存储器件及包括其的存储系统的制作方法
【专利摘要】一种存储器件可以包括：温度传感器，适合于产生温度信息；以及智能刷新电路，适合于在内部刷新信号被激活设定数目的次数时激活智能刷新信号，以及基于温度信息控制设定数目。
【专利说明】存储器件及包括其的存储系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2015年2月2日提交的第10-2015-0015952号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请通过引用全部合并于此。
技术领域
[0003]本发明的示例性实施例涉及一种存储器件，更具体地，涉及一种存储器件的刷新操作。
【背景技术】
[0004]存储器件的存储单元包括:晶体管，被配置为用作开关；以及电容器，被配置为储存电荷(或数据)。根据存储单元的电容器中是否有电荷，即，电容器的两个端子之间的电压电势是高还是低，将数据的电平确定为“高”(逻辑I)或“低”(逻辑O)。理论上，由于电容器中应该保持电荷，因此不存在功耗。然而，当储存在电容器中的电荷由于泄露而丢失时，可能丢失数据。这种泄露归因于MOS晶体管的PN结。为了防止这种丢失，需要在数据丢失之前，读取储存在存储单元中的数据，并基于读取数据再充电存储单元。保持数据的唯一方法是通过周期性地重复再充电。再充电存储单元电容器的这个过程被称为刷新操作。
[0005]电荷泄露的量随着温度升高而增多，并且随着温度降低而减少。S卩，存储单元的数据保持时间随着温度升高而缩短，并且随着温度降低而延长。相应地，由于刷新操作需要在温度高时被更频繁地执行而在温度低时不那么频繁地执行，因此存在用于控制对于刷新操作根据温度多久执行一次来讲的周期的技术。
[0006]随着存储器件的集成度增加，字线之间的间隔减小。随着字线之间的间隔减小，相邻字线之间的耦合效应增加。
[0007]每当数据被输入到存储单元以及从存储单元输出时，字线在激活状态(activestate)和非激活状态(inactive state)之间切换。这引起相邻字线的親合效应。这可以影响连接到相邻字线的存储单元的充电，导致数据丢失。这种现象被称为行撞击现象(rowhammering phenomenon)。由于行撞击现象，储存在存储单元中的数据会在刷新存储单元之前丢失或改变。
[0008]图1是示出行撞击现象并示出包括在存储器中的单元阵列的部分的示图。
[0009]在图1中，‘WLK’对应于频繁激活的字线，‘WLK-1’和‘WLK+1’对应于与频繁激活的字线WLK相邻地布置的字线。另外，‘CELLJT是连接到频繁激活的字线WLK的存储单元，‘CELL_K-1’是连接到相邻字线WLK-1的存储单元，‘CELL_K+1’是连接到相邻字线WLK+1的存储单元。存储单元CELL_K、CELL_K-1和CELL_K+1包括单元晶体管TR_K、TR_K_1和TR_Κ+l以及单元电容器CAP_K、CAP_K-1和CAP_K+1。用于参考，‘BL’和‘BLB’指示位线。
[0010]在图1，当频繁激活的字线WLK被激活或去激活时，由于频繁激活的字线WLK和相邻字线WLK-1之间以及频繁激活的字线WLK和相邻字线WLK+1之间的耦合现象，相邻字线WLK-1和相邻字线WLK+1的电压上升或下降，从而影响储存在存储单元CELL_K-1和CELL_κ+l中的电荷量。当频繁激活的字线WLK在激活状态和非激活状态之间切换时，储存在存储单元CELL_K-1和CELL_K+1的单元电容器CAP_K_1和CAP_K+1中的电荷量可以增加，并且储存在存储单元中的数据可以丢失。
[0011]进一步解释耦合效应，由于当字线在激活状态和非激活状态之间切换时产生的电磁波，电子被推进相邻字线的存储单元的电容器中或从相邻字线的存储单元的电容器排出。
[0012]主要用于改善行撞击现象的方法是除了正常刷新操作外额外刷新相邻字线WLK+1和WLK-1，在撞击现象中，储存在连接到相邻字线WLK+1和WLK-1的存储单元CELL_K_1和CELL_K+1中的数据由于频繁激活的字线WLK而劣化。这种刷新操作被称为智能刷新操作。通常，每当执行设定数目的正常刷新操作时，执行智能刷新操作。例如，每当执行四个正常刷新操作时，可以执行智能刷新操作一次。
[0013]存储单元的数据保持时间受温度影响，然而，由于行撞击现象而流失数据的现象与温度不相关。相应地，需要这样一种技术，即，通过温度控制正常刷新操作的周期，并且与温度无关地控制智能刷新操作的周期。
【发明内容】
[0014]各种实施例涉及能够响应于温度控制正常刷新操作的周期以及无关于温度来控制智能刷新操作的周期的存储器件和存储系统。
[0015]在实施例中，存储器件可以包括:温度传感器，适合于产生温度信息；以及智能刷新电路，适合于当内部刷新信号被激活设定数目的次数时激活智能刷新信号，以及基于温度信息控制设定数目。
[0016]智能刷新电路可以在温度信息指示较高温度时增加设定数目，以及可以在温度信息指示较低温度时减小设定数目。
[0017]智能刷新信号可以包括使能智能刷新操作的信号，智能刷新操作用于刷新耦合到与频繁激活的字线相邻的字线的存储单元。
[0018]当基于温度信息控制内部刷新信号的激活时，智能刷新电路可以基于温度信息控制设定数目，并且当无关于温度信息来控制内部刷新信号的激活时，智能刷新电路可以控制设定数目，而不管温度信息如何。
[0019]在实施例中，存储器件可以包括:温度传感器，适合于产生温度信息；正常刷新电路，适合于当内部温度控制刷新模式被设定时，在基于温度信息以特定比率选择性地接收刷新命令时，响应于刷新命令产生内部刷新信号；以及智能刷新电路，适合于当内部刷新信号被激活设定数目的次数时激活智能刷新信号，以及当内部温度控制刷新模式和外部温度控制刷新模式中的任意一个被设定时，基于温度信息控制设定数目。
[0020]正常刷新电路可以在温度信息指示较高温度时增加特定比率，以及当温度信息指示较低温度时减小特定比率。智能刷新电路可以在温度信息指示较高温度时增加设定数目，以及当温度信息指示较低温度时减小设定数目。
[0021]在实施例中，存储系统可以包括存储控制器和存储器件。存储控制器可以将刷新命令施加到存储器件。存储器件可以包括:温度传感器，用于产生温度信息；正常刷新电路，适合于当基于温度信息以特定比率选择性地接收刷新命令时，在刷新命令被施加时激活用于执行正常刷新操作的内部刷新信号；以及智能刷新电路，适合于在内部刷新信号被施加设定数目的次数时，激活用于执行智能刷新操作的智能刷新信号。
[0022]智能刷新电路可以在内部刷新信号被激活设定数目的次数时激活智能刷新信号，并可以基于温度信息控制设定数目。
[0023]在实施例中，存储系统可以包括存储控制器和存储器件。存储控制器可以控制响应于从存储器件接收到的温度信息来将刷新命令施加到存储器件的周期。存储器件可以包括:温度传感器，适合于产生温度信息；传输单元，适合于将温度信息传输到存储控制器；正常刷新电路，适合于每当刷新命令被施加时，激活用于执行正常刷新操作的内部刷新信号；以及智能刷新电路，适合于当内部刷新信号被施加设定数目的次数时激活用于执行智能刷新操作的智能刷新信号，以及基于温度信息控制设定数目。
【附图说明】
[0024]图1是示出行撞击现象并示出包括在存储器中的单元阵列的部分的示图。
[0025]图2是示出根据本发明实施例的存储系统的框图。
[0026]图3示出图2的存储器件的详细框图。
[0027]图4示出图3的智能刷新电路的电路框图。
[0028]图5A至图5C是示出在内部温度控制刷新模式下的图2的存储系统的操作的波形图。
[0029]图6A至图6C是示出在外部温度控制刷新模式下的图2的存储系统的操作的波形图。
【具体实施方式】
[0030]以下将参考附图更详细地描述各种实施例。然而，本发明可以以不同形式实施，并且不应该被解释为限于本文阐述的实施例。更确切地说，提供这些实施例使得本公开将是全面的和完整的，这些实施例将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。贯穿本公开，附图标记直接对应于本发明的各种图和实施例中的相同标记部分。还应注意，在本说明书中，“连接/耦合”不仅指一个部件直接耦合另一个部件，还指一个部件通过中间部件间接耦合另一个部件。此外，只要语句中未特别提及，单数形式可以包括复数形式。
[0031]图2是示出根据本发明实施例的存储系统的示图。
[0032]参考图2，存储系统可以包括存储控制器210和存储器件220。
[0033]存储控制器210可以控制存储器件220的操作。从存储控制器210施加到存储器件220的命令CMD可以表示将要由存储器220执行的操作。例如，存储控制器210可以指示存储器件220响应于命令CMD来执行激活操作、预充电操作、读取操作、写入操作、刷新操作和设定操作。命令CMD可以包括多个信号。所述信号可以包括芯片选择信号CS、激活信号ACT、行地址选通信号RAS、列地址选通信号CAS和写入使能信号WE。从存储控制器210施加到存储器件220的地址ADD可以指在存储器件220内将被访问的区域，即，对其执行读取操作或写入操作的区域。当执行写入操作时，存储控制器210可以输出将被写入的数据DATA到存储器件220。当执行读取操作时，存储控制器210可以接收从存储器件220读取的数据DATA。
[0034]存储控制器210可以响应于命令CMD周期性地施加刷新命令，刷新命令指示存储器件220执行正常刷新操作。为了控制根据温度执行正常刷新操作的周期，存储器件220可以使用第一方法和第二方法。在第一方法中，存储器件220可以在存储控制器210的控制下来控制执行正常刷新操作的周期(在下文，这被称为外部温度控制刷新模式)。在第二方法中，存储器件220可以自身控制执行正常刷新操作的周期(在下文中，这被称为内部温度控制刷新模式)。
[0035]在外部温度控制刷新模式下，传达存储器件220的温度的温度信息TEMPA、TEMPB和TEMPC可以从存储器件220传输到存储控制器210。相应地，存储控制器210可以基于所接收的温度信息TEMPA、TEMPB和TEMPC来控制刷新命令被施加到存储器件220的周期。当存储器件220的温度较高时，因为存储器件220的数据保持时间被缩短，因此存储控制器210可以用第一周期将刷新命令更频繁地施加到的存储器件220。此外，当存储器件220的温度较低时，因为存储器件220的数据保持时间被延长，因此存储控制器210可以用第二周期将刷新命令施加到存储器件220，第二周期大于第一周期。相应地，存储器件220可以根据温度控制执行正常刷新操作的周期。
[0036]在内部温度控制刷新模式下，存储控制器210可以不从存储器件220接收温度信息TEMPA、TEMPB和TEMPC。相应地，存储控制器210以固定间隔(regular interval)将刷新命令施加到存储器件220，而不管温度如何。作为替代，因为存储器件220根据温度以特定比率选择性地接收从存储控制器210施加的刷新命令，因此可以根据温度控制存储器件220执行正常刷新操作的周期。
[0037]在外部温度控制刷新模式和内部温度控制刷新模式下，可以以特定间隔执行由存储器件220执行的智能刷新操作，而不管温度如何。
[0038]图3示出图2的存储器件220的详细框图。
[0039]参考图3，存储器件220可以包括命令输入单元301、地址输入单元302、数据输入/输出单元303、温度信息传输单元304、命令解码器310、设定电路311、正常刷新电路320、智能刷新电路330、温度传感器340、地址计数器350、目标地址发生单元360、行电路370、列电路380和单元阵列390。
[0040]命令输入单元301可以从存储控制器210接收命令CMD。地址输入单元302可以从存储控制器210接收地址ADD。数据输入/输出单元303可以从存储控制器210接收数据DATA，或将从单元阵列390读取的数据DATA输出到存储控制器210。在外部温度控制刷新模式下，即，当外部温度控制刷新模式信号EXT_TCR被激活时，温度信息传输单元304可以将温度信息TEMPA、TEMPB和TEMPC输出到存储控制器210。因为命令CMD、地址ADD、数据DATA以及温度信息TEMPA、TEMPB和TEMPC中的每个包括多比特，因此命令输入单元301、地址输入单元302、数据输入/输出单元303和温度信息传输单元304可以被配置为接收或输出多比特的信号。在图3中，用于输出温度信息TEMPA、TEMPB和TEMPC的元件已经被示为在温度信息传输单元304中被分别配置。可能能够进行各种修改，诸如，温度信息TEMPA、TEMPB和TEMPC通过数据输入/输出单元303传输到存储控制器210的配置。
[0041]命令解码器310可以通过解码从命令输入单元301接收到的命令CMD而产生多种内部命令ACT、PCG、RD、WT、REF和MRS。内部命令可以包括激活命令ACT、预充电命令PCG、读取命令RD、写入命令WT、刷新命令REF和用于模式寄存器设定的设定命令MRS。
[0042]当设定命令MRS被激活时，设定电路311可以通过解码从地址输入单元302接收到的地址ADD来执行各种类型的设定操作。设定电路311可以在外部温度控制刷新模式被设定时激活外部温度控制刷新模式信号EXT_TCR，以及在内部温度控制刷新模式被设定时激活内部温度控制刷新模式信号INT_TCR。此外，设定电路311还可以执行操作以设定各种电压电平并延迟在存储器件220中使用的值。因为设定操作不直接涉及本发明的实施例，因此设定操作的详细描述被省略。
[0043]温度传感器340可以测量存储器件220的温度，并产生温度信息TEMPA、TEMPB和TEMPC0温度信息TEMPA、TEMPB和TEMPC可以包括第一信号到第三信号。在高温下可以激活第三信号TEMPC，在常温下可以激活第二信号TEMPB，在低温下可以激活第一信号TEMPA。温度信息TEMPA、TEMPB和TEMPC被示出为包括三个信号，但是包括在温度信息中的信号的数目和形式可以根据设计而不同。
[0044]正常刷新电路320可以响应于刷新命令REF，产生内部刷新信号REF_I。内部刷新信号REF_I可以使能将要执行的内部刷新操作。当内部温度控制刷新模式信号INT_TCR被去激活时，每当刷新命令REF被激活时，正常刷新电路320可以激活内部刷新信号REF_K当内部温度控制刷新模式信号INT_TCR被激活时，正常刷新电路320可以通过根据温度信息TEMPA、TEMPB和TEMPC以特定比率选择性地接收刷新命令REF，来激活内部刷新信号REF_L.正常刷新电路320选择性地接收刷新命令REF的特定比率可以随着温度升高而增加，并且可以随着温度下降而减小。例如，在高温下，当第三信号TEMPC被激活时，每当施加刷新命令REF时，正常刷新电路320可以接收刷新命令REF。在常温下，当第二信号TEMPB被激活时，正常刷新电路320可以接收刷二分之一的刷新命令REF。S卩，当刷新命令REF被施加两次时，正常刷新电路320可以接收刷新命令REF —次。在低温下，当第一信号TEMPA被激活时，正常刷新电路320可以接收四分之一的刷新命令REF。S卩，当刷新命令REF被施加四次时，正常刷新电路320可以接收刷新命令REF —次。
[0045]当内部刷新信号REF_I被激活设定数目的次数时，智能刷新电路330可以激活智能刷新信号REF_SMT。智能刷新信号REF_SMT可以用于执行智能刷新操作，智能刷新操作用于刷新耦合到受行撞击现象影响的字线(即，与频繁激活的字线相邻的字线)的存储单元。当内部温度控制刷新模式被设定并且内部温度控制刷新模式信号INT_TCR被激活时，或当外部温度控制刷新模式被设定并且外部温度控制刷新模式信号EXT_TCR被激活时，智能刷新电路330可以基于温度信息TEMPA、TEMPB和TEMPC控制设定数目。例如，在高温下，当第三信号TEMPC被激活时，设定数目可以被设定为八，并且每当内部刷新信号REF_I被激活八次，可以激活智能刷新信号REF_SMT。在常温下，当第二信号TEMPB被激活时，设定数目可以被设定为四，并且每当内部刷新信号REF_I被激活四次时，可以激活智能刷新信号REF_SMT。在低温下，当第一信号TEMPA被激活时，设定数目可以被设定为二，并且每当内部刷新信号REF_I被激活二次时，可以激活智能刷新信号REF_SMT。当内部温度控制刷新模式和外部温度控制刷新模式两者都未被设定时，即，当内部温度控制刷新模式信号INT_TCR和外部温度控制刷新模式信号EXT_TCR两者都被去激活时，设定数目可以被设定为特定值，而不管温度信息TEMPA、TEMPB和TEMPC如何。
[0046]地址计数器350可以产生在正常刷新操作中将要使用的计数地址CNT_ADD。因为正常刷新操作用于顺序地刷新字线，因此每当内部刷新信号REF_I被激活时，地址计数器350可以增加计数地址CNT_ADD的值。例如，在计数地址CNT_ADD对应于第二字线WL2的情况下，当内部刷新信号REF_I被激活时，计数地址CNT_ADD的值可以增加为对应于第三字线WL3。
[0047]目标地址发生单元360可以产生在智能刷新操作中将要使用的目标地址TAR_ADD。因为智能刷新操作用于刷新与频繁激活的字线相邻的字线，因此目标地址发生单元360可以检测频繁激活的字线(其针对特定部分已经被过多激活若干次)，并且当智能刷新信号REF_SMT被激活时，可以产生对应于与频繁激活的字线相邻的字线的目标地址TAR_ADD0例如，当字线WL103被确定为是频繁激活的字线时，目标地址发生单元360可以在智能刷新信号REF_SMT被激活时产生对应于字线WL102的目标地址TAR_ADD，并且可以在智能刷新信号REF_SMT被再次激活时产生对应于字线WL104的目标地址TAR_ADD。目标地址发生单元360可以响应于激活命令ACT和从地址输入单元302接收到的地址ADD，确定频繁激活的字线。
[0048]单元阵列390可以包括多个字线WL0-WLN、多个位线BLO-BLBM以及存储单元MC。每个存储单元MC可以包括由相应字线控制的晶体管以及被配置为储存通过相应位线输入/输出的数据的电容器。
[0049]行电路370可控制单元阵列390的行操作。当激活命令ACT被激活时，行电路370可以激活对应于从地址输入单元302接收到的地址ADD的字线。此外，当预充电命令PCG被激活时，行电路370可以去激活响应于激活命令ACT而被激活的字线。而且，当内部刷新信号REF_I被激活时，行电路370可以控制耦合到与将要刷新的计数地址CNT_ADD对应的字线的存储单元。最后，当智能刷新信号REF_SMT被激活时，行电路370可以控制耦合到与将要刷新的目标地址TAR_ADD对应的字线的存储单元。
[0050]列电路380可以控制单元阵列380的列操作。当读取命令RD被激活时，列电路380可以从与从地址输入单元302接收到的地址ADD对应的位线读取数据DATA，并且输出读取的数据到数据输入/输出单元303。此外，当写入命令WT被激活时，列电路380可以将从数据输入/输出单元303接收到的数据DATA传输到与从地址输入单元302接收到的地址ADD对应的位线，以便写入数据DATA。
[0051]图4示出图3的智能刷新电路330的电路框图。
[0052]参考图4，智能刷新电路330可以包括温度信息传输单元410、计数器420和激活单元430。
[0053]当内部温度控制刷新模式被设定或外部温度控制刷新模式被设定时，温度信息传输单元410可以将温度信息TEMPA、TEMPB和TEMPC传输到激活单元430而不进行任何改变。此外，当内部温度控制刷新模式和外部温度控制刷新模式两者都未被设定时，温度信息传输单元410可以阻止温度信息TEMPA、TEMPB和TEMPC被传输到激活单元430，并且可以将被固定为预设值的温度信息TEMPA1、TEMPBI和TEMPCI传输到激活单元430。S卩，当响应于温度信息TEMPA、TEMPB和TEMPC控制正常刷新操作时，温度信息传输单元410将温度信息TEMPA、TEMPB和TEMPC传输到激活单元430而不进行任何改变，使得响应于温度信息TEMPA、TEMPB和TEMPC来控制设定数目。当无关于温度信息TEMPA、TEMPB和TEMPC来控制正常刷新操作时，温度信息传输单元410可以将固定的温度信息TEMPA1、TEMPBI和TEMPCI (使得无关于温度信息TEMPA、TEMPB和TEMPC来控制设定数目)传输到激活单元430。
[0054]温度信息传输单元410可以包括或非(NOR)门411、反相器412、或(OR)门413以及与(AND)门414和415。当内部温度控制刷新信号INT_TCR或外部温度控制刷新信号EXT_TCR被激活时，温度信息传输单元410可以输出温度信息TEMPA、TEMPB和TEMPC分别作为TEMPA1、TEMPBI和TEMPCI。当内部温度控制刷新信号INT_TCR和外部温度控制刷新信号EXT_TCR被去激活时，温度信息传输单元410可以以固定水平(L，H, L)输出温度信息TEMPA1、TEMPBI 和 TEMPCI，而不管温度信息 TEMPA、TEMPB 和 TEMPC 如何。
[0055]计数器420可以计数内部刷新信号REF_I的激活数目，并产生二进制码C0DE〈0:3>。当智能刷新信号REF_SMT被激活时，二进制码C0DE〈1: 3>可以被重置为初始值
(0,0,0,0) ο
[0056]激活单元430可以基于温度信息TEMPA1、TEMPBI和TEMPCI以及二进制码C0DE〈0:3>，产生智能刷新信号REF_SMT。当二进制码C0DE〈0:3>的值与对应于温度信息TEMPAI, TEMPBI和TEMPCI的值相同时，激活单元430可以激活智能刷新信号REF_SMT。例如，当二进制码C0DE〈0:3>的值是8且第六信号TEMPCI被激活时，激活单元430可以激活智能刷新信号REF_SMT。当二进制码C0DE〈0: 3>的值是4且第五信号TEMPBI被激活时，激活单元430可以激活智能刷新信号REF_SMT。当二进制码C0DE〈0:3>的值是2且第四信号TEMPAI被激活时，激活单元430可以激活智能刷新信号REF_SMT。
[0057]激活单元430可以包括AND门431至433、OR门434和脉冲发生器435。当第六信号TEMPCI被激活且二进制码C0DE〈3>被激活时，中间信号A可以被激活。当第五信号TEMPBI被激活且二进制码C0DE〈2>被激活时，中间信号A可以被激活。当第四信号TEMPAI被激活且二进制码C0DE〈1>被激活时，中间信号A可以被激活。此外，当中间信号A被激活时，智能刷新信号REF_SMT(即，脉冲信号)可以被激活。
[0058]图5A到图5C是示出在内部温度控制刷新模式下的图2的存储系统的操作的波形图。图5A示出在高温下的操作，图5B示出在常温下的操作，图5C示出在低温下的操作。
[0059]参考图5A，在高温下，每当刷新命令REF从存储控制器210施加到存储器件220时，正常刷新电路320可以激活内部刷新信号REF_I。S卩，每当刷新命令REF被施加时，正常刷新电路320接收刷新命令REF。当内部刷新信号REF_I被激活八次时，智能刷新电路330可以激活智能刷新信号REF_SMT。
[0060]参考图5B，在常温下，当刷新命令REF被从存储控制器210施加到存储器件220八次时，正常刷新电路320可以激活内部刷新信号REF_I四次。S卩，正常刷新电路320可以接收二分之一的刷新命令REF。图5B示出已经忽略在“跳过(Skip) ”正上方的刷新命令REF。当内部刷新信号REF_I被激活四次时，智能刷新电路330可以激活智能刷新信号REF_SMT。
[0061]参考图5C，在低温时，当刷新命令REF被从存储控制器210施加到存储器件220八次时，正常刷新电路320可以激活内部刷新信号REF_I两次。S卩，正常刷新电路320可以接收四分之一的刷新命令REF。图5C示出已经忽略在“跳过”正上方的刷新命令REF。当内部刷新信号REF_I被激活两次时，智能刷新电路330可以激活智能刷新信号REF_SMT。
[0062]从图5A到图5C，可以看出已经执行的正常刷新操作的数目根据温度变化，但已经执行的智能刷新操作的数目是恒定的，而不管温度如何。
[0063]图6A到图6C是示出在外部温度控制刷新模式下的图2的存储系统的操作的波形图。图6A示出在高温下的操作，图6B示出在常温下的操作，图6C示出在低温下的操作。
[0064]参考图6A，在高温下，刷新命令REF频繁地从存储控制器210施加到存储器件220。此外，每当刷新命令REF被施加时，正常刷新电路320可以激活内部刷新信号REF_I。当内部刷新信号REF_I被激活八次时，智能刷新电路330可以激活智能刷新信号REF_SMT。
[0065]参考图6B，在常温下，刷新命令REF仅以图6A中所示的高温下的刷新命令REF的输入数目的二分之一，被从存储控制器210施加到存储器件220。此外，每当刷新命令REF被施加时，正常刷新电路320可以激活内部刷新信号REF_I。当内部刷新信号REF_I被激活四次时，智能刷新电路330可以激活智能刷新信号REF_SMT。
[0066]参考图6C，在低温下，刷新命令REF仅以常温下的刷新命令REF的输入数目的二分之一，被从存储控制器210施加到存储器件220。此外，每当刷新命令REF被施加时，正常刷新电路320可以激活内部刷新信号REF_I。相比之下，当内部刷新信号REF_I被激活两次时，智能刷新电路330可以激活智能刷新信号REF_SMT。
[0067]从图6A到图6C可以看出，刷新命令REF从存储控制器210施加到存储器件220的频率根据温度变化，并且每当刷新命令被施加时，正常刷新电路320接收刷新命令REF。还可以看出，已经执行的正常刷新操作的数目根据温度而变化，但已经执行的智能刷新操作的数目是恒定的，而不管温度如何。
[0068]根据本发明的实施例，执行正常刷新操作和智能刷新操作的周期可以被最佳控制。
[0069]尽管为了说明的目的已经描述各种实施例，但对于本域技术人员明显的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以做出各种变化和修改。
[0070]通过以上实施例可见，本申请提供了以下技术方案。
[0071]技术方案1.一种存储器件，包括:
[0072]温度传感器，适合于产生温度信息；以及
[0073]智能刷新电路，适合于在内部刷新信号被激活设定数目的次数时激活智能刷新信号，以及基于温度信息控制所述设定数目。
[0074]技术方案2.根据技术方案I所述的存储器件，其中，智能刷新电路在温度信息指示较高温度时增加所述设定数目，以及在温度信息指示较低温度时减小所述设定数目。
[0075]技术方案3.根据技术方案I所述的存储器件，其中，智能刷新信号包括使能智能刷新操作的信号，智能刷新操作用于刷新耦合到与频繁激活的字线相邻的字线的存储单
J L ο
[0076]技术方案4.根据技术方案I所述的存储器件，其中，当基于温度信息控制内部刷新信号的激活时，智能刷新电路基于温度信息控制所述设定数目，并且当不管温度信息如何来控制内部刷新信号的激活时，智能刷新电路控制所述设定数目而不管温度信息如何。
[0077]技术方案5.根据技术方案I所述的存储器件，其中，智能刷新电路包括:
[0078]计数器，适合于计数内部刷新信号的激活数目；以及
[0079]激活单元，适合于基于计数器的计数结果和温度信息，激活智能刷新信号。
[0080]技术方案6.根据技术方案5所述的存储器件，其中，当计数结果与对应于温度信息的值相同时，激活单元激活智能刷新信号。
[0081]技术方案7.根据技术方案5所述的存储器件，其中，智能刷新电路进一步包括:
[0082]温度信息传输单元，适合于当基于温度信息来控制内部刷新信号的激活时，将由温度传感器产生的温度信息传输到激活单元而不进行改变，以及当不管温度信息如何来控制内部刷新信号的激活时，将具有固定值的温度信息传输到激活单元。
[0083]技术方案8.根据技术方案5所述的存储器件，其中，当智能刷新信号被激活时，计数器被重置。
[0084]技术方案9.一种存储器件，包括:
[0085]温度传感器，适合于产生温度信息；
[0086]正常刷新电路，适合于当内部温度控制刷新模式被设定时，在基于温度信息以特定比率选择性地接收刷新命令时，响应于刷新命令产生内部刷新信号；以及
[0087]智能刷新电路，适合于当内部刷新信号被激活设定数目的次数时，激活智能刷新信号，以及当内部温度控制刷新模式和外部温度控制刷新模式中的任意一个被设定时，基于温度信息控制所述设定数目。
[0088]技术方案10.根据技术方案9所述的存储器件，其中，正常刷新电路在温度信息指示较高温度时增加特定比率，以及在温度信息指示较低温度时减小特定比率。
[0089]技术方案11.根据技术方案9所述的存储器件，其中，智能刷新电路在温度信息指示较高温度时增加所述设定数目，以及在温度信息指示较低温度时减小所述设定数目。
[0090]技术方案12.根据技术方案9所述的存储器件，其中，智能刷新信号包括使能智能刷新操作的信号，智能刷新操作用于刷新耦合到与频繁激活的字线相邻的字线的存储单
J L ο
[0091]技术方案13.根据技术方案9所述的存储器件，其中，智能刷新电路包括:
[0092]温度信息传输单元，适合于当内部温度控制刷新模式和外部温度控制刷新模式中的任意一个被设定时，传输由温度传感器产生的温度信息而不进行改变，以及当内部温度控制刷新模式和外部温度控制刷新模式两者都未被设定时，传输具有固定值的温度信息；
[0093]计数器，适合于计数内部刷新信号的激活数目；以及
[0094]激活单元，适合于基于计数器的计数结果和由温度信息传输单元传输的温度信息来激活智能刷新信号。
[0095]技术方案14.根据技术方案13所述的存储器件，其中，当计数结果与对应于温度信息的值相同时，激活单元激活智能刷新信号。
[0096]技术方案15.根据技术方案13所述的存储器件，其中，当智能刷新信号被激活时，计数器被重置。
[0097]技术方案16.—种存储系统，包括:
[0098]存储控制器，适合于将刷新命令施加到存储器件；以及
[0099]存储器件，包括:
[0100]温度传感器，适合于产生温度信息；
[0101]正常刷新电路，适合于当基于温度信息以特定比率选择性地接收刷新命令时，在刷新命令被施加时激活用于执行正常刷新操作的内部刷新信号；以及
[0102]智能刷新电路，适合于在内部刷新信号被施加设定数目的次数时，激活用于执行智能刷新操作的智能刷新信号。
[0103]技术方案17.根据技术方案16所述的存储系统，其中，智能刷新电路在内部刷新信号被激活所述设定数目的次数时激活智能刷新信号，并且基于温度信息控制所述设定数目。
[0104]技术方案18.—种存储系统，包括:
[0105]存储器件，适合于提供温度信息；以及
[0106]存储控制器，适合于响应于温度信息来控制刷新命令被施加到存储器件的周期，
[0107]其中，存储器件包括:
[0108]温度传感器，适合于产生温度信息；
[0109]传输单元，适合于将温度信息传输到存储控制器；
[0110]正常刷新电路，适合于在刷新命令被施加时，激活用于执行正常刷新操作的内部刷新信号；以及
[0111]智能刷新电路，适合于在内部刷新信号被施加设定数目的次数时激活用于执行智能刷新操作的智能刷新信号，以及基于温度信息来控制所述设定数目。
【主权项】
1.一种存储器件，包括: 温度传感器，适合于产生温度信息；以及 智能刷新电路，适合于在内部刷新信号被激活设定数目的次数时激活智能刷新信号，以及基于温度信息控制所述设定数目。2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，智能刷新电路在温度信息指示较高温度时增加所述设定数目，以及在温度信息指示较低温度时减小所述设定数目。3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，智能刷新信号包括使能智能刷新操作的信号，智能刷新操作用于刷新耦合到与频繁激活的字线相邻的字线的存储单元。4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，当基于温度信息控制内部刷新信号的激活时，智能刷新电路基于温度信息控制所述设定数目，并且当不管温度信息如何来控制内部刷新信号的激活时，智能刷新电路控制所述设定数目而不管温度信息如何。5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，智能刷新电路包括: 计数器，适合于计数内部刷新信号的激活数目；以及 激活单元，适合于基于计数器的计数结果和温度信息，激活智能刷新信号。6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，当计数结果与对应于温度信息的值相同时，激活单元激活智能刷新信号。7.根据权利要求5所述的存储器件，其中，智能刷新电路进一步包括: 温度信息传输单元，适合于当基于温度信息来控制内部刷新信号的激活时，将由温度传感器产生的温度信息传输到激活单元而不进行改变，以及当不管温度信息如何来控制内部刷新信号的激活时，将具有固定值的温度信息传输到激活单元。8.一种存储器件，包括: 温度传感器，适合于产生温度信息； 正常刷新电路，适合于当内部温度控制刷新模式被设定时，在基于温度信息以特定比率选择性地接收刷新命令时，响应于刷新命令产生内部刷新信号；以及 智能刷新电路，适合于当内部刷新信号被激活设定数目的次数时，激活智能刷新信号，以及当内部温度控制刷新模式和外部温度控制刷新模式中的任意一个被设定时，基于温度信息控制所述设定数目。9.一种存储系统，包括: 存储控制器，适合于将刷新命令施加到存储器件；以及 存储器件，包括: 温度传感器，适合于产生温度信息； 正常刷新电路，适合于当基于温度信息以特定比率选择性地接收刷新命令时，在刷新命令被施加时激活用于执行正常刷新操作的内部刷新信号；以及 智能刷新电路，适合于在内部刷新信号被施加设定数目的次数时，激活用于执行智能刷新操作的智能刷新信号。10.一种存储系统，包括: 存储器件，适合于提供温度信息；以及 存储控制器，适合于响应于温度信息来控制刷新命令被施加到存储器件的周期， 其中，存储器件包括: 温度传感器，适合于产生温度信息； 传输单元，适合于将温度信息传输到存储控制器； 正常刷新电路，适合于在刷新命令被施加时，激活用于执行正常刷新操作的内部刷新信号；以及 智能刷新电路，适合于在内部刷新信号被施加设定数目的次数时激活用于执行智能刷新操作的智能刷新信号，以及基于温度信息来控制所述设定数目。
【文档编号】G11C11/4078GK105845170SQ201510519985
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2015年8月21日
【发明人】李荣燮
【申请人】爱思开海力士有限公司