专利名称：掺硼磷cz硅棒及配料中硼、磷快速分析法的制作方法
技术领域：
本发明涉及的是一种掺硼磷CZ硅棒及配料中硼磷含量的快速分析法。
背景技术：
目前在生产CZ硅棒时，尤其在太阳能领域，常出现配料过程中既存在含硼硅料， 又存在含磷硅料的情况，生产出硅棒后，如不进行元素分析测试，就无法知道原料中的硼磷 含量，而做元素分析，成本一般在2000-3000元，周期约1周，这给对于硅材料的质量鉴定增 加了成本，拖延了分析时间。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能快速分析出掺硼磷CZ硅棒及配料中硼磷含量的分 析方法。本方法的方案如下1、根据CZ硅棒测量的头尾电阻率、极性，求出对应的掺杂浓度；2、根据晶体生长的分凝理论，可以得出一定长度上的溶质浓度分布；3、根据1、2中已知的信息，求出硅棒对应的配料中的等效杂质浓度；4、根据1、2、3中已知信息，求出对应的等效电阻率以及硅棒其他各点的掺杂剂分 凝数据和电阻率；应用本方法分析出的数据，简单、快速、可靠，可以减少硅材料的质量鉴定成本，提 高工艺水平。
附图1中的深色部分是可变数据，可按照实际情况进行填写；附图中的“此根硅棒 的电阻率分布情况”是指按照以上深色部分的数据计算出来的硅棒对应长度上的电阻率情 况和极性情况；附图中的“硼的分布曲线”是指深色部分数据对应的硅棒中硼元素的分布曲 线；“配料中P型掺杂剂等效浓度”是指生产深色数据对应的硅棒时，其对应配料中的硼的 浓度；“配料中的N型掺杂剂等效浓度”是指生产深色数据对应的硅棒时，其对应配料中的 磷的浓度。
具体实施例方式本方法如下一、根据测量的硅棒的头部和一定长度上的极性和电阻率，然后根据GB/T 13389-1992掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程中的公式计算出对应的头部和 一定长度上等效掺杂剂浓度Ni^PNLjnas (1)和公式(2)；计算P型掺杂剂浓度的公式
权利要求
1. 一种掺硼磷CZ硅棒及配料中硼磷含量的快速分析法，其特征在于根据测量的硅棒 的头部和一定长度上的极性和电阻率，然后根据GB/T 13389-1992掺硼掺磷硅单晶电阻率 与掺杂剂浓度换算规程中的公式计算出对应的头部和一定长度上等效掺杂剂浓度N+和队; 根据晶体分凝理论，得出CZ硅棒的溶质分凝公式
全文摘要
一种掺硼磷CZ硅棒及配料中硼磷含量的快速分析法。该方法首先计算出CZ硅棒的头部掺杂浓度和一定长度上的掺杂浓度，根据公式(4)、(5)、(6)，推导出此CZ硅棒配料中的硼、磷含量，转换成对应的电阻率，同时根据公式(4)，计算出硅棒上任意长度上的硼含量引起的电阻率和等效电阻率；本发明具有计算准确、方便快捷的优势，减少硅材料的测试成本与费用，可以用于太阳能级CZ单晶的质量鉴别、半导体CZ单晶的质量鉴别、硅料的质量鉴别等方面，应用前景广泛。
文档编号G01N27/04GK102081063SQ20091015475
公开日2011年6月1日 申请日期2009年12月1日 优先权日2009年12月1日
发明者石坚 申请人:王正园