1.一种标准FLASH存储模组，其特征在于：采用标准引脚和结构定义的转接电路板模块各引脚与FLASH单元引脚呈一一对应关系，FLASH单元焊贴于标准转接电路板模块上。
2.一种标准FLASH存储模组，其特征在于：根据权利1所述的标准引脚,采用26个标准引脚，定义为D7、D6、D5、D4、D3、D2、D1、D0、CE7、CE6、CE5、CE4、CE3、CE2、CE1、CE0、VCC、VCCQ、GND、DQS、RB、RE、CLE、ALE、WE、WP，可一一对应连接到FLASH单元对应引脚。
3.一种标准FLASH存储模组，其特征在于：根据权利1所述的标准引脚功能定义为CLE(命令锁存功能)、ALE（地址锁存功能）、CE0-CE7(芯片使能)、RE(读使能)、WE(写使能)、WP(写保护)、RB(就绪、忙输出信号)、VCC /VCCQ(电源)、GND(地)、DQS(数据控制功能)、D0-D7(传输数据、命令、地址)。
4.一种标准FLASH存储模组，其特征在于：根据权利1所述的标准结构为标准引脚分布排列于电路板边缘且贯通于电路板两面。
5.一种标准FLASH存储模组，其特征在于：在焊贴到主板一面设置标准布局的测试点26个，可用于测试封装FLASH单元后的标准FLASH存储模组。
6.一种标准FLASH存储模组，其特征在于：根据权利5所述的26个标准测试点定义为D7、D6、D5、D4、D3、D2、D1、D0、CE7、CE6、CE5、CE4、CE3、CE2、CE1、CE0、VCC、GND、DQS、RB、RE、CLE、ALE、WE、WP。
7.一种标准FLASH存储模组，其特征在于：根据权利5所述的26个标准测试点功能具体设为CLE(命令锁存功能)、ALE（地址锁存功能）、CE0-CE7(芯片使能)、RE(读使能)、WE(写使能)、WP(写保护)、RB(就绪、忙输出信号)、VCC /VCCQ(电源)、GND(地)、DQS(数据控制功能)、D0-D7(传输数据、命令、地址)。
8.一种标准FLASH存储模组，其特征在于：根据权利5所述的标准测试点布局，按照利于引出的和便于设置标准测试点的原则引出,分布于模块矩形面的中间部分，呈圆点状行列排布。
9.一种标准FLASH存储模组，其特征在于：标准FLASH存储模组标准引脚与主板对应面上焊接点呈镜像对应关系,标准FLASH存储模组通过焊接点焊贴于主板上，并实现电连接。
10.一种标准FLASH存储模组，其特征在于：其封装FLASH单元类型包括但不限于FLASH晶圆、拆机FLASH芯片、Dice（Wafer）芯片等符合规范的各种FLASH芯片。
11.一种标准FLASH存储模组，其特征在于：各类型FLASH单元对应的标准转接电路板模块遵循相同的标准引脚定义和相同的标准测试点布局。
12.一种标准FLASH存储模组，其特征在于：其标准转接电路板模块形状为矩形，尺寸为22mm*14.1mm，边缘相邻标准引脚中心间距1.2mm，行或列内相邻标准测试点心间距2mm，各标准测试点直径1.0mm。