1.一种二维阵列超声换能器的电极引线装置，其特征在于，包括电极本体、引线插针和背衬，所述电极本体包括第一公共电极隔离层、压电晶片和第二公共电极隔离层，所述第一公共电极隔离层的上层连接压电晶片的下层，所述压电晶片的上层连接第二公共电极隔离层的下层，所述电极本体上设有背衬，所述背衬内镶嵌有引线插针，所述引线插针设于第二公共电极隔离层的上层上。
2.根据权利要求1所述的一种二维阵列超声换能器的电极引线装置，其特征在于，所述引线插针包括第一引线插针、第二引线插针和第三引线插针，所述第一引线插针设于4个边角上，所述第二引线插针设于第二公共电极隔离层上层的前面和后面，所述第三引线插针设于第二公共电极隔离层上层的左面和右面。
3.根据权利要求1所述的一种二维阵列超声换能器的电极引线装置，其特征在于，所述电极本体中的第一公共电极隔离层、压电晶片和第二公共电极隔离层的材料为镍、镍铬合金、金中的其中一种。
4.一种二维阵列超声换能器的电极引线方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：准备长方体压电晶片，设压电晶片平行于X轴的棱的长度均为L+2c，平行于Y轴的棱的长度均为W，平行于Z轴的棱的长度均为T；
S2：在压电晶片上下表面、前后左右四个侧面都镀上一层电极，形成长方体压电晶片的六个面电极全部导通；
S3：沿Y轴方向切割已镀电极的压电晶片，去除两端沿X轴方向长度各为c，得到去除平行于Z-Y平面的两个侧面无电极的压电晶片，得到的压电晶片沿X轴的棱的长度为L，沿Y轴的棱的长度为W；
S4：分割压电晶片左右两个侧面电极，分割得到2M条第二电极，所述2M条第二电极相临电极中心间距为a，同时得到4条宽度为d的第一电极；
S5：分割压电晶片下表面电极，分割得到M条第四电极，所述M条第四电极相临电极中心间距为a，同时得到2条宽度为d的第三电极；
S6：分割压电晶片上表面电极，分割得到2M条第六电极，所述2M条第六电极相临电极中心间距为a，同时分割得到N条第七电极，所述N条第七电极相临电极中心间距为b，同时分割得到4条长宽为d的第五电极；
S7：准备与压电晶片同等长度宽度的第一公共电极隔离层及第二公共电极隔离层，在第一公共电极隔离层及第二公共电极隔离层的上下表面、前后左右四个侧面都镀上一层电极，形成六个面电极全部导通；
S8：分割第一公共电极隔离层前后左右四个侧面电极，分割得到8条长宽均为d的第八电极；同时得到4条宽度为T的第二无电极区域；
S9：分割第一公共电极隔离层下表面电极，分割得到4条长宽为d的第九电极；同时得到中央电极区域第十电极，所述第十电极与所述4条第九电极连通，同时得到边缘第三无电极区域；
S10：分割第一公共电极隔离层上表面电极，得到端角4条长宽为d的第十一电极，其它区域为第四无电极区域；
S11：分割第二公共电极隔离层前后左右四个侧面电极，分割得到8条长宽为d的第十二电极，同时得到2M条宽度为a的第十四电极，同时得到2N条宽度为b的第十三电极；
S12：分割第二公共电极隔离层下表面电极，分割得到4条第十五电极，所述4条第十五电极长宽均为d，同时得到2M条第十七电极，所述2M条第十七电极相临电极中心间距为a，宽度为d，同时得到2N条第十三电极，所述2N条第十三电极相临电极中心间距为b，宽度为d，同时得到中央第五无电极区域；
S13：分割第二公共电极隔离层上表面电极，分割得到4条电极，所述4条第十八电极长宽均为d，同时得到中央电极区域第二十一电极，所述中央电极区域第二十一电极与所述4条第十八电极连通，同时得到2M条第二十电极，所述2M条第二十电极相临电极中心间距为a，宽度为d，同时得到2N条第十九电极，所述2N条第十九电极相临电极中心间距为b，宽度为d；
S14：准备镶嵌有引线插针背衬，所述第二引线插针设有M条，所述第三引线插针设有N条；
S15：第一公共电极隔离层的上层连接压电晶片的下层，所述压电晶片的上层连接第二公共电极隔离层的下层，所述第二公共电极隔离层的上层连接背衬，完成M×N个阵元的二维阵列超声换能器的电极连接。