本发明属于FLASH存储芯片的封装领域,具体涉及一种标准FLASH存储模组，包括标准化的标准转接电路板模块（含标准定义及布局的标准引脚和标准测试点）和焊贴于其上的FLASH单元（FLASH芯片、未封装的Dice（Wafer）、拆机芯片、FLASH晶圆裸片），标准FLASH存储模组焊贴于主板上，实现FLASH芯片相同的功能；可应用于优盘、SSD固态硬盘及各种FLASH存储设备中；工艺简单，降低加工成本，便于组织大规模测试分类和扩展应用领域。
背景技术：
目前FLASH存储广泛应用于手机、平板电脑、SSD等电子设备之中，FLASH存储由各大生产厂商封装为芯片，并作为标准芯片提供给下游厂商使用，芯片封装对工艺和技术设备要求很高。
现有FLASH封装采用的芯片封装模式对于深圳分散化小工厂协作生产的方式，这个技术瓶颈很难突破。
市场存在大量的没有经过封装的各种Dice（Wafer）和拆机芯片，各种Dice（Wafer）和拆机芯片，其引脚定义和测试点定义差别很大，没有统一的引脚封装定义标准和测试点封装标准。
现有FLASH芯片，种类繁多，每种FLASH芯片都需要专门的PCBA对应，引脚封装定义和测试点封装标准的设置随意性强、易用性和通用性差，不便于组织大规模流水线测试分类，不便于扩展应用领域，不利于大批量标准件生产和使用，不利于降低产品生产成本。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案为。
技术实现要素：
一种应用于各类FLASH单元（FLASH芯片、未封装的Dice（Wafer）、拆机芯片、FLASH晶圆裸片），将其封装成标准FLASH存储模组的方法，具体包括标准转接电路板模块（含标准定义及布局的标准引脚和标准测试点）和焊贴于其上的FLASH单元。
本发明主要解决的技术问题是提供一种工艺简单，降低加工成本的、提供标准引脚和标准测试点结构和定义的标准FLASH存储模组。
原来需要焊接邦定采用金线,新工艺用铝线也可以达到技术要求,封装工艺简化,降低工艺要求，适应协作化分工生产模式。
由片内封装改为板上封装,FLASH单元各I/O口连到标准转接电路板模块的对应引脚,CE脚分开,通过BGA转换成标准定义的标准FLASH存储模组，采用标准化的引脚和结构定义、标准测试点布局定义后,FLASH单元由各厂家按各自制定的标准封装改为行业通用一种标准封装的标准FLASH存储模组。
其封装FLASH单元类型包括但不限于FLASH晶圆、拆机FLASH芯片、Dice（Wafer）芯片等符合大厂规范的各类FLASH单元；各类型FLASH单元对应的不同类型标准转接电路板模块，遵循相同的标准引脚和标准测试点定义布局，FLASH单元与对应标准转接电路板模块封装构成标准FLASH存储模组。
标准FLASH存储模组与主板对应面焊接点呈镜像对应关系,标准FLASH存储模组通过焊接点焊贴于主板上。
封装FLASH单元的标准转接电路板模块，采用符合电路连接要求的双层及双层以上的PCB或符合要求的FPC等各类电路板材料，电路板厚度参照符合总成本最优、加工复杂度低及符合安装技术要求原则确定。
分布于标准转接电路板模块边缘且贯穿两面排列的26个标准引脚，如附图4所示，具体排列布局，标准转接电路板模块形状为矩形，尺寸为22mm*14.1mm， 边缘相邻标准引脚中心间距1.2mm。
标准转接电路板模块边缘分布的26个标准引脚,定义为D7、D6、D5、D4、D3、D2、D1、D0、CE7、CE6、CE5、CE4、CE3、CE2、CE1、CE0、VCC、VCCQ、GND、DQS、RB、RE、CLE、ALE、WE、WP，连接FLASH单元的对应引脚和主板上的对应焊接点。
标准转接电路板模块标准引脚功能定义为CLE(命令锁存功能)、ALE（地址锁存功能）、CE0-CE7(芯片使能)、RE(读使能)、WE(写使能)、WP(写保护)、RB(就绪、忙输出信号)、VCC /VCCQ(电源)、GND(地)、DQS(数据控制功能)、D0-D7(传输数据、命令、地址)。
在与主板焊接面对应的标准FLASH存储模组一面，设置26个圆形行列规则排列的标准测试点，为D7、D6、D5、D4、D3、D2、D1、D0、CE7、CE6、CE5、CE4、CE3、CE2、CE1、CE0、VCC、GND、DQS、RB、RE、CLE、ALE、WE、WP。
标准测试点布局，按照有利于引出和便于设置测试点的原则引出。
，标准转接电路板模块中间部分如图4所示，呈规则行列分布，行或列内相邻标准测试点心间距2mm，各标准测试点直径1.0mm。
标准测试点定义为CLE(命令锁存功能)、ALE（地址锁存功能）、CE0-CE7(芯片使能)、RE(读使能)、WE(写使能)、WP(写保护)、RB(就绪、忙输出信号)、VCC /VCCQ(电源)、GND(地)、DQS(数据控制功能)、D0-D7(传输数据、命令、地址)。
传统大厂芯片封装模式与本发明涉及的模组封装模式比较:
晶圆--〉芯片封装----〉产品焊接封装 (芯片封装模式)
芯片--〉模组封装---〉产品焊接封装 (模组封装模式)
晶圆--〉模组封装---〉产品焊接封装 (模组封装模式)
板上封装，相对于芯片封装，封装工艺简化,降低了工艺要求，适应协作化分工生产模式。
附图说明
图1是FLASH芯片封装产品形式示意图；
图2是应用本发明标准FLASH存储模组的封装产品形式示意图；
图3是本发明涉及的标准转接电路板模块两面示意图：贴于FLASH单元面的为A面，贴于主板面的为B面；
图4是本发明涉及的标准FLASH存储模组的标准转接电路板模块,布局包含统一定义的标准引脚和标准测试点(A面透视图)示意图；
图5是主板上焊接本发明涉及的标准FLASH存储模组的电路布局示意图；
图6是焊接标准FLASH存储模组的主板引脚布局与本发明涉及的标准FLASH存储模组引脚布局呈镜像对应关系比照示意图；
图7是采用本发明涉及的标准FLASH存储模组实施例,A、B（模组封装模式）与C（芯片封装模式）封装方式比较示意图；
图8是封装流程比较(芯片封装模式与模组封装模式比较)示意图；
图9是本发明涉及的标准FLASH存储模组封装芯片示意图；
图10是本发明涉及的标准FLASH存储模组封装芯片贴面比照示意图；
图11是本发明涉及的标准FLASH存储模组封装晶圆示意图；
图12是本发明涉及的标准FLASH存储模组封装晶圆侧视图；
图13是本发明涉及的标准FLASH存储模组封装晶圆贴面比照示意图。
附图标记和简称
U1: 标准FLASH存储模组；
U2:主控单元；
U3:标准接口(USB,SATA等标准数据接口)；
U4:主板及必要的外围电路；
FLASH单元:需要封装的各种FLASH晶圆裸片、未封装的Dice（Wafer）
、需要再封装的FLASH芯片，拆机芯片。
具体实施方式
FLASH单元各I/O口连到标准转接电路板模块的对应引脚,CE脚分开,通过BGA转换成标准定义的标准FLASH存储模组，采用标准化的引脚和结构定义、标准测试点布局定义。
标准FLASH存储模组，相应电路模块U2U3U4可多型号复用。
封装FLASH单元类型包括但不限于FLASH晶圆、拆机FLASH芯片、Dice（Wafer）芯片等符合大厂规范的各类FLASH单元。
不同FLASH单元对应的不同类型标准转接电路板模块，都遵循相同的标准引脚和标准测试点定义布局。
不同FLASH单元与对应标准转接电路板模块封装构成标准FLASH存储模组。
标准FLASH存储模组与主板对应面焊接点呈镜像对应关系，并通过对应焊接点焊贴于主板上。
实施例一：
图9，图10是本发明涉及的标准FLASH存储模组封装FLASH芯片示意图。FLASH芯片封装成标准FLASH存储模组的方法：FLASH芯片焊贴于标准转接电路板模块上。
实施例二：
图11，图12，图13是本发明涉及的标准FLASH存储模组封装FLASH晶圆示意图。FLASH晶圆封装成标准FLASH存储模组的方法：FLASH晶圆通过邦定流程邦定于标准转接电路板模块上。
两类标准转接电路板都按照相同的标准定义引脚和定义测试点。
具体定义标准如附图4所示，标准转接电路板模块具体排列布局，形状为矩形，尺寸为22mm*14.1mm， 边缘相邻标准引脚中心间距1.2mm，引脚贯通两面。
26个标准引脚,定义为D7、D6、D5、D4、D3、D2、D1、D0、CE7、CE6、CE5、CE4、CE3、CE2、CE1、CE0、VCC、VCCQ、GND、DQS、RB、RE、CLE、ALE、WE、WP，贯通连接FLASH单元的对应引脚和主板上的对应焊接点。
标准转接电路板模块的标准引脚功能定义为CLE(命令锁存功能)、ALE（地址锁存功能）、CE0-CE7(芯片使能)、RE(读使能)、WE(写使能)、WP(写保护)、RB(就绪、忙输出信号)、VCC /VCCQ(电源)、GND(地)、DQS(数据控制功能)、D0-D7(传输数据、命令、地址)。
标准测试点具体定义标准如附图4所示，分布于标准转接电路板模块B面中间部分，呈规则行列分布，行或列内相邻标准测试点心间距2mm，各标准测试点直径1.0mm。
设置26个圆形行列规则排列的标准测试点，为D7、D6、D5、D4、D3、D2、D1、D0、CE7、CE6、CE5、CE4、CE3、CE2、CE1、CE0、VCC、GND、DQS、RB、RE、CLE、ALE、WE、WP。
标准测试点定义为CLE(命令锁存功能)、ALE（地址锁存功能）、CE0-CE7(芯片使能)、RE(读使能)、WE(写使能)、WP(写保护)、RB(就绪、忙输出信号)、VCC /VCCQ(电源)、GND(地)、DQS(数据控制功能)、D0-D7(传输数据、命令、地址)。