纵向PiNGe发光二极管的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明涉及一种纵向PiN Ge发光二极管10。该发光二极管10包括：P型Si衬底11以及依次层叠于所述P型Si衬底11上的本征Ge层12及N型Si层13。本发明具有Ge外延层位错密度低的优点，且利用其作为Si衬底上Ge LED有源区，能够很好地提高器件发光效率。

技术研发人员：刘晶晶
受保护的技术使用者：厦门科锐捷半导体科技有限公司
技术研发日：2017.05.17
技术公布日：2017.10.17