技术特征：
技术总结
本发明适用于半导体领域，提供了一种通孔免对位的功率器件及其制备方法，该器件包括衬底和外延层以及，在外延层上具有一深槽结构，深槽结构中从外向内依次包括绝缘层和栅极，深槽结构通过氧化使绝缘层沿深槽方向形成小于60度的斗状结构，其顶部覆盖有氧化层；在深槽结构外的外延层通过离子注入形成的源极和沟道；以及通过刻蚀氧化层形成的通孔，通孔连接源极和沟道形成欧姆接触。本发明通过氧化使功率器件的绝缘层沿深槽方向呈斗状结构，从而保证在刻蚀通孔时不受光刻最小线宽和对位精度的限制，有利于增加器件密度，降低功率器件的导通电阻。
技术研发人员：曾大杰
受保护的技术使用者：深圳尚阳通科技有限公司
技术研发日：2017.03.31
技术公布日：2018.10.16