技术特征：
技术总结
本发明提供一种压力传感器及其制备方法，所述压力传感器包括栅极；形成于所述栅极上的绝缘层；形成于所述绝缘层上的半导体层；以及形成于所述半导体层上的电极层，所述电极层包括第二绝缘层及形成于所述半导体层与所述第二绝缘层之间的源极、漏极，所述源极和所述漏极分别位于所述第二绝缘层的两侧；所述源极包括具有导电性能的第一微结构层，所述漏极包括具有导电性能的第二微结构层。本发明提供的压力传感器及其制备方法，第二绝缘层在受到低压力和超低压力时，也能够通过所述第一微结构层和所述第二微结构层之间的电流变化获得压力的大小。因此，本发明提供的压力传感器能够提升整个压力传感器的灵敏度。
技术研发人员：李立强;王中武;郭淑婧;李红卫
受保护的技术使用者：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
技术研发日：2017.04.14
技术公布日：2018.11.02