技术特征：
技术总结
本发明涉及用于产生自对准的掩蔽层的方法。根据不同的实施例，一种方法可以具有如下内容：在第一层中在预先限定的位置处形成被埋置的带电区域，使得被埋置的带电区域在第一层之上产生具有横向不均匀的场分布的电场；以及在使用所述场分布的情况下，在第一层上方形成第二层，使得第二层的结构与被埋置的带电区域的位置相互关联。
技术研发人员：H.阿斯曼;F.布劳恩;M.丹克尔曼;S.德林;K.弗里德里希;U.格奇克斯;A.格赖纳;R.鲁道夫;J.施奈德
受保护的技术使用者：英飞凌科技股份有限公司
技术研发日：2017.04.12
技术公布日：2017.10.24