技术特征：
技术总结
本发明公开了一种能够实现多个阈值电压控制模式并且具备三个独立栅极结构的新型FinFET器件的多阈值电压调控方法，在无额外电压源的情况下，对左侧栅极金属层、右侧栅极金属层、顶部栅极金属层分别施加电源电压或接地，实现五种不同的阈值电压控制模式。本发明对顶部栅极介质层与底部栅极介质层分开沉积，能够实现顶部栅极介质层与底部栅极介质层材料与厚度的独立选取；本发明对顶部栅极金属层与底部栅极金属层分开沉积，能够实现顶部栅极金属层与底部栅极金属层材料的独立选取，上述方式均可实现对阈值电压的调控。
技术研发人员：刘程晟;郑芳林;石艳玲;李小进;孙亚宾
受保护的技术使用者：华东师范大学
技术研发日：2017.04.07
技术公布日：2017.09.01