本发明属于电子领域，具体涉及一种铝硼电子封装材料。
背景技术：
随着人们对电子设备的小型化、轻量化、多功能、高性能的不断追求，电子封装的模块和组件由于封装密度较高，有些含有功率电路，对封装外壳和功率芯片热沉的导热率要求较高；同时由于电子封装时组装了多层陶瓷基板或裸芯片，其热胀系数较小，这就要求电子封装材料的热胀系数也较小；另外，考虑到电子封装体的密封性能，对封装外壳的致密程度也有较高要求。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种铝硼电子封装材料。
本发明通过下面技术方案实现：
一种铝硼电子封装材料，通过如下重量份的原料制成：硫酸铝铁15-25份、氮化硼10-20份、氧化石墨烯10-20份、聚乙烯蜡20-30份。
优选地，所述的铝硼电子封装材料通过如下重量份的原料制成：硫酸铝铁20份、氮化硼15份、氧化石墨烯15份、聚乙烯蜡25份。
优选地，所述的铝硼电子封装材料通过如下重量份的原料制成：硫酸铝铁15份、氮化硼10份、氧化石墨烯10份、聚乙烯蜡20份。
优选地，所述的铝硼电子封装材料通过如下重量份的原料制成：硫酸铝铁25份、氮化硼20份、氧化石墨烯20份、聚乙烯蜡30份。
本发明技术效果：
本发明提供的铝硼电子封装材料性能优异，可以用于制备电子封装材料。
具体实施方式
下面结合实施例具体介绍本发明的实质性内容。
实施例1
所述的铝硼电子封装材料通过如下重量份的原料制成：硫酸铝铁20份、氮化硼15份、氧化石墨烯15份、聚乙烯蜡25份。
实施例2
所述的铝硼电子封装材料通过如下重量份的原料制成：硫酸铝铁15份、氮化硼10份、氧化石墨烯10份、聚乙烯蜡20份。
实施例3
所述的铝硼电子封装材料通过如下重量份的原料制成：硫酸铝铁25份、氮化硼20份、氧化石墨烯20份、聚乙烯蜡30份。