氮化镓基发光二极管的制作方法

技术特征：

1.氮化镓基发光二极管，依次包括：n型氮化物层、有源层、电子阻挡层、能带扭曲层和p型氮化物层，其特征在于：所述有源层表面上具有V型缺陷和连接所述V型缺陷的平面区，所述能带扭曲层为具有足够低的能隙的n型氮化物层，致使所述电子阻挡层之能带扭曲。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述能带扭曲层的能隙Eg<3eV。

3.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述电子阻挡层及能带扭曲层形成于平面区并向所述V型缺陷侧壁区延伸，当注入电流时促使空穴从平面区及V型缺陷处注入有源层。

4.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述能带扭曲层为Al_x1In_(1-x1)N层，其中0<x1≤0. 4。

5.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述能带扭曲层为In_x2Ga_(1-x2)N层，其中0.07<x2。

6.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述能带扭曲层的厚度为0.5~5nm。

7.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述能带扭曲层具有n型掺杂，其掺杂浓度为5×10¹⁷~ 5×10¹⁸ cm^-3。

8.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述电子阻挡层与所述能带扭曲层的间距为0≤d≤5nm。

9.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述电子阻挡层的材料为Al_x3In_(1-x3)N，其中 0.8<x3≤1。

10.根据要利要求9所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述电子阻挡层Al_x3In_(1-x3)N在V型缺陷的侧壁处形成之厚度小于1nm。