显示面板、显示装置的制作方法

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板以及包括该显示面板的显示装置。

背景技术：

柔性显示器是一类可变型、可弯曲的显示装置。其中，柔性显示面板是柔性显示器中最重要的组件。柔性显示面板是将显示器件层和控制显示器件层的薄膜晶体管、信号线等设置在柔性衬底一侧的面板。

现有技术中，为了获取良好的导电性，薄膜晶体管和信号线通常由金属材料制成。因此，当柔性显示面板发生弯曲时，由于金属材料的韧性较差导致薄膜晶体管和金属走线受到弯曲应力后发生变形、断裂等现象。特别地，薄膜晶体管的源极/漏极以及栅极发生形变、断裂后会影响薄膜晶体管的电学特性，从而使得弯折时显示变差。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明实施例提供一种显示面板，以实现在弯折时保持正常显示。

为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

一种显示面板，包括：柔性衬底，所述柔性衬底包括多个第一区域和多个第二区域，且所述第一区域和所述第二区域交替排布；位于所述柔性衬底第一侧的显示器件层，所述显示器件层包括多个显示元件，所述多个显示元件位于所述第一区域和所述第二区域，所述显示元件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的功能层；位于所述柔性衬底第一侧的多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管仅位于所述第二区域内，位于所述第一区域的所述发光器件的第一电极与所述第二区域的所述薄膜晶体管对应电连接。

此外，本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述显示面板。

基于上述技术方案，本发明实施例提供的显示面板以及显示装置，因显示面板包括多个交替排布的第一区域和多个第二区域，薄膜晶体管仅设置在第二区域，位于第一区域的第一电极通过连接到第二区域对应的薄膜晶体管以实现显示；在弯曲时第一区域发生弯曲从而使得设置有薄膜晶体管的第二区域不被直接弯折，避免薄膜晶体管因弯曲应力导致电学特性受损；进一步地，由于设置了多个第一区域和第二区域，每一第一区域的连接走线数目较少，不受布线空间限制，且刚性更小，更容易实现弯折。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图2为图1的显示面板的一种具体结构示意图；

图3是图2中区域D的结构示意图；

图4是图3沿着AA'的一种剖面结构示意图；

图5是图3沿着AA'的另一种剖面结构示意图；

图6是图3沿着AA'的又一种剖面结构示意图；

图7为图1的显示面板的另一种具体结构示意图；

图8为图1的显示面板的又一种具体结构示意图；

图9为图8中区域E的一种结构示意图；

图10是图9沿着BB'的剖面结构示意图；

图11为图8中区域E的另一种结构示意图；

图12是图11沿着CC'的剖面结构示意图；

图13为图8中区域E的又一种结构示意图；

图14为图1的显示面板的再一种具体结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参考图1，图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。本发明实施例提供的显示面板的衬底基板包括多个第一区域和多个第二区域，例如，如图1所示，包括两个第一区域B1和B2，三个第二区域A1、A2和A3。

具体地，请进一步参考图2和图3，图2为图1的显示面板的一种具体结构示意图，图3是图2的局部结构示意图。如图2和图3所示，显示面板包括：

柔性衬底100，柔性衬底100包括多个第一区域和多个第二区域，且第一区域和第二区域交替排布，例如，如图2所示，包括三个第一区域B1、B2和B3，四个第二区域A1、A2和A3。

位于柔性衬底100第一侧的显示器件层，显示器件层包括多个显示元件，多个显示元件位于第一区域B1、B2、B3和第二区域A1、A2、A3，显示元件包括第一电极120、第二电极124以及位于第一电极120和第二电极124之间的功能层(图中未示出)。其中，第一电极矩阵分布于柔性衬底100一侧，一第一电极对应显示面板的一个子像素；第二电极通常为整面覆盖在第一电极远离柔性衬底100的一侧。

位于柔性衬底100第一侧的多个薄膜晶体管T，薄膜晶体管T仅位于第二区域A1、A2、A3、A4内，位于第一区域B1、B2、B3的发光器件的第一电极120与第二区域的薄膜晶体管T对应电连接。例如，如图3所示，第二区域A1中一个子像素设置有两个薄膜晶体管T1和T2，其中，薄膜晶体管T1与该像素中的第一电极120电连接，薄膜晶体管T2与第一区域B1中一个子像素的第一电极120电连接。

进一步地，如图2所示，显示面板还包括多条沿着第一方向X延伸的扫描线111和多条沿着第二方向Y延伸的数据线222，第一区域和所述第二区域沿所述第二方向交替排列，第一方向X垂直于第二方向Y。具体地，在第二方向Y上，依次排列有第二区域A4、第一区域B3、第二区域A3、第一区域B2、第二区域A2、第一区域B1、第二区域A1。

本发明实施例中，因显示面板包括多个交替排布的第一区域和多个第二区域，薄膜晶体管仅设置在第二区域，位于第一区域的第一电极通过连接到第二区域对应的薄膜晶体管以实现显示；在弯曲时第一区域发生弯曲从而使得设置有薄膜晶体管的第二区域不被直接弯折，避免薄膜晶体管因弯曲应力导致电学特性受损；进一步地，由于设置了多个第一区域和第二区域，因此，与只设置一个第一区域的显示面板相比，每一第一区域的连接走线数目较少，不受布线空间限制，且刚性更小，更容易实现弯折。此外，如果在显示面板上只设置一个第一区域，则第二区域的面积较大，当外界压力作用于第二区域以使显示面板弯曲时，第一区域不能分散作用于第二区域的弯曲应力，从而不能实现保护薄膜晶体管电学特性的技术效果。

可选地，如图2所示，在第二方向Y上，一第一区域的宽度与一第二区域的宽度相等。具体地，第一区域B1、B2、B3的子像素22均包括两行子像素22a、22b，第二区域A1、A2、A3、A4的子像素行21也均包括两行子像素21a、21b(或21b')。更为具体地，如图2所示，第一区域B1、B2、B3的子像素22中均包括与上侧第二区域相邻的一行子像素22a和与下侧第二区域相邻的一行子像素22b；第二区域A1的子像素21包括：子像素的薄膜晶体管T未与第一区域内第一电极电连接的一行子像素21a，以及子像素的薄膜晶体管T与下侧第一区域B1内第一电极电连接的一行子像素21b'；第二区域A4的子像素21包括：子像素的薄膜晶体管T未与第一区域内第一电极电连接的一行子像素21a，以及子像素的薄膜晶体管T与上侧第一区域B3内第一电极电连接的一行子像素21b；第二区域A2、A3中的子像素21均包括：子像素的薄膜晶体管T与上侧第一区域内第一电极电连接的一行子像素21b，以及子像素的薄膜晶体管T与下侧第一区域内第一电极电连接的一行子像素21b'。

通常地，每个子像素的大小相同，在第二方向Y上，当第一区域的宽度与第二区域的宽度相等时，则位于两个第一区域中间的第二区域中，平均每一个子像素包括一个与第一区域的第一电极电连接的薄膜晶体管。需要说明的是，本发明实施例中的“宽度”是以像素行的数目进行计算。由于第二区域中像素行之间的距离可能与第一区域中像素行之间的距离不同，因此，本发明实施例中的“宽度”特指像素行的数目。

可选地，如图2和图3所示，第一区域包括两行子像素(22a和22b)，此时，第一区域中子像素的第一电极均由相邻的第二区域内的子像素中的薄膜晶体管控制，薄膜晶体管与位于第一区域内子像素的第一电极之间无需通过连接导线即可实现电连接。具体地，如图3所示，位于第二区域A1内子像素的薄膜晶体管T1与该子像素的第一电极120直接电连接，位于第二区域A1内子像素的薄膜晶体管T2与位于第一区域B1内子像素的第一电极120直接电连接。由于第二区域内的薄膜晶体管与第一区域内的第一电极之间直接电连接，因此，在第一区域内不会增加金属走线，可进一步提高第一区域的柔性。

进一步地，请参考图4，图4是图3沿着AA'的一种剖面结构示意图。具体地，如图4所示，显示面板还包括位于柔性衬底100第一侧的无机绝缘膜和有机绝缘膜，所述无机绝缘膜包括缓冲层、栅极绝缘层、间隔绝缘层中的一层或者多层。具体地，在柔性衬底100的第一侧，设置有缓冲层102，缓冲层通常为无机材料，例如，氮化硅、氧化硅或者氮化硅与氧化硅的组合。缓冲层102远离柔性衬底100的一侧设置有半导体a。半导体a远离柔性衬底100的一侧设置有栅极绝缘层104，栅极绝缘层104通常为无机材料，例如，氮化硅、氧化硅或者氮化硅与氧化硅的组合。栅极绝缘层104远离柔性衬底100的一侧设置有栅极g，其中栅极g层包括栅极线。在栅极g远离柔性衬底100的一侧设置有第一间隔绝缘层106，第一间隔绝缘层106通常为无机材料，例如，氮化硅、氧化硅或者氮化硅与氧化硅的组合。在第一间隔绝缘层106远离柔性衬底100的一侧设置有源极s和漏极d，源极s和漏极d为同层结构，源极s和漏极d层包括数据线；源极s和漏极d通过贯穿栅极绝缘层104和第一间隔绝缘层106的过孔与半导体a电连接。在源极s和漏极d远离柔性衬底100的一侧设置有第二间隔绝缘层108，第二间隔绝缘层108通常为无机材料，例如，氮化硅、氧化硅或者氮化硅与氧化硅的组合。在第二间隔绝缘层108远离柔性衬底100的一侧设置有第一电极120，第一电极120通过贯穿第二间隔绝缘层108的过孔与漏极d电连接，其中，一个第一电极120对应显示面板的一个子像素。在第一电极120远离柔性衬底的一侧设置有像素定义层110和功能层122，其中，像素定义层110通常为有机材料；功能层122可以为有机发光材料。在像素定义层110远离柔性衬底100的一侧设置有第二电极124。

需要说明的是，图4所示的结构中，是以有机发光显示面板的结构为例进行说明，因此，功能层124为发光层，第一电极120为阳极，第二电极124为阴极。但是本发明实施例并不局限于此，在本发明其他实施例中，功能才124还可以为电泳膜，此时，位于第一电极120与源极s和漏极d之间的间隔绝缘层可以为有机平坦化层，第一电极120为像素电极，第二电极124为公共电极；一般地，第二电极124位于另一衬底基板靠近柔性衬底100的一侧，所述另一衬底基板可选为柔性衬底。

可选地，第一区域内无机绝缘膜的厚度与有机绝缘膜的厚度之比小于第二区域内无机绝缘膜的厚度与有机绝缘膜的厚度之比。具体地，请参考图5，图5是图3沿着AA'的另一种剖面结构示意图，在第一区域B1内，在衬底基板100的一侧设置有缓冲层102、位于第一电极120与缓冲层102之间的有机绝缘层以及像素定义层110；在第二区域A1和A2内，在衬底基板100的一侧设置有缓冲层102、栅极绝缘层104、第一间隔绝缘层106、第二间隔绝缘层108以及像素定义层110。即，第一区域B1内栅极绝缘层104、第一间隔绝缘层106、第二间隔绝缘层108对应部分均被有机绝缘膜代替。通常地，像素定义层110为有机材料，故为有机绝缘膜，缓冲层102、栅极绝缘层104、第一间隔绝缘层106、第二间隔绝缘层108为无机材料，故为无机绝缘膜。相比之下，第一区域B1内的无机绝缘膜厚度小于第二区域A1和/或A2内无机绝缘膜厚度，第一区域B1内的有机绝缘膜厚度大于第二区域A1和/或A2内有机绝缘膜厚度，因此，第一区域B1内无机绝缘膜的厚度与有机绝缘膜的厚度之比小于第二区域A1和/或A2内无机绝缘膜的厚度与有机绝缘膜的厚度之比。在本实施例中，由于有机绝缘膜的刚性小于无机绝缘膜的刚性，因此，第一区域在弯曲时与第二区域相比更加容易变形，能够进一步避免第二区域发生弯曲，降低第二区域的弯曲应力，从而在弯曲时保持第二区域内薄膜晶体管的电学特性，进而确保弯曲状态的显示效果。

进一步可选地，在第一区域内，无机绝缘膜的厚度与有机绝缘膜的厚度之比为零。具体地，请参考图6，图6是图3沿着AA'的又一种剖面结构示意图，在第一区域B1内，在衬底基板100一侧的缓冲层102、栅极绝缘层104、第一间隔绝缘层106、第二间隔绝缘层108均被有机绝缘膜代替；在第二区域A1和A2内，在衬底基板100的一侧设置有缓冲层102、栅极绝缘层104、第一间隔绝缘层106、第二间隔绝缘层108以及像素定义层110。通常地，像素定义层110为有机材料，故为有机绝缘膜，缓冲层102、栅极绝缘层104、第一间隔绝缘层106、第二间隔绝缘层108为无机材料，故为无机绝缘膜。因此，第一区域B1内无机绝缘膜的厚度为零，则第一区域B1内无机绝缘膜的厚度与有机绝缘膜的厚度之比为零。本实施例中，将第一区域内绝缘层中刚性较大的无机绝缘膜全部去除，仅留下刚性较小的有机绝缘膜，从而将第一区域的刚性将到最低，柔韧性提到最高。本实施例中，可以先在第一区域B1、第二区域A1和A2都形成缓冲层102、栅极绝缘层104、第一间隔绝缘层106、第二间隔绝缘层108，然后用一道掩膜版将第一区域B1的所有无机绝缘膜都刻蚀掉，然后再填充有机材料的有机绝缘膜(或者先沉积或者涂覆有机材料的有机绝缘膜然后再刻蚀掉第一区域A1和A2内的有机绝缘膜)，后续再打孔并制作第一电极。其中，填充的有机绝缘膜可以与像素定义层材料相同。

此外，第一区域内无机绝缘膜的厚度与有机绝缘膜的厚度之比为零的结构还可以采用如下制造方法实现，先在第一区域B1、第二区域A1和A2都形成缓冲层102、栅极绝缘层104、第一间隔绝缘层106，形成源漏极层(包括源极、漏极、数据线，可以根据需要，还可以包括触控引线等)后，然后用一道掩膜版将第一区域B1的所有无机绝缘膜都刻蚀掉，然后沉积或者涂覆和像素定义层110相同材料的有机绝缘膜，后续再打孔并制作第一电极。其中，沉积或者涂覆的有机绝缘膜可以与像素定义层材料相同。

需要说明的是，图5和图6仅仅是本发明列举的部分实施例，但是本发明实施例并不限于此，例如，第一区域内的所述无机绝缘膜可以为所述缓冲层、栅极绝缘层、间隔绝缘层中的一层或者两层，第二区域内的无机绝缘膜包括缓冲层、栅极绝缘层以及间隔绝缘层。

需要说明的是，上述实施例中第一区域和第二区域的宽度相等，但是本发明实施例并非限于此。可选地，在第二方向Y上，一第一区域的宽度小于一第二区域的宽度。具体地，如图7所示，第一区域B1、B2均包括两行子像素22，第二区域A1、A2、A3均包括三行子像素21，在本实施例中，每一子像素的大小相同，因此，第一区域B1、B2在第二方向Y上的宽度小于第二区域A1、A2、A3在第二方向Y上的宽度。在第二区域A1的三行子像素21中，包括：一个子像素设置有一个薄膜晶体管T的两行子像素21a，以及一个子像素设置有两个薄膜晶体管T且与下方的第一区域B1相邻的一行子像素21b'。在第二区域A2的三行子像素21中，包括：一个子像素设置有一个薄膜晶体管T的一行子像素21a，一个子像素设置有两个薄膜晶体管T且与上方的第一区域B1相邻的一行子像素21b，以及，一个子像素设置有两个薄膜晶体管T且与下方的第一区域B2相邻的一行子像素21b'。在第二区域A3中的三行子像素21中，包括：一个子像素设置有两个薄膜晶体管T且与上方的第一区域B1相邻的一行子像素21b，以及，一个子像素设置有一个薄膜晶体管的两行子像素21a。第一区域B1、B2内的子像素均没有设置有薄膜晶体管T，第一区域B1包括与上方的第二区域A1相邻的一行子像素22a以及与下方的第二区域A2相邻的一行子像素22b，同样地，第一区域B2也包括与上方的第二区域A2相邻的一行子像素22a以及与下方的第二区域A3相邻的一行子像素22b。

通常地，每个子像素的大小相同，即，每一个第一电极在工艺误差内大小相同，在第二方向Y上，当第一区域的宽度小于第二区域的宽度时，一方面，能够确保第一区域中的子像素都能够与第二区域中的子像素对应，即每一个第一区域中的子像素都能与第二区域中设置有两个薄膜晶体管的一个子像素对应；另一方面，第二区域中的栅极线密度较小，对弯折的敏感度不高。需要说明的是，本发明实施例中的“宽度”是以像素行的数目进行计算。由于第二区域中像素行之间的距离可能与第一区域中像素行之间的距离不同，因此，本发明实施例中的“宽度”特指像素行的数目。

上述实施例中，无论图2所示的结构还是图7所示的结构，显示面板包括多个呈行列排布的子像素，一个第一区域内的第一电极与两个相邻的第二区域内的子像素中的薄膜晶体管对应电连接，但是本发明实施例并非限于此，例如，与第一区域内的第一电极电连接的多个薄膜晶体管均位于第二区域内的一行所述子像素内。具体地，如图8所示，图8为图1的显示面板的又一种具体结构示意图，在第二方向Y上，第一区域B1内的第一电极仅与上侧相邻的第二区域A1内的薄膜晶体管T电连接；在第二方向Y上，第一区域B2内的第一电极仅与上侧相邻的第二区域A2内的薄膜晶体管T电连接；在第二方向Y上，第一区域B3内的第一电极仅与上侧相邻的第二区域A3内的薄膜晶体管T电连接。需要说明的是，图8所示的结构中，与第一区域内的第一电极电连接的薄膜晶体管T均位于第二区域中距离第一区域最近的一行像素中，具体地，第一区域B1内的第一电极电连接的薄膜晶体管T均位于第二区域内像素行22b中。

进一步地，第一区域的发光器件的第一电极与第二区域的薄膜晶体管通过连接线电连接。具体地，如图9所示，图9为图8的一种局部结构示意图，第一区域B1的发光器件的第一电极120与第二区域A1的薄膜晶体管T2、T3通过连接线126电连接。

本实施例中，由于第一区域内的第一电极电连接的薄膜晶体管均位于第二区域内的靠近所述第一区域的一行像素行中，因此用于电连接第一区域内的第一电极和第二区域内的薄膜晶体管T的连接线较短，阻抗较小，避免第一区域和第二区域的显示效果出现差异。

但是本发明实施例并非局限于此，在其他的实施例中，与第一区域内的第一电极电连接的薄膜晶体管可以分布在第二区域内不同的像素行中，具体的分布方式可以根据需要设定。例如，当第一区域内的子像素较多时，第二区域内的一子像素行设置的薄膜晶体管数量不足以控制第二区域内的多有第一电极，可以将薄膜晶体管设置在第二区域中距离第一区域较远的子像素行中。

需要说明的是，图2、图7和图8为了清楚说明本发明实施例的发明内容，画出的子像素行数少，因此，第一区域和第二区域的数目也少。然而，在实际应用，显示面板包括的子像素很多，例如，分辨率为1280×720，此时可以根据需求划分为比较多的第一区域和第二区域，且第一区域、第二区域的像素行数目也可以根据需要进行设置，例如，如果希望第一区域内的信号线数目尽量少，则可以将第一区域内的像素行设置为两行，且第一区域内的第一电极分别于相邻的两个第二区域内的薄膜晶体管电连接；而第二区域的像素行数量可以是第一区域内像素行数量的1倍、1.5倍或者2倍。若需要较宽的弯折区，则第一区域内的像素行可以设置为多行。

可选地，薄膜晶体管包括有源层、栅极、源极和漏极，薄膜晶体管的源极或者漏极与第一电极电连接，连接线与源极或/和漏极同层设置。继续参考图9和图10，图10是图9沿着BB'的剖面结构示意图，薄膜晶体管T1、T2和T3均包括有源层a、栅极111(栅极是栅极线111的一部分)、源极s和漏极d，薄膜晶体管T2和T3的源极s(漏极d和源极s位置可以互换)与第一电极120电连接，连接线126与源极s或/和漏极d同层设置，且连接线126位于相邻第一电极120的空隙处。由于连接线126与源极s或/和漏极d同层设置，所以连接线126与第一区域B1内的像素电极120通过过孔128电连接。同样地，本实施例中还包括数据线222和第二电极124。本实施例中，连接线与源极或/和漏极同层设置，在制作工艺中无需增加额外的掩膜版形成连接线。

需要说明的是，为了降低薄膜晶体管T1、T2和T3的占位面积，本实施例中没有采用图3所示的U型沟道结构，而是采用了I型沟道结构，但是本发明实施例并没有对沟道结构的形状进行限制，在实际应用中，可以根据显示面板的分辨率、薄膜晶体管的电学特性以及有源层(包括沟道)的材料进行设置。本发明实施例中，薄膜晶体管的有源层材料可以是低温多晶硅、氧化物半导体或者非晶硅中的一种。

可选地，连接线与第一电极同层设置，且一连接线与一第一区域的发光器件的第一电极为一整体结构。具体地，图11为图8的又一种局部结构示意图，图12是图11沿着CC'的剖面结构示意图，需要说明的是，图11与图9的不同之处在于连接线126，因此，其他相同之处不再赘述。如图11和图12所示，连接线126与第一区域B1内的第一电极120为一整体结构，该整体结构与第二区域A1内薄膜晶体管T2、T3的源极s对应电连接。同样地，本实施例在制作工艺中无需增加额外的掩膜版形成连接线。

当上述功能层为发光层、上述第一电极为阳极、上述第二电极为阴极时，阳极包括依次层叠的透明氧化物半导体层、反射金属层以及透明氧化物半导体层。具体地，请参考图13，图13为图8的又一种局部结构示意图，需要说明的是，图13所示结构与图9所示结构相比，不同之处在于连接线126的走线位置、第一电极的材料以及薄膜晶体管T1、T2、T3的沟道形状和位置，其他相同之处不再赘述。如图11所示，本实施例中薄膜晶体管T1、T2、T3采用U型沟道且均与第一电极120重叠，但是这并未对本实施例的沟道形状进行限制，在实际应用中可以根据需要设置不同的沟道形状，例如，当沟道的材料为低温多晶硅或者氧化物半导体时通常会采用U型沟道，当沟道的材料为非晶硅时通常会采用I型沟道；第一电极120为阳极，第二电极124为阴极，阳极120包括依次层叠的透明氧化物半导体层、反射金属层以及透明氧化物半导体层；连接线126与阳极120重叠，在图11所示的结构中，在垂直于柔性衬底100的方向上，阳极120位于源极s/漏极d远离栅极g的一侧。本实施例中，由于阳极包括反射金属层，因此本实施例具有以下有益技术效果：1、薄膜晶体管可以设置与阳极重叠而不影响显示面板的出光率；2、连接线可以设置与阳极重叠而不影响显示面板的出光率；3、薄膜晶体管的可布置空间大，可以在一个子像素中设置较多的薄膜晶体管；4、连接线的可布置空间大，可以将连接线的宽度变宽以降低阻抗。

可选地，上述任一实施例包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，在非显示区中设置有栅极驱动电路。进一步可选地，栅极驱动电路仅设置在第二区域内。具体地，请参考图14，图14为图1的显示面板的再一种具体结构示意图，需要说明的是，图14与图7相比，不同之处在于栅极驱动电路的设置，其他相同之处不再赘述。如图14所示，非显示区围绕在显示区设置，在非显示区中，栅极驱动电路ASG仅设置在第二区域A1、A2、A3内，且第二区域A1、A2、A3内的栅极驱动电路ASG之间通过导线电连接，所述栅极驱动电路均与IC电连接并响应于IC的信号。需要说明的是，第二区域A1、A2、A3内的栅极驱动电路ASG包括实现复位功能和驱动功能的多个薄膜晶体管、连接导线以及电容等。本实施例中，将栅极驱动电路设置第二区域内，便于栅极驱动电路的输出端与栅极线连接，同时，避免栅极驱动电路中的薄膜晶体管在弯折时电学特性下降，进一步确保显示面板在弯折状态的显示效果。

最后，本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述任意一实施例提供的显示面板。由于显示面板在弯折时位于第二区域内的薄膜晶体管因为第一区域先发生弯折而被保护，从而确保弯折时的优良显示效果，因此，包括该显示面板的显示装置在弯折时同样能够保持良好的显示效果。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。