发光装置的制作方法

技术领域

本发明涉及LED装置等发光装置，其将与各电极对应的引线框架与树脂一体成形而制成。

背景技术：

这种现有的发光装置将与各电极对应的引线框架与树脂进行一体成形。专利文献1、2中提出了该技术。

图6是用于说明发光装置的主要部分剖视图，该发光装置是专利文献1公开的现有发光装置的一例。

图6中，现有发光装置100包括金属制引线框架101、发光元件102、反射用树脂材料103、以及透镜用树脂材料104。该金属制引线框架101由狭缝105被划分为半导体发光元件搭载部106和金属线连接部107。金属制引线框架101中，设置搭载发光元件102的半导体发光元件搭载区域108，半导体发光元件搭载区域108的周边，以包围半导体发光元件搭载区域108的方式设置凹部109。金属制引线框架101上的发光元件102的搭载面中，通过金属线110与发光元件102电连接的接合区域中形成有镀银111。

在金属制引线框架101的搭载发光元件102的表面侧形成凹部109，以端部位于凹部109的形成区域的方式形成反射体112。接着搭载发光元件102，并且在由反射体112围绕的区域中，使用传递模塑(transfer mold)技术填充透镜用树脂材料104，以覆盖发光元件102。

发光元件102例如是LED芯片，借助于指定的导电性粘合材料113搭载于金属制引线框架101的半导体发光元件搭载区域108中。

图7是侧光类型的表面安装型发光二极管的俯视图，该发光二极管是专利文献2公开的现有发光装置。

图7中，现有的发光装置200中，在封装体201的一个侧面即发光面上形成凹部203，该凹部203构成配置发光元件202(202R、202G、202B)的开口部，在该凹部203内配置发光元件202。发光元件202中包括红色发光元件202R、蓝色发光元件202B、绿色发光元件202G，各发光元件202(202R、202G、202B)在封装体201的凹部203底面的长边方向上分别并列配置。

在封装体201的凹部203的底面上，还配置有载置发光元件202(202R、202G、202B)的、镀银的金属部件区域204。另外，在封装体201的长边方向的一侧，利用导电性的导线205连接发光元件202的电极(不图示)的、镀银的铜板图案的多个引出电极206，例如由高度为10μm、宽度为90μm左右的凸状的树脂部207分离而配置。另外，凹部203中还配置：将金属部件区域204分离为多个的凸状的树脂部207、在金属部件区域204上形成的被覆树脂208、以及覆盖金属部件区域204的封装树脂(由于是透明树脂，所以不图示)。凸状的树脂部207和被覆树脂208与封装树脂相接。另外，在将发光元件202与引出电极206电连接的导线205的下方，不形成凸状的树脂(箭头209所示部分)，此外，在封装体201的凹部203的底面上露出封装体201的树脂210。

构成封装体201的树脂与被覆树脂208采用相同材料，被覆树脂208与封装树脂也采用相同的树脂材料。另外，在封装体201的凹部203的内侧斜面上，利用铝或银的镜面镀覆，实施镜面处理。

此外，被覆树脂208从长边方向的斜面底部起到发光元件202附近为止，以覆盖引出电极204、206的方式形成，从封装体201的凹部203的底面起，以覆盖金属部(电极部等)的方式作为一体延伸形成。

就封装体201而言，用金属模具对镀银的含铁铜板进行冲压，图案形成了具有期望形状的金属部之后，用金属模具夹住金属板的上下，将聚邻苯二甲酰胺(PPA)注入金属模具内使其固化，引出电极204、206与固化后的树脂一体成形，形成表面安装型的封装体201。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-119557号公报

专利文献2：日本特开2009-188201号公报

技术实现要素：

专利文献1、2的发光装置是能够以低成本形成的发光装置，用于各种各样的用途，但在考虑用作液晶TV用LED-BL或普通照明用LED光源的情况下，在高温环境工作、更长寿命的可靠性方面性能不足。因此，最近，作为反射用树脂材料(封装体的基材材料)，研究使用耐光性、耐候性优良但成形后的强度或成形性存在不足的热固化性树脂(硅酮树脂等)，进行成形性或成形后的强度的改善。另外，与以往使用的热塑性树脂相比，热固化性树脂在成形时往往产生毛刺，需要进行喷砂处理(包含粒子的冲淋)。专利文献1的发光装置中，在使用热固化性树脂(硅酮树脂等)作为反射用树脂材料(封装体的基材材料)的情况下，在半导体发光元件搭载区域108中，几乎都为金属制引线框架101的表面，因而进行上述喷砂处理时，引线框架表面形成的镜面镀银等高反射膜发生劣化，半导体发光元件搭载区域中的反射率下降。另外，专利文献2中，形成了覆盖金属部件区域204的一部分的被覆树脂208(与构成封装体201的树脂一体的树脂)，并以占据凹部203底面(配置各发光元件202的搭载面)的较大面积的方式形成，但不与金属部件区域204形成为同一平面，而呈凸状，因此产生光的不必要的反射/散射，并非理想的发光装置的光学设计。

另外，如专利文献1这样，在凹部109的底面(发光元件的搭载面)上，并非由反射用树脂材料103，而是由金属制引线框架101占据该表面，在这种结构的情况下，考虑作为发光装置在高温环境下使用或长期使用的情况，透镜用树脂材料104与金属制引线框架101的粘合强度不足，因此产生脱落等的劣化，在可靠性方面有所欠缺。

本发明用于解决上述现有问题，其目的在于以低成本提供能够提高可靠性和光取出效率的发光装置。

本发明的发光装置使用了构成与一个或多个发光元件对应的电极的引线框架、以及利用白色树脂进行了一体成形的白色树脂成型封装体，该发光装置中，与该发光元件的搭载面为同一平面的反射面上的白色树脂表面的俯视面积构成得大于该引线框架表面所占的俯视面积，由此实现上述目的。

另外，优选在本发明的发光装置中的引线框架的部分表面上形成阶差部，在该阶差部内填充白色树脂，填充的白色树脂的表面与该引线框架的除阶差部以外的表面在该发光元件的搭载面上形成为同一平面，在该引线框架的除阶差部以外的表面上搭载该一个或多个发光元件。

此外，优选本发明的发光装置中的引线框架具有搭载所述一个或多个发光元件并且连接该一个或多个发光元件的端子的发光元件配置区域和端子连接区域，作为在该发光元件配置区域和端子连接区域的周围从该一个或多个发光元件的搭载面降阶了的区域，设置所述阶差部，在该降阶了的区域中设置该白色树脂。

此外，优选本发明的发光装置中的与所述发光元件的搭载面为同一平面的反射面上的白色树脂表面的俯视面积相对于发光元件的搭载面的俯视面积的比例为2/3以上、3/4以上、或者4/5以上。

此外，优选本发明的发光装置中的与所述发光元件的搭载面为同一平面的反射面上的白色树脂表面的俯视面积相对于发光元件的搭载面的俯视面积的比例大于1/2且为5/6以下。

此外，优选本发明的发光装置中的发光元件配置区域中，露出所述引线框架的金属表面，或者露出在该引线框架上形成的金属层。

此外，优选本发明的发光装置中的引线框架的发光元件配置区域小于所述光学元件的安装面。

此外，优选本发明的发光装置中的与白色树脂成型封装体的型腔壁面正下方相接的引线框架进行半蚀刻，并在该半蚀刻区域中填充白色树脂。

此外，优选本发明的发光装置中的白色树脂使用硅酮树脂。

此外，优选本发明的发光装置中的白色树脂成型封装体中，凹部向上开放形成，在该凹部内的引线框架上搭载所述一个或多个发光元件，并且该凹部内的侧面作为反射壁向外侧敞开，从而形成为锥状。

此外，优选本发明的发光装置中由白色树脂形成的具有一定锥度的反射壁在四个方向上形成，由该反射壁包围的底部中，确保所述发光元件与所述引线框架的电导通的区域中露出金属部，该区域以外的区域由该白色树脂覆盖。

此外，优选本发明的发光装置中的引线框架是具有层叠结构的金属材料，该层叠结构中，ES(蚀刻终止)金属层与基底金属层上下层叠。

根据上述结构，以下对本发明的作用加以说明。

本发明中，与发光元件的搭载面为同一平面的反射面上的、白色树脂表面的俯视面积构成得大于引线框架表面和发光元件所占的俯视面积。

另外，在引线框架的部分表面上形成阶差部，在阶差部内填充白色树脂，填充的高反射率白色树脂的表面与引线框架的表面形成为同一平面。

由此，与发光元件的搭载面为同一平面的反射面上的、白色树脂表面的俯视面积构成得大于引线框架表面和发光元件所占的俯视面积，因此能够利用高反射率的白色树脂来提高光取出效率。

另外，在引线框架表面形成阶差部，在阶差部中填充有助于进行反射的白色树脂，以增加搭载发光元件的反射面上的白色树脂表面的面积，因此能够提高光取出效率。

由上，根据本发明，与发光元件的搭载面为同一平面的反射面上的、白色树脂表面的俯视面积构成得大于引线框架表面和发光元件所占的俯视面积，因此能够利用高反射率的白色树脂来提高光取出效率。

在引线框架表面形成阶差部，在阶差部中填充白色树脂，以增加搭载发光元件的反射面上的白色树脂表面的面积，因此能够提高光取出效率。

另外，在引线框架表面形成阶差部，在阶差部中填充白色树脂，使引线框架表面与白色树脂表面形成为同一平面，因此搭载发光元件的反射面不会呈凹凸状，能够提高光取出效率。

此外，搭载发光元件的反射面上的白色树脂表面的面积大于引线框架表面和发光元件芯片所占的面积，因此能够提高光取出效率。

此外，在引线框架表面形成阶差部，在阶差部中填充白色树脂，以增加型腔的反射体与引线框架的粘合面积，因此能够大幅提高对型腔壁面部侧压的强度。

附图说明

图1的(a)是表示本发明实施方式1的LED装置等发光装置的主要部分结构例的俯视图，图1的(b)是表示图1的(a)的发光装置的长边方向截面结构的DD’线剖视图，图1的(c)是图1的(a)的发光装置的后视图，图1的(d)是图1的(a)的发光装置的AA’线剖视图，图1的(e)是图1的(a)的发光装置的BB’线剖视图，图1的(f)是图1的(a)的发光装置的CC’线剖视图。

图2是表示图1的(a)的发光装置中使用的引线框架的主要部分结构例的俯视图。

图3的(a)～(c)是表示图1及图2的引线框架的各制造工序的纵剖视图。

图4的(a)～(d)是表示制造本实施方式1的发光装置1的各制造工序的纵剖视图。

图5的(a)～(f)是表示图1及图2的引线框架的各制造工序的其他实例的纵剖视图。

图6是用于说明发光装置的主要部分剖视图，该发光装置是专利文献1公开的现有发光装置的一例。

图7是侧光类型的表面安装型发光二极管的俯视图，该发光二极管是专利文献2公开的现有发光装置。

符号说明

1 发光装置

2 光学元件

2a 导线

3、4 引线框架

3a 发光元件配置区域

3b、4b 导线接合区域(端子连接区域)

3c、4c 半蚀刻区域

3d、4d 吊架引线

3e、4e 吊架引线的根部

3f、4f 引线框架的安装面

5 封装体

5a 凹部内的反射壁的侧面

5b 半蚀刻区域上的白色树脂

6 内部树脂

8 正极/负极分离区域

E 中心线

具体实施方式

下面，参照附图详细说明本发明的发光装置及其制造方法的实施方式1。此外，各图中的结构构件各自的厚度和长度等，是从制图上的观点出发，而不限定为图示的结构。

实施方式1

图1的(a)是表示本发明实施方式1的LED装置等发光装置的主要部分结构例的俯视图，图1的(b)是表示图1的(a)的发光装置的长边方向截面结构的DD’线剖视图，图1的(c)是图1的(a)的发光装置的后视图，图1的(d)是图1的(a)的发光装置的AA’线剖视图，图1的(e)是图1的(a)的发光装置的BB’线剖视图，图1的(f)是图1的(a)的发光装置的CC’线剖视图。图2是表示图1的(a)的发光装置中使用的引线框架的主要部分结构例的俯视图。此外，图2的虚线部分表示封装体5的外形位置。

在图1的(a)～图1的(f)及图2中，本实施方式1的LED装置等发光装置1具有：发光的LED元件等光学元件2；构成一个电极并配置光学元件2的金属制引线框架3；构成另一个电极的金属制引线框架4；与这一对引线框架3、4一体树脂成形的、使用了白色树脂的白色树脂型腔成型的封装体5；以及在由白色树脂构成的封装体5的凹部内与光学元件2一起埋入的封装用的内部树脂6。总之，发光装置1使用：搭载发光的发光元件2并且构成与该发光元件2对应的电极的引线框架3、4；以及利用白色树脂进行一体成形的白色树脂型腔成型封装体5。

LED元件等光学元件2通过粘合剂等固定在引线框架3上的发光元件配置区域3a上。在发光元件2的搭载面的正下方区域(发光元件配置区域3a)中，露出引线框架3的金属表面，或者露出在引线框架3上形成的金属层(例如镀银)。在作为端子连接区域的导线接合区域3b、4b中，最好露出引线框架3、4的金属表面，或者露出在引线框架3、4上形成的金属层(例如镀银)。导线2a从光学元件2的一个端子起，导线接合并电连接于引线框架3的作为端子连接区域的导线接合区域3b，导线2a从光学元件2的另一个端子起，导线接合并电连接于引线框架4的作为端子连接区域的导线接合区域4b。在此情况下，引线框架3的发光元件配置区域3a比光学元件2的安装面小，在俯视发光装置时，由于光学元件2，看不到发光元件配置区域3a。不过，如后所述，只要封装体5的凹部内的底面的白色树脂所占比例能够为一半以上，则引线框架3的发光元件配置区域3a不必一定小于光学元件2的安装面，既可以与光学元件2的安装面相比同样大或更大，也可以与光学元件2的实际的安装面错位形成。

在引线框架3中，如图2所示，发光元件配置区域3a和导线接合区域3b周围的区域是进行了半蚀刻以使厚度减至一半左右的降阶(段落ち)了的半蚀刻区域3c。在此，半蚀刻是指，对于引线框架3的基材的指定地方，从基材原来的厚度起，使其变薄至约一半厚度的蚀刻(本实施例中严格为一半厚度，但不仅包含一半厚度的情况，还包含一定程度大小的厚度的情况)。此外，蚀刻是利用酸性溶液或碱性溶液的蚀刻，除了该方法以外还可以一并使用压力加工等。另外，同样，引线框架4中，导线接合区域4b周围的区域是进行了半蚀刻以使厚度减至一半左右的降阶了的半蚀刻区域4c。这些半蚀刻区域3c、4c使引线框架3、4的厚度降低至一半，构成封装体5的白色树脂绕行进入该降阶了的部分，由此，封装体5的凹部内的底面的白色树脂所占面积比例能够增加至一半以上。这用于进一步反射来自光学元件2的光。

引线框架3、4中设置：搭载发光元件2并且连接(在此是导线接合)了发光元件2的端子的发光元件配置区域3a和作为端子连接区域的导线接合区域3b、以及在发光元件配置区域3a和导线接合区域3b的周围从发光元件2的搭载面降阶了的半蚀刻区域3c、4c，该半蚀刻区域3c、4c中设置白色树脂，该设置的白色树脂的表面与发光元件2的搭载面构成为同一平面。

发光装置1具有一对引线框架3、4，这对引线框架3、4搭载发光元件2，并构成与发光元件2导线接合的各电极。在将发光装置1各自分为单片之前，具有一对引线框架3、4的多对部件排列为矩阵状，并且设置将相邻的引线框架3、3之间、相邻的引线框架4、4之间分别相互连接的保持部。该保持部一般称为“吊件”。将该相邻引线框架之间的保持部分称为吊架引线3d、4d(也称为吊件引线)。为了确保强度，吊架引线3d、4d的根部3e、4e不进行半蚀刻，保持引线框架3、4的厚度。引线框架3、4用作发光元件2的各电极，引线框架3还具有散热功能。

在引线框架3、4中，吊架引线3d、4d及其根部3e、4e、发光元件配置区域3a、导线接合区域3b、4b、以及半蚀刻区域3c、4c既可以相对于图1(c)所示的长边方向的中心线E左右对称地配置，也可以左右不对称地配置。

如图1(c)所示，在发光装置1的安装面(背面)上，引线框架3、4的四边形的安装面3f、4f由构成封装体5的白色树脂包围，分别相对于图1(c)所示的长边方向的中心线E左右对称地配置。

白色树脂是在热固化性树脂中(为了具有反射性能)添加了氧化钛等光扩散材料的Pkg树脂。热固化性树脂例如使用硅酮树脂(硬且脆)。作为白色树脂的Pkg树脂的材质不作特别限定，但优选耐热性、耐光性良好的热固化性树脂，除了硅酮以外，还有环氧树脂、聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂和它们的改性有机树脂等。封装体5中，周围具有四个侧壁的凹部向上开放，形成为俯视长方形，该凹部内，反射壁的四个侧面5a朝四个方向向外侧敞开，从而形成为锥状。这样，由白色树脂形成的具有锥度的反射壁在四个方向上形成，由反射壁包围的底部中，确保发光元件2与引线框架3、4的电导通的端子连接区域(导线接合区域3b、4b)等中露出金属部或金属层，该端子连接区域以外的区域由白色树脂覆盖。该白色树脂有助于进行光反射。

在封装体5的凹部内，填充有封装用的内部树脂6(也称为封装树脂)，封装用的内部树脂6中混入了散光材料或荧光材料等。例如，若光学元件2为蓝色LED，则在构成上能够在内部树脂6内混合利用蓝色光发出红色和绿色光的荧光材料，从而射出白色光。

在此，对本实施方式1的发光装置的制造方法进行说明。

图3(a)～图3(c)是表示图1及图2的引线框架3、4的各制造工序的纵剖视图。

首先，如图3(a)所示，对于用于形成引线框架3、4的金属材料10，如图3(b)的引线框架表面半蚀刻工序所示，使用在发光元件配置区域3a、端子连接区域(导线接合区域3b、4b)、吊架引线的根部3e、4e、以及吊架引线部3d、4d以外的区域开口的抗蚀剂掩膜，进行半蚀刻。此时，对引线框架3、4的分离区域8(正极/负极分离区域)也实施半蚀刻。接着，如图3(c)的引线框架背面半蚀刻工序所示，从引线框架3、4的背面侧，使用在除安装端子3f、4f以外的区域开口的抗蚀剂掩膜，实施半蚀刻。据此，形成引线框架3、4的分离区域8等引线框架全蚀刻区域，同时形成半蚀刻区域3g、4g。由此，形成在表面的一部分上形成了阶差部(半蚀刻区域3c、4c)和吊架引线部3d、4d的引线框架3、4。

这样，在进行半蚀刻时，蚀刻发光元件2的搭载面侧以形成树脂面阶差部，接着，可以从背面侧进行与白色树脂(Pkg树脂)的锚部、吊架引线3d、4d(吊件引线)的厚度减少的蚀刻，或者也可以从表面侧进行该蚀刻。此外，也可以在表面和背面同时实施蚀刻。半蚀刻的深度可以通过蚀刻时间来控制。

以上说明了引线框架3、4的单位结构，而实际上，以引线框架3、4为一对的多对部件在行方向和列方向上配置为矩阵状，行方向和列方向上相邻的引线框架之间通过吊架引线3d和吊架引线4d相互连接。

图4(a)～图4(d)是表示制造本实施方式1的发光装置1的各制造工序的纵剖视图。

首先，如图4(a)所示，在白色树脂型腔成型工序(嵌入式成型(insert molding)工序)中，对于多对引线框架3、4，用以白色树脂为材料的封装体5进行一体成形。在由一体成形的白色树脂构成的封装体5中，凹部向上开放形成，该凹部内的四个侧面5a向外侧敞开，从而形成为锥状。

接着，如图4(b)所示，实施喷砂(blast)处理工序，进行去毛刺处理。在热固化性树脂的情况下，成形时产生毛刺，因此需要进行喷砂处理(水中包含粒子的冲淋处理或者仅利用粒子的冲淋处理)，引线框架3、4的表面金属层(镀银处理)的反射率下降。

此外，如图4(c)所示，在光学元件搭载工序(芯片焊接和焊线工序)中，在由一体成形的白色树脂构成的封装体5的凹部内的底面中央部分的、引线框架3上的发光元件配置区域3a中，搭载光学元件2。总之，在封装体5的凹部内露出的、引线框架3的发光元件配置区域3a上的指定位置处，通过粘合剂等固定并搭载光学元件2，从光学元件2的端子起通过导线2a分别导线接合到引线框架3、4的作为端子连接区域的导线接合区域3b、4b。

接着，如图4(d)所示，在内部树脂填充工序中，在该由白色树脂构成的封装体5的凹部内，与光学元件2一起埋入封装用的内部树脂6。封装用的内部树脂6(也称为封装树脂)中混入了散光材料、荧光材料等。例如，若光学元件2为蓝色LED，则在构成上能够在内部树脂6内混合利用蓝色光发出红色和绿色光的荧光材料，从而射出白色光。

随后，在单片化工序中，在多个发光装置1以矩阵状形成的板体的背面贴上切断用胶带，在此状态下，利用刀片(转动切断刀)在各发光装置1之间以格状切断板体，从而将各发光装置1分为单片。在此情况下，引线框架3、4的吊架引线3d、4d的切断面与白色树脂(Pkg树脂)的封装体5的切断侧面一致。另外，通过不图示的切断用胶带切断的各发光装置1不会变得零散(切断用胶带最终被除去)。

在本实施方式1的发光装置1中，引线框架3、4的表面上形成作为阶差部的半蚀刻区域3c、4c，引线框架3、4的表面与白色树脂面形成为同一平面，并且形成为白色树脂面的面积大于引线框架3、4的表面面积。

这样，与发光元件2的搭载面为同一平面的反射面上的、白色树脂表面的俯视面积大于引线框架3、4的表面和发光元件2所占的俯视面积。总之，考虑光取出效率的提高，使封装体5的凹部内的底面的白色树脂所占比例为一半以上。与发光元件2的搭载面为同一平面的反射面上的、白色树脂表面的俯视面积相对于发光元件2的搭载面(凹部的底面)的俯视总面积的比例优选为2/3以上、3/4以上、或者4/5以上，该比例越大，则光的取出特性越佳。在引线框架3、4的厚度采用250μm的情况下，阶差部的深度为120μm，阶差部中填充的白色树脂的厚度为120μm。若白色树脂的厚度比100μm薄，则从反射性能、强度的观点出发不理想，若引线框架3、4的厚度比一半厚度薄，则从散热的观点出发不理想。不过，根据光学元件的特性不同，有时并非如此。在发光元件配置区域3a和导线接合区域3b、4b中，使发光元件配置区域3a的面积与光学元件2的搭载面相比较小或者相等，并且，若光学元件2为后接触式，则导线接合区域为一个即可，因此与发光元件2的搭载面为同一平面的反射面上的、白色树脂表面(反射面)的俯视面积相对于发光元件2的搭载面(凹部的底面)的俯视面积的比例还能够大于1/2且为5/6以下。

在用白色树脂对引线框架3、4进行了成型的型腔结构封装体5中，通过增大型腔的反射体角度，并且增大型腔底面部的白色树脂被覆区域(半蚀刻区域3c、4c上的白色树脂区域)，能够提高向封装体外的光取出效率。通过对与型腔壁面部下方相接的部分的引线框架3、4进行半蚀刻，能够提高壁面部与底面部的粘合强度。

由此，根据本实施方式1，与发光元件2的搭载面为同一平面的反射面上的、白色树脂表面的俯视面积构成得大于引线框架3、4的表面和发光元件2所占的俯视总面积，因此能够利用高反射率的白色树脂来提高光取出效率。

另外，在引线框架3、4的表面形成阶差部，在阶差部中填充白色树脂，以增加搭载发光元件2的反射面上的白色树脂表面的面积，因此能够提高光取出效率。

此外，在引线框架3、4的表面形成阶差部，在阶差部中填充白色树脂，使引线框架3、4的表面与白色树脂表面形成为同一平面，因此搭载发光元件2的反射面不会如以往那样呈凹凸状，能够提高光取出效率。

此外，搭载发光元件2的反射面上的白色树脂表面的面积大于引线框架3、4的表面和发光元件芯片所占的面积，因此能够提高光取出效率。在此情况下，发光装置1的凹部底面的反射面除了发光元件2、发光元件配置区域3a、以及导线接合区域3b、4b以外，全部为白色树脂面。

此外，在引线框架3、4的表面形成阶差部，在阶差部中填充白色树脂，以增加型腔的反射体与引线框架3、4的粘合面积，因此能够大幅提高对型腔壁面部侧压的强度。即，沿着引线框架3、4的长边方向在表面侧和背面侧具有凹部，由此保持与白色树脂(Pkg树脂)的接合强度(Pkg形状保持稳定性)。由此，较好地承受来自侧面方向的挤压。

此外，在上述实施方式1中，使用图3(a)～图3(c)说明了图1和图2的引线框架3、4的各制造工序，但不限于此，也能够使用图5(a)～图5(f)制造图1和图2的引线框架3、4。

图5(a)～图5(f)是表示图1及图2的引线框架3、4的各制造工序的其他实例的纵剖视图。

首先，如图5(a)所示，ES(蚀刻终止，Etching Stop)金属层11与基底金属层12上下层叠，在其上方进一步上下层叠ES(蚀刻终止)金属层11与基底金属层12，从而得到引线框架金属材料，对于该引线框架金属材料，如图5(b)和图5(c)的引线框架表面半蚀刻工序所示，在ES(蚀刻终止)金属层11上形成在元件配置区域3a、端子连接区域(导线接合区域3b、4b)、以及吊架引线的根部3e、4e以外的区域开口的抗蚀刻掩膜13，使用抗蚀刻掩膜13，利用半蚀刻将ES(蚀刻终止)金属层11a和基底金属层12a形成为指定形状，以一半左右的厚度形成作为阶差部的半蚀刻区域3c、4c。

接着，在引线框架分离蚀刻工序中，对引线框架金属材料的背面，如图5(d)～图5(f)所示，为了以指定距离分离引线框架3、4，在基底金属层12上形成在该分离区域8上开口的抗蚀刻掩膜14，使用抗蚀刻掩膜14，从背面侧对基底金属层12和ES(蚀刻终止)金属层11依次进行蚀刻处理，从而形成分离区域8。

由此能够制造引线框架3、4，其中，表面侧的ES(蚀刻终止)金属层11成为嵌入式成型树脂即白色树脂的锚。这样，通过使用包含ES金属层11的金属层叠基板，提高了与引线框架3、4一体成形的白色树脂对引线框架3、4的粘合性(接合强度)。

此外，上述实施方式1中，说明了将本发明的特征结构适用于使用如下部件的发光装置1的情况：搭载发光的一个发光元件2，构成与一个发光元件2对应的电极的引线框架3、4；以及由白色树脂构成的封装体5。就本发明的特征结构而言，引线框架3、4具有：设置搭载发光元件2并且连接了发光元件2的端子的发光元件配置区域3a和端子连接区域(导线接合区域3b、4b)、以及在发光元件配置区域3a和端子连接区域(导线接合区域3b、4b)的周围从发光元件2的搭载面降阶了的区域(半蚀刻区域3c、4c中厚度较薄的区域)，在降阶了的区域中设置白色树脂，白色树脂的表面与发光元件2的搭载面构成为同一平面。并不限定于此，还可以将上述本发明的特征结构适用于使用如下部件的发光装置：搭载发光的多个(例如2个或3个)发光元件2，构成与多个发光元件2对应的电极的引线框架3、4；以及由白色树脂构成的封装体5。在此情况下，与搭载一个发光元件2的情况相同，白色树脂型腔成型封装体5中，凹部向上开放形成，在该凹部内的引线框架3、4上搭载多个发光元件2，并且该凹部内的侧面作为反射壁向外侧敞开，从而形成为锥状。

此外，上述实施方式1中并未特别说明，通过提高作为高反射率白色树脂材料的Pkg用树脂材料的成形性(裂缝抑制)或反射性能，能够使用耐候性、耐光性等可靠性高的热固化性树脂。在热固化性树脂的情况下，成形时产生毛刺，因此需要进行喷砂处理(水中包含粒子的冲淋处理或者仅利用粒子的冲淋处理)，引线框架表面(镀银处理)的反射率下降。在芯片搭载面中，以往采用使引线框架面较多的设计，但在使用热固化性树脂作为Pkg材的情况下，喷砂处理导致引线框架表面劣化，因此，使Pkg树脂面较多的本发明的结构能够提高芯片搭载面的反射率。另外，还提高了发光装置的亮度。另外，本发明还能够减少引线框架面的气体腐蚀或封装树脂脱落。

此外，在引线框架3、4的部分表面上形成阶差部，在阶差部内填充白色树脂，填充的白色树脂的表面与引线框架3、4的表面形成为同一平面，在引线框架3、4的表面上搭载一个或多个发光元件2，与发光元件2的搭载面为同一平面的反射面上的、白色树脂表面的俯视面积构成得大于引线框架3、4的表面和发光元件2所占的俯视总面积，上述实施方式1中说明了以上情况，但不限于此，可以不在引线框架3、4的部分表面上形成阶差部，而是仅仅减小引线框架3、4自身的表面露出面积，与发光元件2的搭载面为同一平面的反射面上的、白色树脂表面的俯视面积构成得大于引线框架3、4的表面和发光元件2所占的俯视总面积，这样也能够实现提高光取出效率的本发明的目的。

如上所述，使用本发明的优选实施方式1例示了本发明，但本发明应该不限定于该实施方式1而进行解释。本发明可理解为，应该仅根据专利权利要求的范围来对其范围加以解释。本领域技术人员可以理解，根据本发明的具体的优选实施方式1的记载，基于本发明的记载和技术常识，能够实施等效的范围。在本说明书中引用的专利、专利申请和文献，其内容本身具体来说与本说明书所述同样，可理解为其内容作为对于本说明书的参考而引用。

本发明中，在将与各电极对应的引线框架与树脂一体成形而制成的LED装置等发光装置的领域中，与发光元件的搭载面为同一平面的反射面上的、白色树脂表面的俯视面积构成得大于引线框架表面和发光元件所占的俯视面积，因此能够利用高反射率的白色树脂来提高光取出效率。另外，在引线框架表面形成阶差部，在阶差部中填充白色树脂，以增加搭载发光元件的反射面上的白色树脂表面的面积，因此能够提高光取出效率。