技术特征：
技术总结
本发明提供了基于Si衬底外延SiC基GaN HEMT的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：在Si衬底上生长SiC层；在所述SiC层上生长GaN HEMT器件；在所述GaN HEMT器件上涂抹光刻胶保护层，并以预设温度烘烤预设时间，在所述光刻胶保护层上采用粘附剂黏贴载片；采用湿法或干法方式对所述GaN HEMT器件背面的Si衬底进行腐蚀移除；在移除Si衬底的SiC层上进行背面通孔工艺，使得GaN HEMT器件正面接地区域与反面连通；在所述GaN HEMT器件背面即SiC层面上，沉积金属Ti或Au；采用加热以及有机或无机溶液湿法腐蚀光刻胶保护层和载片、粘附剂，进而提高了器件的性能。
技术研发人员：林书勋
受保护的技术使用者：成都海威华芯科技有限公司
技术研发日：2017.04.12
技术公布日：2017.07.25