一种锐角金属图形制作方法与流程

本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种锐角金属图形制作方法。

背景技术：

金属lift-off工艺由于剥离精度高、形貌好、控制容易，已广泛地应用于半导体制造业。整个lift-off工艺为：（1）在衬底上涂覆一层光刻胶，把掩膜版图案在衬底表面上准确对准，通过曝光将图形转移到光刻胶涂层上，并通过显影把掩膜版图案复刻到光刻胶上，得到图形化衬底，如图1（a）所示；（2）采用金属蒸发、溅射或化学气相淀积薄膜工艺，在图形化衬底上沉积一层金属1，如图1（b）所示；（3）去除光刻胶，得到金属图形，如图1（c）所示。

在整个半导体工艺中，为了节约成本，提高效率，在去除光刻胶时，一般采用物理撕除（tape- peeling）结合湿法的方式快速去除光刻胶。在金属图形存在锐角时，湿法药水不易进入锐角区域，加之物理撕除的引入，极易造成金属图形的锐角缺损，如图4（a）所示。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种锐角金属图形制作方法，该夹具可以很好地解决传统lift-off工艺极易造成金属图形缺损，无法得到具有完成锐角的金属图形的问题。

为达到上述要求，本发明采取的技术方案是：提供一种锐角金属图形制作方法，包括采用lift-off工艺形成锐角缺损的金属图形的步骤，还包括以下步骤：

S1、在锐角缺损的金属图形上采用PECVD反应生长硅化物层；

S2、在所述硅化物层上涂覆光刻胶，采用光刻显影定义出硅化物层的打开位置；

S3、根据所述打开位置，采用刻蚀方式打开硅化物层，定义出锐角位置，锐角位置的两个自由端与锐角缺损的金属图形部分重叠；

S4、在所述锐角位置再次沉积金属；

S5、去除光刻胶，得到具有完整锐角的金属图形。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

在传统lift-off工艺的基础上，进行二次金属沉积，由于第二次锐角位置的两个自由端仅与锐角缺损的金属图形部分重叠，区域较小，有利于湿法药水进入锐角处，便于光刻胶去除，更易于完成具有完整锐角的金属图形。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，在这些附图中使用相同的参考标号来表示相同或相似的部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为lift-off工艺过程中形成的器件结构的剖视图；

图2为本发明方法的流程图；

图3为本发明工艺过程中形成的器件结构的剖视图；

图4（a）为lift-off工艺形成的具有缺损锐角的金属图形的俯视图；图4（b）为硅化物层打开位置的俯视图；图4（c）为具有完整锐角的金属图形的俯视图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图及具体实施例，对本申请作进一步地详细说明。为简单起见，以下描述中省略了本领域技术人员公知的某些技术特征。

如图2所示，本实施例提供一种锐角金属图形制作方法，包括采用lift-off工艺形成锐角缺损的金属图形的步骤，锐角缺损的金属图形如图4（a）所示；还包括以下步骤：

S1、在锐角缺损的金属图形上采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积法）反应生长硅化物层2，作为锐角定义层，如图3（a）所示；硅化物层2为SiO₂或SiN；

S2、在硅化物层2上涂覆光刻胶PR，采用光刻显影在光刻胶PR上定义出硅化物层2的打开位置，打开位置即图3（b）中光刻胶PR的缺口；

S3、根据打开位置，采用刻蚀方式打开硅化物层2，定义出锐角位置，锐角位置即图3（c）中硅化物层2的缺口，也为图4（b）中的虚线位置；锐角位置的一个自由端与锐角缺损的金属图形的一条边部分重叠，锐角位置的另一个自由端与锐角缺损的金属图形的另一条边部分重叠，如图3（c）和图4（b）所示，单边重叠的长度m不小于0.5 μm；

S4、在锐角位置再次沉积金属3，且再次沉积的金属3单边长度n不超过10 μm，如图3（d）和图4（c）所示；由于步骤S3中的部分重叠，能保证再次沉积的金属3与原缺损锐角金属1完全连接；

S5、去除光刻胶，得到具有完整锐角的金属图形，如图3（e）所示。

当然，通过任意其他工艺制成的锐角缺损的金属图形，采用该方法制得具有完整锐角金属图形的情况，也落入本申请的保护范围。

以上实施例仅表示本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能理解为对本发明范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明保护范围。因此本发明的保护范围应该以权利要求为准。