2198W。为了将各区段升温1℃而所需的发热量，以区段的面积×热流通量计算。热流通量根据所使用的材质的组合电阻计算，但在此为0.67×10^-3[W/mm²]。因此，为了将各区段升温1℃而所需的发热量，成为2800mm²×0.67×10^-3[W/mm²]＝1.876W。根据该发热量，温度控制单元82的输出分辨率为0.1％时，获得0.2198W/1.876W＝0.117℃的升温量。即，可获得0.117℃的温度控制的分辨率。例如，一般所要求的温度控制的分辨率为1℃以下，因此根据该研究，确认到通过供电装置PS而可实现较高的温度控制的分辨率。并且，通过提高温度控制单元82的输出分辨率，例如设为0.05％，可获得更高的温度控制的分辨率。

以下，对另一实施方式进行说明。图6为表示另一实施方式的供电装置的一部分的图。如图6所示，供电装置PS在各变压器70与SSR 80之间具备切换器90。即，另一实施方式的供电装置PS中，将多个切换器90与多个变压器分别连接。切换器90通过变更对应的变压器70的变压比，而调整该变压器70的二次侧的输出电压。在一例中，切换器90选择变压器70的多个分接头中的任一个，可构成为与所选择的分接头连接的继电器电路。该例子中，切换器90通过基于上述控制部Cnt的控制，而可切换所选择的分接头。

图7为表示具备图6所示的供电装置的等离子体处理装置10的运用方法的一实施方式的流程图。图7所示的运用方法包含第1工序ST1及第2工序ST2。第1工序ST1中，控制与多个变压器70分别连接的多个切换器90，设定这些变压器70的变压比。第1工序ST1中的多个切换器90的控制可通过基于控制部Cnt的第1控制而执行。

接下来的第2工序ST2中，控制多个切换器90，将这些变压器70的变压比设定为比第1工序ST1中设定的多个变压器70的变压比高的变压比。第2工序ST2中的多个切换器90的控制可通过基于控制部Cnt的第2控制而执行。通过该第2工序ST2，对变压器70的二次侧输出比第1工序ST2的二次侧的电压低的电压。因此，对与变压器70连接的对应的加热器HT供给的电流量降低。其结果，第2工序ST2中，可提高温度控制的分辨率。另一方面，第1工序ST1中，能够对加热器HT供给较大的电流，因此可快速加热。

对于图7所示的运用方法，例如，在利用等离子体处理装置10进行第1工艺，接着进行第2工艺的状况下，需要使第2工艺中的晶片W的温度比第1工艺中的晶片W的温度更快速地升温时，可使用该方法。该例子中，通过将连接端切换为可获得低变压比的分接头，而可提高变压器70的二次侧的输出电压并增加对加热器HT供给的电流量，通过加热器HT使载置台16及晶片W快速地升温。如此快速地使载置台16及晶片W升温后，通过将连接端切换为可获得高的变压比的分接头，而可降低变压器70的二次侧的输出电压并降低对加热器HT供给的电流量，高精度地控制基于加热器HT的载置台16及晶片W的温度。

以上，对各种实施方式进行了说明，但并不限定于上述实施方式，而可构成各种变形方式。例如，上述实施方式的等离子体处理装置为电容耦合型的等离子体处理装置，但等离子体处理装置也可为任意方式的等离子体处理装置。例如，等离子体处理装置可为电感耦合型的等离子体处理装置，也可为将微波等表面波用作等离子体源的等离子体处理装置。

符号说明

10-等离子体处理装置，12-处理容器，16-载置台，18-静电卡盘，20-基座，HT-加热器，PS-供电装置，70-变压器，71-一次线圈，72-二次线圈，80-固态继电器，82-温度控制单元，90-切换器，Cnt-控制部。