技术总结
本发明公开了一种氮化镓基发光二极管，依次包括：n型氮化物层、有源层、电子阻挡层、能带扭曲层和p型氮化物层，其特征在于：所述有源层表面上具有V型缺陷和连接所述V型缺陷的平面区，所述能带扭曲层之材料具有足够低的能隙，致使所述电子阻挡层之能带扭曲，降低电子阻挡层对空穴之有效势垒高度，加强空穴从C‑plane注入之效率，提高了LED的发光效率。
技术研发人员：陈秉扬;张中英;赖昭序;曾建尧;张洁;朱学亮;刘信佑;卢德恩;刘建明
受保护的技术使用者：厦门三安光电有限公司
文档号码：201710050629
技术研发日：2017.01.23
技术公布日：2017.05.31