专利名称：一种铝硼共掺的硅太阳电池背场及其制作方法
技术领域：
本发明属于太阳能应用领域，尤其涉及一种铝硼共掺的硅太阳电池背场及其制作 方法。
背景技术：
太阳能是一种分布广泛、用之不竭的清洁能源。太阳电池是一种将太阳能转化为 电能的器件，但目前作为光伏市场主体的晶硅电池转换效率依然不高，这严重影响了太阳 能的推广和使用。在硅太阳电池的常规制备工艺中，背面的电极接触除了两条平行的银电极外，其 余部分(除边缘l_3mm处裸露外)均用丝网印刷方法印刷铝浆后烧结形成铝背层。这种铝 背层结构的一个明显的优势就是在烧结过程中，铝和硅反应并在背面由硅片基体向外依 次形成重掺铝的硅层(以下称为重掺层)、铝硅合金层和铝层，重掺层和铝硅合金层使原本 成为肖特基接触的Al-pSi成为了欧姆接触，大大减小了串联电阻，从而提升了电学性能。 另外，对于基体为P型硅的太阳电池，重掺层还能与基体形成PP+高低结结构，对光生载流 子具有排斥作用，从而减小了电池的表面复合，增大并联电阻，提高了电池效率。因为铝背 层的微小的电场作用，所以又被称为铝背场。铝背场的性能除了与其形成的均勻性有关外，还与重掺层的替位态电活性杂质的 浓度有关，该浓度由杂质在烧结温度下在硅中的最大固溶度的所决定。一般来说，其浓度越 高，电池的电极接触越好，也就是铝背场的性能越好。对于基体为P型硅的电池而言，电池 的表面复合也越小。然而，电池的烧结温度一般为650-950°C，在这个温度范围内，铝在硅 中的最大固溶度为5X1018个原子/cm—3。如果要提高重掺层的掺杂浓度，一般需要提高烧 结温度，但这可能带来表面氮化硅层裂开，电池翘曲加剧，过渡金属杂质污染加剧等不利影 响。
发明内容
本发明提供了一种铝硼共掺的硅太阳电池背场的制作方法，在不改变原有烧结温 度的前提下提高重掺层的掺杂浓度，从而改进了硅太阳电池铝背场的电学性能，该方法成 本低廉、易于操作。一种铝硼共掺的硅太阳电池背场的制作方法，包括如下步骤(1)在铝浆中加入硼源，搅拌均勻，得到混合浆料；其中，硼元素在所述的混合浆 料中的质量分数为0. 01% -3% ；(2)在硅太阳能电池背面丝网印刷上所述的混合浆料，烘干，在650-950°C烧结， 时间不超过5min。步骤(1)中，所述的硼源可以为固态硼源或者液态硼源。其中，固态硼源可以为单 质硼，三氧化二硼，硼酸或硼酸盐，液态硼源可以为三氧化二硼有机溶液(有机溶剂可以为 醇类或有机酸，但不仅限于此)或有机硼化合物(如硼酸酯，但不仅限于硼酸酯)。固态硼源的颗粒大小为0. 5 10 ym，优选为1-5 ym，使得固态硼源的颗粒大小与铝浆中的固体颗 粒大小相接近，不会对丝网印刷工艺产生不良影响。步骤(1)中，所述的铝浆为现有技术中通用的太阳能电池用铝浆，包含平均颗粒 大小不超过lOiim的铝粉、粘结相玻璃粉、有机载体和添加剂组成，可以从市场上购得，常 见的生产厂家有福禄(Ferro)新型材料公司、广州市儒兴科技股份有限公司等，常见的型 号有福禄(Ferro)新型材料公司的AL53-110系列和广州市儒兴科技股份有限公司的RX8。步骤(1)中，所述的硼元素在所述的混合浆料中的质量分数优选为0. 05% -1%, 加入大于质量分数的硼可能会造成电池效率下降，加入少于质量分数0. 05%的硼则对 电池效率的提高没有明显效果。步骤(2)中，丝网印刷采取现有技术中所公开的常规工艺；步骤(2)中，所述的烧结温度优选为700_875°C。该温度为太阳能工业当前采用的 温度区间。步骤(2)中，所述的烧结时间优选为不超过2min。本发明还提供了由上述的制作方法得到的铝硼共掺的硅太阳电池背场。本发明在铝浆中加入硼，利用硼相对铝在硅中有较大固溶度的特点，在热处理实 现铝和硅的合金化的同时将硼掺入到重掺层中，得到硼和铝掺杂浓度很高的重掺层并形成 硅太阳能电池背场。基于上述背场制备技术，可以得到具有硼铝共掺杂背场的硅太阳能电 池。相对于现有技术，本发明具有以下有益的技术效果(1)采用本发明方法得到的铝硼共掺的太阳能电池背场中，重掺层的掺杂浓度比 相同烧结温度下铝在重掺层的掺杂浓度高一个数量级以上，从而降低了串联电阻，减小了 表面复合，增大了并联电阻，增加了电池效率。(2)由于硼在650°C时在硅中的固溶度大于铝在950°C时在硅中的固溶度，且硼在 硅中的固溶度在1200°C以下是随温度升高而升高，因此，采取本发明方法可以在低温下烧 结得到与常规工艺下制得的电池效率相当的硅太阳能电池，而同时低温烧结有效地降低了 电池的翘曲，从而减小了电池的破碎率，降低了成本。(3)采取本发明方法，能够在烧结中减少背场中铝沉淀的析出，从而在电池背面形 成更均勻的背场结构，提升电池的电学性能。(4)本发明方法对成本的增加可以忽略不计，每瓦增加成本小于万分之一。此外，本发明中涉及的工艺流程简单可行，具有较好的应用前景。
具体实施例方式下面结合实施例来详细说明本发明，但本发明并不仅限于此。实施例1(1)从广州市儒兴科技股份有限公司购得RX8型号的铝浆，在铝浆中加入三氧化 二硼，搅拌均勻，得到混合浆料；其中，三氧化二硼的颗粒大小为l_3ym，硼元素在混合浆 料中的质量分数为0.45% ；(2)按常规丝网印刷工艺在硅太阳能电池背面丝网印刷上上述的混合浆料，烘干， 在700°C烧结，650°C以上烧结时间不超过2min。
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该实施例得到电池的背场的重掺层的掺杂浓度为0. 9X 1019atOmS/Cm3 ；基于上述 的背场制备硅太阳能电池，电池串联电阻为12mQ，并联电阻80Q，效率16. 9%。对比例1使用常规工艺制备硅太阳能电池，包括硅片清洗、酸去损和织构、pn结形成与边缘等离子刻蚀、氮化硅膜沉积、背场和正 反电极的印刷与烧结，使用不掺B的A1浆形成背场，在与实施例1相同的条件下烧结得到 的电池的背层掺杂浓度为3.4X1017atomS/Cm3，电池串联电阻为20mQ，并联电阻20 Q，效 率 15. 3%。实施例2(1)铝浆与实施例1相同，在铝浆中加入三氧化二硼乙醇溶液，搅拌均勻，得到混 合浆料；其中，三氧化二硼的颗粒大小为1-3 ym，最终硼元素在混合浆料中的质量分数为 0. 1% ；(2)按常规丝网印刷工艺在硅太阳能电池背面丝网印刷上上述的混合浆料，烘干， 在750°C烧结，700°C以上烧结时间不超过2min。该实施例得到电池的背场的重掺层的掺杂浓度为8. 5X1018atoms/cm3 ；基于上述 的背场制备硅太阳能电池，电池串联电阻为8mQ，并联电阻75Q，效率17. 5%。对比例2使用常规工艺制备硅太阳能电池，包括硅片清洗、酸去损和织构、pn结形成与边缘等离子刻蚀、氮化硅膜沉积、背场和正 反电极的印刷与烧结，使用不掺B的A1浆形成背场，在与实施例2相同的条件下烧结得到 的电池的背层掺杂浓度为6. 3X1017atoms/cm3,电池串联电阻为14m Q，并联电阻35 Q，效 率 16. 7%。实施例3(1)铝浆与实施例1相同，在铝浆中加入单质硼粉，搅拌均勻，得到混合浆料；其 中，单质硼粉的颗粒大小为1-3 ym，最终硼元素在混合浆料中的质量分数为0.8% ；(2)按常规丝网印刷工艺在硅太阳能电池背面丝网印刷上上述的混合浆料，烘干， 在740°C烧结，700°C以上烧结时间不超过lmin。该实施例得到电池的背场的重掺层的掺杂浓度为9. 2X1018atoms/cm3 ；基于上述 的背场制备硅太阳能电池，电池串联电阻为7. 5mQ，并联电阻81 Q，效率17. 6%。对比例3使用常规工艺制备硅太阳能电池，包括硅片清洗、酸去损和织构、pn结形成与边缘等离子刻蚀、氮化硅膜沉积、背场和正 反电极的印刷与烧结，使用不掺B的A1浆形成背场，在与实施例3相同的条件下烧结得到 的电池的背层掺杂浓度为6. 3X1017atoms/cm3,电池串联电阻为14m Q，并联电阻35 Q，效 率 16. 7%。实施例4(1)从福禄(Ferro)新型材料公司购得AL53-110型号的铝浆，在铝浆中加入固态 硼源硼酸钾，搅拌均勻，得到混合浆料；其中，颗粒大小范围为0. 5-4 ym，硼元素在混合浆 料中的质量分数为0.7% ；
(2)按常规丝网印刷工艺在硅太阳能电池背面丝网印刷上上述的混合浆料，烘干， 在800°C烧结，750°C以上烧结时间不超过lmin。该实施例得到电池的背场的重掺层的掺杂浓度为3. 5X1019atoms/cm3 ；基于上述 的背场制备硅太阳能电池，电池串联电阻为4mQ，并联电86Q，效率17. 9%。对比例4使用常规工艺制备硅太阳能电池，包括硅片清洗、酸去损和织构、pn结形成与边缘等离子刻蚀、氮化硅膜沉积、背场和正 反电极的印刷与烧结，使用不掺B的A1浆形成背场，在与实施例4相同的条件下烧结得到 的电池的背层掺杂浓度为2X1018atomS/Cm3，电池串联电阻为llmQ，并联电阻28 Q，效率 16. 8%。
权利要求
一种铝硼共掺的硅太阳电池背场的制作方法，其特征在于，包括如下步骤(1)在铝浆中加入硼源，搅拌均匀，得到混合浆料；其中，硼元素在所述的混合浆料中的质量分数为0.01％ 3％；(2)在硅太阳能电池背面丝网印刷上所述的混合浆料，烘干，在650 950℃烧结，时间不超过5min。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的步骤(1)中，所述的硼源为固态 硼源或者液态硼源，所述的固态硼源为单质硼、三氧化二硼、硼酸或硼酸盐，所述的液态硼 源为三氧化二硼有机溶液或有机硼化合物。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的固态硼源的颗粒大小为0.5 10 μ m。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的固态硼源的颗粒大小为为 1-5 μ m0
5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的步骤(1)中，所述的硼元素在所 述的混合浆料中的质量分数为0.05% -1%。
6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的步骤(2)中，所述的烧结温度为 700-875 "C。
7.由如权利要求1 6任一所述的制作方法得到的铝硼共掺的硅太阳电池背场。
全文摘要
本发明公开了一种铝硼共掺的硅太阳电池背场及其制作方法，包括如下步骤在铝浆中加入硼源，搅拌均匀，得到混合浆料；其中，硼元素在混合浆料中的质量分数为0.01％-3％；在硅太阳能电池背面丝网印刷上所述的混合浆料，烘干，在650-950℃烧结，烧结时间不超过5min。本发明制作方法烧结温度低，有效降低了电池的降低翘曲和破碎率。本发明制作方法能够在电池背面形成更均匀的背场，具有采用本发明制作方法得到的具有铝硼共掺背场的硅太阳电池的串联电阻明显降低，并联电阻明显上升，电池效率有较大幅度提升，而成本的增加可以忽略不计。
文档编号H01L31/0224GK101937947SQ201010283068
公开日2011年1月5日 申请日期2010年9月16日 优先权日2010年9月16日
发明者余学功, 杨德仁, 顾鑫 申请人:浙江大学